美光科技（MU）股價在週五盤前交易中上漲約1.6%至895.50美元，從前一交易日記憶體類股的全面拋售中反彈。此次回升發生在競爭對手SK海力士宣布其董事會已批准54.3兆韓元（約381.5億美元）用於在韓國建設新晶片製造工廠之後。

週五的漲幅似乎主要由整體科技板塊情緒帶動，而非任何美光特定的消息。納斯達克期貨上漲0.43%，標普500期貨上漲0.18%，帶動大型科技股全面走高。

週四記憶體晶片拋售

盤前的反彈發生在艱難的週四交易日之後，當時記憶體類股因SanDisk和Western Digital的季度報告而走低。MU股價曾隨記憶體晶片板塊整體走弱，之後在週五早盤交易中回升。

SK海力士380億美元投資

SK海力士董事會批准了這筆用於在韓國建設新製造工廠的巨額資金。SK海力士是僅次於三星的全球第二大記憶體晶片製造商，同時也是高頻寬記憶體（HBM）的領先生產商——HBM是NVIDIA資料中心GPU等AI加速器不可或缺的堆疊式DRAM晶片。這項投資規模凸顯了主要製造商預期AI驅動的記憶體需求將持續遠超當前展望，這一訊號對美光所處的更廣泛DRAM和NAND定價環境具有重要意義。

然而，這一金額低於此前公布的計畫：今年6月，SK海力士與三星宣布將共同投入800兆韓元（約5,185.8億美元），在韓國西南部建設新的晶片製造中心。

SK海力士的美國存託憑證在美國盤前交易中下跌0.8%，其股價在韓國週五下跌4.9%。

供給時間點仍是關鍵因素

對記憶體晶片投資者而言，核心問題在於供給時間點。大型半導體工廠需要數年時間才能建成。美光自身在紐約的1,000億美元工廠於2022年宣布，預計到2030年才會開始投產。預計至少在未來一年內不會有重大的新記憶體製造產能上線，更多產能則計畫於2028年投入營運。

記憶體產業在歷史上具有週期性，過去的上行週期先後由PC和智慧型手機需求推動。目前的週期則由AI訓練和推論的資料中心建設驅動，在這些領域中，高頻寬記憶體和大容量DRAM享有溢價。由於美光及其韓國競爭對手的新工廠產能仍需數年才能到位，這一供給延遲持續支撐美光的看多論點，因為AI硬體需求不斷成長。

技術水位

美光股價略低於其20日均線893.35美元，較其50日均線971.96美元低約8.2%。相對強弱指標（RSI）為47.66，顯示動能中性。阻力位接近1,012美元，支撐位約在891.50美元。

儘管近期從6月高點回落，MU在過去12個月仍上漲約688%。整體趨勢仍偏多，50日均線維持在200日均線之上，MU較其200日均線531.67美元高出67.8%。

分析師預期

美光預計於9月22日左右公布季度財報。華爾街共識預期每股盈餘為31.24美元，高於去年同期的3.03美元；營收預期為507.2億美元，相比之下去年同期為113.1億美元。

該股維持共識買入評級，平均分析師目標價為1,548.86美元。近期分析師動作包括Cantor Fitzgerald於6月29日將目標價上調至2,000美元，KeyBanc於7月14日將預測上調至1,750美元。兩家機構均維持增持評級。

美光在Benzinga的動能排名中得分99.62，品質得分97.65。其價值得分36.97落後於其他指標，顯示該股相對同業存在溢價。

MU也是多檔半導體ETF的主要持股，包括富達破壞式創新科技ETF（權重9.33%）和景順PHLX半導體ETF（權重8.91%）。