Navitas Semiconductor avvierà a settembre le spedizioni dei primi wafer Gen 5 GaNFast prodotti negli Stati Uniti
Punti chiave
- •Navitas inizierà a spedire a settembre i suoi primi wafer Gen 5 GaNFast prodotti negli Stati Uniti tramite GlobalFoundries.
- •I wafer vengono prodotti presso l’impianto GaN-on-silicon da 200 mm di GlobalFoundries a Burlington, Vermont.
- •La famiglia iniziale di prodotti includerà GaN FET da 650 volt con opzioni di resistenza di 11, 18, 50, 120 e 150 milliohm.
- •I campioni interni sono attesi per ottobre e i campioni per clienti strategici sono previsti entro fine anno.
- •Navitas afferma che la piattaforma è destinata a data center, high-performance computing, elettrificazione industriale e usi di sicurezza nazionale.

Navitas Semiconductor inizierà a spedire a settembre i suoi primi wafer Gen 5 GaNFast prodotti negli Stati Uniti tramite GlobalFoundries. Il traguardo porta Navitas ulteriormente nella produzione domestica di semiconduttori di potenza per data center, computing, sistemi industriali e applicazioni per la difesa. NVTS ha negoziato a $11.14, in calo del 3.93%, dopo un forte ribasso intraday e un recupero parziale.
Navitas Semiconductor Corp, NVTS
La produzione U.S. di Gen 5 GaNFast avanza
Navitas ha sviluppato la sua piattaforma GaNFast di quinta generazione per la produzione presso l’impianto GaN-on-silicon da 200 mm di GlobalFoundries a Burlington, Vermont. Il piano produttivo amplia la capacità domestica per dispositivi di potenza avanzati al nitruro di gallio utilizzati in sistemi elettrici ad alta efficienza. Inoltre, offre a Navitas una fonte di produzione basata negli Stati Uniti per le future generazioni GaNFast.
Le due società hanno formato una partnership strategica di lungo periodo nel novembre 2025 per accelerare lo sviluppo e la produzione domestica di GaN. Da allora, Navitas ha adattato i propri design dei dispositivi e la tecnologia di processo alla piattaforma produttiva di GlobalFoundries. La collaborazione combina i design di semiconduttori di potenza di Navitas con le consolidate capacità di produzione ad alto volume di GlobalFoundries.
La prima famiglia di prodotti includerà GaN FET da 650 volt con diverse specifiche di resistenza on per differenti esigenze di potenza. Navitas prevede opzioni di resistenza da 11, 18, 50, 120 e 150 milliohm nella linea iniziale. Questa gamma mira a sistemi di alimentazione che richiedono diversi equilibri tra efficienza, prestazioni di switching, dimensioni e controllo termico.
I wafer di settembre avviano un calendario di campionamento più ampio
Navitas si aspetta che i primi wafer Gen 5 escano dalla linea di produzione del Vermont nel corso di settembre. I campioni interni dovrebbero seguire a ottobre, mentre l’azienda prosegue le attività di test e qualificazione. I campioni per clienti strategici sono previsti prima della fine dell’anno, a supporto di una valutazione più ampia nei mercati target.
La spedizione di settembre segna il primo passo produttivo nell’ambito della partnership manifatturiera tra Navitas e GlobalFoundries. Porta inoltre la più recente architettura GaNFast di Navitas in una fonderia commerciale domestica per la prima volta. Questa transizione offre all’azienda un percorso più chiaro dallo sviluppo progettuale alla produzione di wafer con base negli Stati Uniti.
Navitas ha progettato la piattaforma per l’alimentazione di data center, high-performance computing, elettrificazione industriale e sistemi di sicurezza nazionale. Queste applicazioni richiedono una conversione efficiente dell’energia mentre la domanda elettrica aumenta in ambito di calcolo avanzato e apparecchiature industriali. I dispositivi GaN possono supportare sistemi di alimentazione più compatti riducendo le perdite di energia durante lo switching ad alta frequenza.
Navitas prosegue lo sviluppo di lungo periodo di GaN e SiC
Navitas sviluppa prodotti di potenza al nitruro di gallio dal 2014 e gestisce anche un portafoglio tecnologico al carburo di silicio. L’azienda detiene oltre 300 brevetti concessi e in corso di approvazione tra tecnologie GaN e SiC. Il portafoglio copre strutture dei dispositivi, process design kit, circuiti di potenza integrati, funzioni di controllo, sensing e funzioni di protezione.
Il programma Gen 5 estende questa base tecnica a un processo di produzione progettato per wafer GaN-on-silicon da 200 mm. Formati di wafer più grandi possono sostenere una maggiore scala produttiva quando i rendimenti di fabbricazione e la domanda dei clienti raggiungono obiettivi commerciali. GlobalFoundries aggiunge un’infrastruttura produttiva in grado di supportare volumi più elevati mentre Navitas amplia la qualificazione dei clienti.
L’impegno produttivo negli Stati Uniti offre inoltre a Navitas un’ulteriore opzione di approvvigionamento per i mercati che valorizzano la sourcing domestica dei semiconduttori. Questo aspetto è rilevante per programmi di computing, industriali e della difesa che richiedono disponibilità affidabile dei componenti e produzione tracciabile. La spedizione dei wafer di settembre aggiunge quindi un traguardo produttivo alla più ampia strategia tecnologica e di supply chain dell’azienda.