Las acciones de SK hynix (SKHY) cayeron 5.84% a $135.15 después de que el fabricante surcoreano de chips aprobara una importante expansión de su capacidad de producción doméstica de memoria. La compañía comprometió aproximadamente 54 billones de won para nuevas instalaciones de fabricación en Yongin y Cheongju, con el objetivo de satisfacer la creciente demanda de memoria vinculada a la IA. SK hynix suministra actualmente HBM3E a NVIDIA y a otros fabricantes de aceleradores de IA, lo que convierte esta ampliación de capacidad en un elemento central para mantener su liderazgo en un mercado en el que Samsung Electronics y Micron Technology también compiten por expandirse.

Los proyectos ampliarán la capacidad de high bandwidth memory (HBM), DRAM avanzada y NAND, al tiempo que fortalecerán la red de producción doméstica de largo plazo de SK hynix. Corea del Sur ha designado la autosuficiencia en semiconductores como una prioridad nacional, y el clúster de Yongin constituye una pieza central de esa estrategia.

Yongin Y2: expansión de capacidad de HBM y DRAM

SK hynix aprobó 35.2 billones de won para Yongin Y2, la segunda de las cuatro fabs planificadas dentro del clúster de semiconductores más amplio. La inversión forma parte de un plan mayor que contempla 600 billones de won en Yongin y 100 billones de won en Cheongju.

Se espera que la construcción comience en julio de 2027, y que la primera cleanroom de Y2 inicie operaciones en junio de 2029. La instalación abarcará aproximadamente 1.13 millones de metros cuadrados y producirá HBM junto con otros productos de memoria DRAM de próxima generación a escala.

Mientras tanto, los trabajos en Yongin Y1 continúan hacia la apertura de su primera cleanroom, que sigue programada para febrero de 2027. SK hynix ahora apunta a completar las cuatro fabs de Yongin para 2033, doce años antes de su cronograma original.

La infraestructura de energía y agua necesaria para las operaciones de Y1 y Y2 ha alcanzado aproximadamente 99% de finalización en el sitio del clúster de Yongin. La empresa prevé una instalación escalonada de equipos, alineando la capacidad real de producción con la demanda de los clientes y mejorando la eficiencia de capital a largo plazo.

Según Omdia, se proyecta que la demanda de DRAM y NAND crezca 19% anual hasta 2030, lo que respalda la estrategia de expansión más amplia de SK hynix.

Cheongju M17: capacidad de NAND y enterprise SSD

SK hynix también aprobó 19.1 billones de won para Cheongju M17, orientado a la creciente demanda del mercado de NAND y enterprise SSD. La empresa eligió Cheongju porque su infraestructura ya establecida de energía, agua y producción debería respaldar un cronograma de construcción más rápido.

El campus ya alberga las fabs M11, M12 y M15, lo que permite que M17 se conecte directamente con las operaciones de producción de memoria existentes. M17 cubrirá aproximadamente 680,000 metros cuadrados, y la construcción está programada para comenzar en febrero de 2027. SK hynix espera que su primera cleanroom abra en diciembre de 2028, mientras que la inversión planificada continuará hasta abril de 2031.

La demanda de enterprise SSD sigue aumentando a medida que los servicios de IA requieren mayor capacidad de almacenamiento para cargas de trabajo en expansión y sistemas complejos de inferencia. El almacenamiento key-value cache podría impulsar aún más la demanda de NAND al reducir cálculos repetidos durante la inferencia de IA y respaldar modelos de IA más grandes.

Reacción de las acciones SKHY

Las acciones de SKHY cayeron 5.84% a $135.15, retrocediendo con fuerza desde niveles cercanos a $144 durante la sesión. La inversión sitúa la ejecución, el momento de la demanda y la eficiencia de capital en el centro de la próxima gran fase de expansión de SK hynix. Entre los hitos a seguir se encuentran la apertura de la cleanroom de Y1 en febrero de 2027 y los anuncios de capacidad de Samsung y Micron, ambos de los cuales han delineado sus propias hojas de ruta de HBM hasta finales de la década.

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