SanDisk 与 Kioxia 计划向日本 NAND 存储工厂投资超 310 亿美元
要点速览
- •SanDisk 与 Kioxia 计划在未来六年内向日本 NAND 生产投资超过 310 亿美元，约相当于其 25 年合作期间在日总投入的 60%。
- •计划核心是在北上新建 Fab3 工厂，预计造价约 113 亿美元，预计 2029 财年或更晚投入运营。
- •两家公司正寻求日本政府支持约占总投资三分之一的资金，该计划以政府支持为前提。
- •投资源于 AI 相关需求激增所带动的高密度闪存（用于数据中心）需求。
- •该合资企业（已延长至 2034 年 12 月）共同开发 Kioxia 的 BiCS Flash 3D NAND 技术，历来位居全球 NAND 产量第二，仅次于三星。
SanDisk 与 Kioxia 已承诺在未来六年内向日本 NAND 闪存生产投资超过 310 亿美元。这一数字约为两家公司在长达 25 年的合作期间在日本总投入的 60%，却压缩在不到四分之一的时间内完成。
该投资于 8 月 27 日宣布，总额约 5 万亿日元，将用于两座现有工厂的基础设施升级和技术改进：三重县的四日市工厂和岩手县的北上工厂。计划的核心是在北上厂区新建一座全新的晶圆制造厂 Fab3。
Fab3 工厂
仅 Fab3 一座的预计造价就达 1.8 万亿日元，约合 113 亿美元，占整个投资计划的三分之一以上，预计将于 2029 财年或更晚开始运营。
作为背景，Kioxia 与 SanDisk 的合资企业在过去 25 年间已在日本投资超过 500 亿美元（约 9 万亿日元）。到 2032 年再新增 310 亿美元，意味着资本投入的大幅加速。
两家公司明确将此次投资与 AI 工作负载驱动的高密度闪存需求激增联系起来。AI 数据中心依赖大容量存储来保存训练数据集、模型检查点以及检索密集型推理工作负载，整个行业的 NAND 供应商也一直在相应扩产。
政府支持作为前提条件
这 310 亿美元计划以日本政府的支持为前提。在宣布当天，Kioxia 与 SanDisk 的 CEO 会见了日本首相高市早苗，讨论可能的政府融资。据报道，两家公司正寻求公共资金支持约占总投资三分之一的份额。
这一请求与日本近年来更广泛的产业政策相一致——东京方面此前已对国内大型半导体项目提供补贴，包括台积电在熊本的工厂以及先进芯片企业 Rapidus。Kioxia 与 SanDisk 早前在北上的产能扩张也曾获得政府支持。
这对合作伙伴生产什么
Kioxia 与 SanDisk 是存储行业的老牌企业。双方于 2026 年 1 月将合资协议延长至 2034 年 12 月，这是半导体行业最持久的合作关系之一。双方共同生产 Kioxia 的 3D NAND 技术 BiCS Flash，当前的第十代产品由两家公司共同开发。
3D NAND 通过垂直堆叠存储单元而非将其平铺在一个平面上来工作。每一代增加更多层数，从而在不需要按比例增加物理空间的情况下提升存储密度。
Kioxia 与西部数据（Western Digital，SanDisk 在近期分拆前的母公司）历来是全球仅次于三星的第二大 NAND 生产商。NAND 行业周期性很强，过去的供应过剩曾导致价格大幅下跌和减产，因此这种规模的资本计划通常会分阶段实施，并以需求信号和政府支持为条件。
未来数月值得关注的是，日本政府是否会确认所请求的补贴及其条件，以及 Fab3 的建设将朝着 2029 财年或更晚的运营目标以何种速度推进。
