存储芯片股强势反弹

周五存储芯片股大幅反弹，美光、闪迪与SK海力士在连续数周下跌后均录得大涨。美光科技（MU）收涨6.1%，闪迪大涨11.9%，SK海力士上涨8.1%，西部数据也攀升约6%。Roundhill Memory ETF收涨6.6%，表明买盘覆盖整个板块。

此次上涨源于投资者在强劲AI硬件需求与供应紧张的双重推动下，重新回流存储与数据存储类股票。这一走势也符合该板块众所周知的繁荣-萧条周期：存储是一项类大宗商品业务，价格在供应过剩与短缺之间剧烈波动，因此当供需平衡趋紧时，投资者对这些股票的情绪历来会迅速转变。

AI支出持续推高存储需求

高带宽内存（HBM）与NAND存储供应仍然紧张。AI数据中心建设持续快速推进，令库存承压。HBM是一种堆叠式DRAM，设计用于与英伟达等公司的AI加速器协同工作，已成为AI供应链中争夺最激烈的组件之一，而NAND闪存则为同样的建设提供存储层。

在此轮上涨之前流传的市场评论反映了这种积聚的乐观情绪。正如一条广为流传的帖子所说：

The entire memory theme has spent the last 3 months coiling for this upcoming break. $MU , $SNDK , $DRAM , & $WDC are all setup extremely bullish. This upcoming move is going to be one that many will go back & say. “I wish I bought more”

Memory stocks are about to do it again… pic.twitter.com/UPFw1JsdLO

— Mike Investing (@MrMikeInvesting) September 4, 2026 (https://x.com/MrMikeInvesting/status/2095703864414458189?ref_src=twsrc%5Etfw)

据报道，美光最先进的存储产品线已售罄至2026年底，这赋予顶级供应商在今年剩余时间里的强大定价权。

戴尔950亿美元的AI服务器积压订单被引为直接证据，表明大型科技公司正在买下存储晶圆厂商能出货的每一片晶圆。

据《巴伦周刊》报道，第二季度全球DRAM营收环比增长57%，NAND营收激增70%。美光的DRAM市场份额升至24%，NAND份额升至15%。

瑞穗金融集团（Mizuho）将存储称为整个半导体供应链的“关键瓶颈”，并维持对美光的“跑赢大盘”评级。

英伟达披露了2790亿美元的供应与产能承诺，主要涉及存储和制造，凸显组件供应对AI基础设施仍然至关重要。

分析师上调目标价与预期

瑞银分析师Timothy Arcuri认为，关于AI芯片单颗所需存储减少的担忧可能过于简单化。如果英伟达出货更多加速器，即使每颗芯片搭载的存储减少，HBM总消耗量仍可能上升。

瑞银将其HBM平均售价同比增长预测从67%上调至79%，并指出随着服务器和存储需求走强，NAND状况也在改善。

Lynx Equity发布乐观报告，预测将出现多年期存储短缺，并给出美光1,325美元、闪迪2,450美元的目标价。

伯恩斯坦（Bernstein）维持对闪迪的“跑赢大盘”评级，目标价从6月底的1,700美元上调至3,000美元。该机构基于更强劲的NAND平均售价上调了其2027财年盈利预期。伯恩斯坦还强调了闪迪新的长期供应协议，其中包括更强的定价保护和客户前期承诺。

市场正在关注的一个风险是中国。第二季度长江存储（YMTC）的全球NAND份额达到14%，高于一年前的9%，而闪迪的份额从13%下滑至11%。这一份额变化之所以重要，是因为中国NAND厂商扩大产量最终可能对现有供应商的定价造成压力，而近年来西方政府已通过针对先进存储技术的出口管制来应对这一态势。

周五，一份强于预期的美国就业报告最初引发了利率担忧，但投资者很快消化了这一影响，并在较低估值下买入了此前超跌的成长股。

本文首 发于CoinCentral (https://coincentral.com/micron-sandisk-and-sk-hynix-just-had-their-best-day-in-weeks-and-here-is-why/)。