Navitas Semiconductor 將於 9 月透過 GlobalFoundries 開始出貨首批美國製造的第 5 代 GaNFast 晶圓。這一里程碑使 Navitas 在資料中心、運算、工業系統與國防應用的國內功率半導體生產方面更進一步。NVTS 交易價格為 $11.14，下跌 3.93%，此前盤中出現急跌並部分回升。

Navitas Semiconductor Corp, NVTS

美國第 5 代 GaNFast 生產持續推進

Navitas 已為 GlobalFoundries 位於佛蒙特州 Burlington 的 200mm GaN-on-silicon 設施開發第五代 GaNFast 平台，以供量產。這項製造計畫擴大了先進氮化鎵功率元件在高效率電力系統中的國內產能，也為未來 GaNFast 世代提供美國本土生產來源。

兩家公司於 2025 年 11 月建立長期策略夥伴關係，以加速國內 GaN 的開發與製造。此後，Navitas 已將其元件設計與製程技術調整至 GlobalFoundries 的製造平台。這項合作結合了 Navitas 的功率半導體設計與 GlobalFoundries 既有的大規模量產能力。

首批產品系列將包括 650 伏特 GaN FET，並涵蓋多種不同導通電阻規格，以滿足不同功率需求。Navitas 預期初始產品線將提供 11、18、50、120 與 150 milliohms 的電阻選項。這個範圍鎖定需要在效率、切換性能、尺寸與熱控制之間取得不同平衡的電力系統。

9 月晶圓出貨啟動更廣泛的樣品時程

Navitas 預計首批第 5 代晶圓將於 9 月從佛蒙特州生產線出貨。內部樣品預計將於 10 月跟進，屆時公司將進入測試與認證工作。策略性客戶樣品則規劃在年底前提供，以支持在目標市場中的更廣泛評估。

9 月的出貨標誌著 Navitas 與 GlobalFoundries 製造夥伴關係下的第一個量產步驟。這也使 Navitas 最新的 GaNFast 架構首次進入國內商業晶圓代工廠。這一轉變讓公司從設計開發到美國本土晶圓生產的路徑更為清晰。

Navitas 將此平台設計用於資料中心電力、高效能運算、工業電氣化與國家安全系統。隨著先進運算與工業設備的用電需求上升，這些應用需要高效率電力轉換。GaN 元件可在高頻切換時降低能量損耗，並支援更小型的電力系統。

Navitas 持續深耕 GaN 與 SiC 技術

Navitas 自 2014 年以來一直開發氮化鎵功率產品，同時也營運碳化矽技術組合。公司在 GaN 與 SiC 技術方面擁有超過 300 項已核准與申請中的專利。其技術組合涵蓋元件結構、製程設計套件、整合式功率電路、控制功能、感測與保護功能。

第 5 代計畫將這項技術基礎延伸至一項為 200mm GaN-on-silicon 晶圓設計的製造流程。當製造良率與客戶需求達到商業目標時，更大的晶圓尺寸有助於提升產能規模。GlobalFoundries 的製造基礎設施也能在 Navitas 擴大客戶認證時支撐更高產量。

美國生產布局也讓 Navitas 在重視本土半導體採購的市場中增加另一個供應選項。這對需要可靠元件供應與可追溯製造的運算、工業與國防計畫尤為重要。因此，9 月的晶圓出貨在公司更廣泛的技術與供應鏈策略之外，也增添了一項生產里程碑。