NachrichtenAktienNavitas Semiconductor will im September mit dem Versand der ersten in den USA gefertigten Gen-5-GaNFast-Wafer beginnen

Navitas Semiconductor will im September mit dem Versand der ersten in den USA gefertigten Gen-5-GaNFast-Wafer beginnen

Autor: Blockonomi·

Wichtige Erkenntnisse

  • •Navitas wird im September mit dem Versand seiner ersten in den USA gefertigten Gen-5-GaNFast-Wafer über GlobalFoundries beginnen.
  • •Die Wafer werden in GlobalFoundries’ 200-mm-GaN-on-Silicon-Fertigung in Burlington, Vermont, hergestellt.
  • •Die erste Produktfamilie wird 650-Volt-GaN-FETs mit Widerstandsoptionen von 11, 18, 50, 120 und 150 Milliohm umfassen.
  • •Interne Muster werden im Oktober erwartet, strategische Kundemuster sollen vor Jahresende folgen.
  • •Navitas sagt, die Plattform sei für Rechenzentren, High-Performance Computing, industrielle Elektrifizierung und nationale Sicherheit ausgelegt.
Navitas Semiconductor will im September mit dem Versand der ersten in den USA gefertigten Gen-5-GaNFast-Wafer beginnen

Navitas Semiconductor wird im September damit beginnen, seine ersten in den USA gefertigten Gen-5-GaNFast-Wafer über GlobalFoundries zu versenden. Der Meilenstein bringt Navitas weiter in die heimische Produktion von Leistungshalbleitern für Rechenzentren, Computing, industrielle Systeme und Verteidigungsanwendungen. NVTS notierte bei $11.14 und damit 3.93% niedriger, nachdem der Kurs intraday deutlich gefallen war und sich teilweise erholt hatte.

Navitas Semiconductor Corp, NVTS

US-Produktion von Gen-5-GaNFast kommt voran

Navitas entwickelte seine GaNFast-Plattform der fünften Generation für die Produktion in GlobalFoundries’ 200-mm-GaN-on-Silicon-Fertigung in Burlington, Vermont. Der Fertigungsplan erweitert die inländische Kapazität für fortschrittliche Gallium-Nitrid-Leistungsbauelemente, die in hocheffizienten elektrischen Systemen eingesetzt werden. Zudem erhält Navitas damit eine in den USA ansässige Produktionsquelle für künftige GaNFast-Generationen.

Die Unternehmen schlossen im November 2025 eine langfristige strategische Partnerschaft, um die inländische Entwicklung und Fertigung von GaN zu beschleunigen. Seitdem hat Navitas seine Bauelementedesigns und Prozesstechnologie an die Fertigungsplattform von GlobalFoundries angepasst. Die Zusammenarbeit verbindet die Leistungshalbleiter-Entwürfe von Navitas mit den etablierten Hochvolumen-Fertigungskapazitäten von GlobalFoundries.

Die erste Produktfamilie wird 650-Volt-GaN-FETs in mehreren Spezifikationen des Einschaltwiderstands für unterschiedliche Leistungsanforderungen umfassen. Navitas rechnet in der Anfangsserie mit Widerstandswerten von 11, 18, 50, 120 und 150 Milliohm. Diese Bandbreite zielt auf Leistungssysteme ab, die unterschiedliche Abwägungen zwischen Effizienz, Schaltverhalten, Größe und thermischer Kontrolle erfordern.

September-Wafer starten breiteren Sampling-Zeitplan

Navitas erwartet, dass die ersten Gen-5-Wafer im September die Produktionslinie in Vermont verlassen. Interne Muster sollen im Oktober folgen, während das Unternehmen Test- und Qualifizierungsarbeiten durchläuft. Strategische Kundemuster sind vor Jahresende geplant und sollen eine breitere Bewertung in den Zielmärkten unterstützen.

Die September-Auslieferung markiert den ersten Produktionsschritt im Rahmen der Fertigungspartnerschaft von Navitas und GlobalFoundries. Sie bringt zudem die neueste GaNFast-Architektur von Navitas erstmals in eine inländische kommerzielle Foundry. Dieser Übergang verschafft dem Unternehmen einen klareren Weg von der Entwicklungsphase hin zur Wafer-Produktion in den USA.

Navitas hat die Plattform für Rechenzentrumsversorgung, High-Performance Computing, industrielle Elektrifizierung und nationale Sicherheitssysteme ausgelegt. Diese Anwendungen benötigen eine effiziente Leistungsumwandlung, da der Strombedarf in fortschrittlichen Computersystemen und Industrieanlagen steigt. GaN-Bauelemente können kleinere Leistungssysteme ermöglichen und gleichzeitig die Energieverluste bei Hochfrequenzschaltungen reduzieren.

Navitas baut auf langjähriger GaN- und SiC-Entwicklung auf

Navitas entwickelt seit 2014 Gallium-Nitrid-Leistungsprodukte und verfügt außerdem über ein Siliziumkarbid-Technologieportfolio. Das Unternehmen hält mehr als 300 erteilte und angemeldete Patente in den Bereichen GaN- und SiC-Technologien. Das Portfolio umfasst Bauelementestrukturen, Prozess-Design-Kits, integrierte Leistungsschaltungen, Steuerungsfunktionen, Sensorik und Schutzfunktionen.

Das Gen-5-Programm erweitert diese technische Basis auf einen Fertigungsprozess für 200-mm-GaN-on-Silicon-Wafer. Größere Waferformate können bei ausreichenden Fertigungserträgen und Kundennachfrage eine höhere Produktionsskalierung unterstützen. GlobalFoundries bringt eine Fertigungsinfrastruktur ein, die höhere Volumina unterstützen kann, während Navitas die Kundenqualifizierung ausweitet.

Die US-Produktion verschafft Navitas zudem eine weitere Versorgungsoption für Märkte, die Wert auf eine heimische Halbleiterbeschaffung legen. Das ist relevant für Computing-, Industrie- und Verteidigungsprogramme, die auf verlässliche Verfügbarkeit von Komponenten und nachvollziehbare Fertigung angewiesen sind. Die Auslieferung der September-Wafer ist damit neben der breiteren Technologie- und Lieferkettenstrategie des Unternehmens ein weiterer Produktionsmeilenstein.