SanDisk 與 Kioxia 將在日本 NAND 記憶體廠投資逾 310 億美元
重點速覽
- •SanDisk 與 Kioxia 計劃在未來六年投資逾 310 億美元於日本 NAND 生產，約為其 25 年合作期間在日總支出的 60%。
- •計畫核心是在北上興建新廠 Fab3，估計成本約 113 億美元，預計 2029 財年或更晚開始營運。
- •兩家公司正尋求日本政府支持約三分之一的總投資額，且該計畫以此支持為先決條件。
- •此投資是受到資料中心對高密度快閃記憶體的 AI 相關需求激增所推動。
- •已延長至 2034 年 12 月的合資企業共同開發 Kioxia 的 BiCS Flash 3D NAND 技術，歷來全球 NAND 產量僅次於三星排名第二。
SanDisk 與 Kioxia 已承諾在未來六年投資超過 310 億美元於日本 NAND 快閃記憶體生產。這個數字約占兩家公司在其 25 年合作期間於日本總支出的 60%，卻壓縮在不到四分之一的時間內完成。
這項於 8 月 27 日宣布的投資總額約 5 兆日圓，將用於兩座現有廠區的基礎設施升級與技術改良：三重縣的四日市廠與岩手縣的北上廠。計畫的核心是在北上映射基地興建全新晶圓製造廠 Fab3。
Fab3 廠區
僅 Fab3 一座的估計造價就達 1.8 兆日圓，約 113 億美元，占整體投資方案的三分之一以上，預計於 2029 財年或更晚開始營運。
作為背景，Kioxia 與 SanDisk 的合資企業在過去 25 年間已在日本投資超過 500 億美元（約 9 兆日圓）。到 2032 年再增加 310 億美元，代表資本部署的大幅加速。
兩家公司明確將這項投資與 AI 工作負載帶動的高密度快閃記憶體需求激增連結在一起。AI 資料中心仰賴大容量儲存來處理訓練資料集、模型檢查點以及檢索密集的推論工作負載，因此整個 NAND 供應鏈都在擴充產能以為因應。
政府支持為先決條件
這項 310 億美元計畫以日本政府的支持為前提。在宣布當天，Kioxia 與 SanDisk 的執行長會見了日本首相高市早苗，討論政府出資的可能性。據報導，兩家公司正尋求公共資金支持約三分之一的整體投資額。
此一請求與日本近年更廣泛的產業政策一致，東京當局已補助多項國內重大半導體計畫，包括台積電在熊本的晶圓廠以及先進晶片企業 Rapidus。Kioxia 與 SanDisk 先前在北上的產能擴充也曾獲得政府支持。
合作夥伴關係的產出
Kioxia 與 SanDisk 是記憶體產業的老牌業者。兩者的合資企業已於 2026 年 1 月延長至 2034 年 12 月，是半導體產業中最持久的合作夥伴關係之一。雙方共同製造 Kioxia 的 3D NAND 技術 BiCS Flash，目前的第十世代即由兩家公司共同開發。
3D NAND 的原理是將記憶體單元垂直堆疊，而非平鋪於平面表面。每一世代增加更多層數，在不需等比增加實體空間的情況下提升儲存密度。
Kioxia 與威剛...
