SanDisk und Kioxia investieren über 31 Milliarden US-Dollar in japanische NAND-Speicherwerke
Wichtige Erkenntnisse
- •SanDisk und Kioxia planen, in den nächsten sechs Jahren mehr als 31 Milliarden US-Dollar in die japanische NAND-Produktion zu investieren – rund 60 % ihrer Gesamtausgaben in Japan während der 25-jährigen Partnerschaft.
- •Herzstück ist das neue Fab3-Werk in Kitakami mit geschätzten Kosten von rund 11,3 Milliarden US-Dollar; der Betrieb soll im Geschäftsjahr 2029 oder später beginnen.
- •Die Unternehmen streben eine japanische Staatsunterstützung von etwa einem Drittel der Gesamtinvestition an; der Plan steht unter diesem Vorbehalt.
- •Die Investition wird durch die stark steigende KI-bedingte Nachfrage nach hochdichtem Flash-Speicher in Rechenzentren getrieben.
- •Das bis Dezember 2034 verlängerte Joint Venture entwickelt gemeinsam Kioxias BiCS-Flash-3D-NAND-Technologie und rangierte historisch auf Platz zwei der weltweiten NAND-Produktion hinter Samsung.
SanDisk und Kioxia haben sich verpflichtlich bereit erklärt, in den nächsten sechs Jahren mehr als 31 Milliarden US-Dollar in die japanische NAND-Flash-Speicherproduktion zu investieren. Dieser Betrag entspricht rund 60 % dessen, was die beiden Unternehmen während ihrer gesamten 25-jährigen Partnerschaft in Japan ausgegeben haben – komprimiert auf weniger als ein Viertel dieser Zeit.
Die am 27. August angekündigte Investition beläuft sich auf etwa 5 Billionen Yen und finanziert Infrastruktur-Upgrades und technische Verbesserungen an zwei bestehenden Standorten: Yokkaichi in der Präfektur Mie und Kitakami in der Präfektur Iwate. Herzstück des Plans ist ein völlig neues Fertigungswerk, Fab3, am Standort Kitakami.
Die Fab3-Fertigungsstätte
Allein Fab3 hat einen geschätzten Preis von 1,8 Billionen Yen, umgerechnet rund 11,3 Milliarden US-Dollar. Diese eine Anlage macht mehr als ein Drittel des Gesamtinvestitionspakets aus; der Betrieb soll im Geschäftsjahr 2029 oder später beginnen.
Zur Einordnung: Das Joint Venture aus Kioxia und SanDisk hat im vergangenen Vierteljahrhundert über 50 Milliarden US-Dollar (etwa 9 Billionen Yen) in Japan investiert. Weitere 31 Milliarden US-Dollar bis 2032 bedeuten eine deutliche Beschleunigung des Kapitaleinsatzes.
Die Unternehmen haben die Investition ausdrücklich mit der stark steigenden Nachfrage nach hochdichtem Flash-Speicher infolge von KI-Workloads begründet. KI-Rechenzentren sind auf hochkapazitären Speicher für Trainingsdatensätze, Modell-Checkpoints und abfrageintensive Inferenz-Workloads angewiesen, weshalb NAND-Hersteller branchenweit ihre Kapazitäten ausbauen.
Staatsunterstützung als Vorbedingung
Der 31-Milliarden-Dollar-Plan steht unter dem Vorbehalt der Unterstützung durch die japanische Regierung. Am Tag der Ankündigung trafen die CEOs von Kioxia und SanDisk die japanische Premierministerin Sanae Takaichi, um eine mögliche staatliche Finanzierung zu erörtern. Berichten zufolge streben die Unternehmen eine öffentliche Beteiligung in Höhe von etwa einem Drittel der Gesamtinvestition an.
Dieses Anliegen fügt sich in Japans breitere Industriepolitik der letzten Jahre ein, unter der Tokio große inländische Halbleiterprojekte bezuschusst hat, darunter TSMCs Fabs in Kumamoto und das Advanced-Chip-Joint-Venture Rapidus. Auch frühere Kapazitätserweiterungen von Kioxia und SanDisk in Kitakami erhielten staatliche Unterstützung.
Was die Partnerschaft hervorbringt
Kioxia und SanDisk sind etablierte Akteure der Speicherbranche. Ihr Joint Venture, das im Januar 2026 bis Dezember 2034 verlängert wurde, zählt zu den langlebigsten Partnerschaften der Halbleiterindustrie. Gemeinsam stellen sie BiCS Flash her, Kioxias 3D-NAND-Technologie. Die aktuelle, zehnte Generation wurde von beiden Unternehmen gemeinsam entwickelt.
3D NAND basiert auf der vertikalen Stapelung von Speicherzellen, anstatt sie auf einer flachen Oberfläche zu verteilen. Jede Generation fügt weitere Ebenen hinzu und erhöht so die Speicherdichte, ohne proportional mehr physischen Raum zu benötigen.
Kioxia und Western Digital (bis zur kürzlichen Abspaltung SanDisks Mutterkonzern) waren historisch die weltweit zweitgrößten NAND-Hersteller nach Samsung. Die NAND-Branche ist stark zyklisch, wobei frühere Phasen der Überangebots zu deutlichen Preisrückgängen und Produktionskürzungen führten – weshalb Kapitalpläne dieses Ausmaßes üblicherweise schrittweise umgesetzt und an Nachfragesignale sowie staatliche Unterstützung geknüpft werden.
In den kommenden Monaten bleibt abzuwarten, ob die japanische Regierung die beantragten Subventionen und zu welchen Konditionen bestätigt – ebenso wie das Tempo, mit dem der Bau von Fab3 dem Betriebsziel im Geschäftsjahr 2029 oder später zustrebt.
