新闻股票SK hynix批准54万亿韩元扩产HBM和NAND产能,股价下跌5.84%

SK hynix批准54万亿韩元扩产HBM和NAND产能,股价下跌5.84%

作者: Coincentral·

要点速览

  • SK hynix承诺向龙仁和清州的新晶圆厂投入约54万亿韩元,以应对不断增长的AI相关存储器需求。
  • 龙仁Y2晶圆厂将获得35.2万亿韩元投资,预计首间洁净室于2029年6月开放后开始HBM和下一代DRAM的生产。
  • 清州M17获批投资19.1万亿韩元,用于扩展NAND和企业级SSD产能,利用现有场地基础设施实现更快的建设进度。
  • SK hynix将龙仁集群的完工目标提前至2033年,比原计划提前十二年,Y1首间洁净室计划于2027年2月开放。
  • Omdia预测到2030年DRAM和NAND需求年均增长19%,为SK hynix大规模产能扩建提供了依据。
SK hynix批准54万亿韩元扩产HBM和NAND产能,股价下跌5.84%

SK hynix (SKHY) 股价下跌5.84%至135.15美元,此前这家韩国芯片制造商批准了一项重大的国内存储芯片产能扩建计划。公司承诺向位于龙仁和清州的新晶圆厂投入约54万亿韩元,旨在满足不断增长的AI相关存储器需求。SK hynix目前向NVIDIA及其他AI加速器制造商供应HBM3E,因此此次产能扩建对于维持其在三星电子和美光科技同样竞相扩张的市场中的领先地位至关重要。

这些项目将扩展高带宽存储器(HBM)、先进DRAM和NAND产能,同时强化SK hynix长期国内生产网络。韩国已将半导体自主化列为国家优先战略,龙仁集群是该战略的核心组成部分。

龙仁Y2:HBM和DRAM产能扩建

SK hynix为龙仁Y2批准了35.2万亿韩元投资,这是更广泛的半导体集群中四个规划晶圆厂的第二座。该投资是覆盖龙仁600万亿韩元和清州100万亿韩元的更大计划的一部分。

建设预计将于2027年7月开始,首间Y2洁净室计划于2029年6月投入运营。该设施占地约113万平方米,将大规模生产HBM及其他下一代DRAM产品。

龙仁Y1的建设持续推进,首间洁净室开放仍计划于2027年2月进行。SK hynix目前将四座龙仁晶圆厂的完工目标定在2033年,比原计划提前了十二年。

Y1和Y2运营所需的电力和供水基础设施在龙仁集群场地已完成约99%。公司计划分阶段安装设备,使实际产能与客户需求相匹配,以提高长期资本效率。

据Omdia预测,到2030年DRAM和NAND需求将实现19%的年均增长,为SK hynix更广泛的扩产战略提供了支撑。

清州M17:NAND和企业级SSD产能

SK hynix同时为清州M17批准了19.1万亿韩元投资,面向不断增长的NAND和企业级SSD市场需求。公司选择清州是因为其成熟的电力、供水和生产基础设施预计将支持更快的建设进度。

该园区已建有M11、M12和M15晶圆厂,使M17能够与现有存储器生产设施直接连接。M17占地约68万平方米,建设计划于2027年2月开始。SK hynix预计首间洁净室将于2028年12月开放,计划投资将持续至2031年4月。

随着AI服务需要更大的存储容量来应对不断增长的工作负载和复杂的推理系统,企业级SSD需求持续上升。键值缓存存储器可通过减少AI推理过程中的重复计算来进一步推动NAND需求,并支持更大规模的AI模型。

SKHY股价反应

SKHY股价下跌5.84%至135.15美元,较盘中早些时候接近144美元的水平大幅回落。此次投资将执行能力、需求时机和资本效率置于SK hynix下一轮重大扩张阶段的中心。值得关注的后续里程碑包括2027年2月Y1洁净室的开放,以及三星和美光的产能公告——两家公司均已制定了延续至本十年末的HBM路线图。