SK海力士（SKHY）股價下跌5.84%至135.15美元，此前這家韓國晶片製造商批准了一項大規模國內記憶體產能擴建計畫。該公司承諾投入約54兆韓圓，用於在龍仁與清州建設新的晶圓廠，以滿足不斷增長的AI相關記憶體需求。SK海力士目前為NVIDIA及其他AI加速器製造商供應HBM3E，使此次產能擴建成為維持其在三星電子與美光科技亦積極擴產的市場中領先地位的關鍵。

這些項目將擴充高頻寬記憶體（HBM）、先進DRAM與NAND產能，同時強化SK海力士長期的國內生產網絡。韓國已將半導體自主化列為國家優先戰略，而龍仁半導體聚落是該戰略的核心組成部分。

龍仁Y2：HBM與DRAM產能擴建

SK海力士批准了35.2兆韓圓用於龍仁Y2廠，這是該大型半導體聚落中計畫興建的四座晶圓廠中的第二座。該投資是涵蓋龍仁600兆韓圓與清州100兆韓圓的更大規模計畫的一部分。

建設預計於2027年7月開工，首座Y2無塵室計畫於2029年6月投入運營。該設施佔地約113萬平方公尺，將大規模生產HBM及其他次世代DRAM產品。

龍仁Y1廠的建設持續推進，首座無塵室仍計畫於2027年2月啟用。SK海力士現已將全部四座龍仁晶圓廠的完工目標訂於2033年，較原定計畫提前了十二年。

Y1與Y2運營所需的電力及供水基礎設施在龍仁聚落基地的完工率已達約99%。公司計畫分階段安裝設備，將實際產能與客戶需求對接，以提升長期資本效率。

根據Omdia預測，DRAM與NAND需求到2030年將以每年19%的速度增長，為SK海力士的整體擴產策略提供支撐。

清州M17：NAND與企業級SSD產能

SK海力士同時批准了19.1兆韓圓用於清州M17廠，瞄準不斷增長的NAND與企業級SSD市場需求。公司選擇清州是因為其既有電力、供水及生產基礎設施預期能支援更快的建設時程。

該園區已有M11、M12與M15晶圓廠，使M17能直接與現有記憶體生產線對接。M17佔地約68萬平方公尺，建設計畫於2027年2月開工。SK海力士預期首座無塵室於2028年12月啟用，計畫投資將持續至2031年4月。

隨著AI服務對擴展工作負載與複雜推理系統所需的儲存容量要求日益增加，企業級SSD需求持續攀升。鍵值快取儲存技術可望進一步推動NAND需求，透過減少AI推理過程中的重複計算並支援更大規模的AI模型。

SKHY股價反應

SKHY股價下跌5.84%至135.15美元，從盤中早些時候接近144美元的水位大幅回落。此項投資使執行力、需求時點與資本效率成為SK海力士下一階段重大擴產計畫的核心焦點。後續值得關注的里程碑包括2027年2月Y1無塵室的啟用，以及來自三星與美光的競爭性產能公告——兩家公司均已提出各自延續至本十年末的HBM路線圖。