Navitas Semiconductor doit commencer à expédier en septembre ses premiers wafers Gen 5 GaNFast fabriqués aux États-Unis
Points clés
- •Navitas commencera à expédier en septembre ses premiers wafers Gen 5 GaNFast fabriqués aux États-Unis via GlobalFoundries.
- •Les wafers sont produits dans l’installation GaN-sur-silicium de 200 mm de GlobalFoundries à Burlington, Vermont.
- •La gamme initiale comprendra des GaN FET de 650 volts avec des options de résistance de 11, 18, 50, 120 et 150 milliohms.
- •Des échantillons internes sont attendus en octobre et des échantillons destinés aux clients stratégiques avant la fin de l’année.
- •Navitas indique que la plateforme vise les centres de données, le calcul haute performance, l’électrification industrielle et les usages de sécurité nationale.

Navitas Semiconductor commencera à expédier en septembre ses premiers wafers Gen 5 GaNFast fabriqués aux États-Unis via GlobalFoundries. Cette étape rapproche davantage Navitas de la production nationale de semi-conducteurs de puissance destinés aux centres de données, au calcul, aux systèmes industriels et aux applications de défense. NVTS s’échangeait à 11.14 $, en baisse de 3.93 %, après une forte chute intrajournalière suivie d’un rebond partiel.
Navitas Semiconductor Corp, NVTS
La production américaine de Gen 5 GaNFast progresse
Navitas a विकसितé sa plateforme GaNFast de cinquième génération pour une production dans l’installation GaN-sur-silicium de 200 mm de GlobalFoundries à Burlington, dans le Vermont. Le plan de fabrication accroît la capacité nationale pour les dispositifs de puissance avancés au nitrure de gallium utilisés dans les systèmes électriques à haut rendement. Il offre également à Navitas une source de production basée aux États-Unis pour les futures générations de GaNFast.
Les deux sociétés ont formé un partenariat stratégique à long terme en novembre 2025 afin d’accélérer le développement et la fabrication de GaN aux États-Unis. Depuis, Navitas a adapté ses conceptions de dispositifs et sa technologie de procédé à la plateforme de fabrication de GlobalFoundries. Cette collaboration associe les conceptions de semi-conducteurs de puissance de Navitas aux capacités éprouvées de production à grand volume de GlobalFoundries.
La première famille de produits comprendra des GaN FET de 650 volts avec plusieurs spécifications de résistance à l’état passant, afin de répondre à différents besoins de puissance. Navitas prévoit des options de résistance de 11, 18, 50, 120 et 150 milliohms dans la gamme initiale. Cet éventail vise des systèmes de puissance nécessitant différents équilibres entre rendement, performances de commutation, taille et contrôle thermique.
Les wafers de septembre ouvrent un calendrier d’échantillonnage plus large
Navitas prévoit que les premiers wafers Gen 5 quitteront la ligne de production du Vermont en septembre. Des échantillons internes devraient suivre en octobre, à mesure que la société avance dans les tests et la qualification. Des échantillons destinés à des clients stratégiques sont prévus avant la fin de l’année, afin de permettre une évaluation plus large sur les marchés ciblés.
L’expédition de septembre marque la première étape de production dans le cadre du partenariat de fabrication entre Navitas et GlobalFoundries. Elle introduit aussi pour la première fois la plus récente architecture GaNFast de Navitas dans une fonderie commerciale domestique. Cette transition offre à la société une voie plus claire entre le développement de conception et la production de wafers aux États-Unis.
Navitas a conçu la plateforme pour l’alimentation des centres de données, le calcul haute performance, l’électrification industrielle et les systèmes de sécurité nationale. Ces applications nécessitent une conversion d’énergie efficace à mesure que la demande en électricité augmente dans l’informatique avancée et les équipements industriels. Les dispositifs GaN peuvent permettre des systèmes d’alimentation plus compacts tout en réduisant les pertes d’énergie lors des commutations à haute fréquence.
Navitas s’appuie sur un développement de long terme du GaN et du SiC
Navitas développe des produits de puissance en nitrure de gallium depuis 2014 et exploite également un portefeuille technologique en carbure de silicium. La société détient plus de 300 brevets accordés et en attente sur les technologies GaN et SiC. Son portefeuille couvre les structures de dispositifs, les kits de conception de procédés, les circuits de puissance intégrés, les fonctions de contrôle, la détection et les fonctions de protection.
Le programme Gen 5 étend cette base technique à un procédé de fabrication conçu pour des wafers GaN-sur-silicium de 200 mm. Les formats de wafers plus grands peuvent soutenir une montée en échelle de la production lorsque les rendements de fabrication et la demande des clients atteignent des objectifs commerciaux. GlobalFoundries apporte une infrastructure de fabrication capable de soutenir des volumes plus élevés à mesure que Navitas élargit la qualification de ses clients.
L’effort de production aux États-Unis offre également à Navitas une autre option d’approvisionnement pour les marchés qui privilégient l’origine domestique des semi-conducteurs. Cet aspect compte pour les programmes informatiques, industriels et de défense qui exigent une disponibilité fiable des composants et une fabrication traçable. L’expédition de wafers en septembre ajoute donc une étape de production à la stratégie plus large de l’entreprise en matière de technologie et de chaîne d’approvisionnement.
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