SK海力士（SK hynix）週四正式啟動其位於印第安納州的先進晶片封裝計畫，該設施將生產首個在美國製造的高頻寬記憶體（HBM）。

動土典禮於印第安納州西拉法葉的普渡大學舉行，距離該公司於2024年4月宣布這項投資已超過兩年。該廠預計於2028年10月完成無塵室，並於2029年第三季開始量產。

該設施投入營運後，將把在韓國生產的DRAM晶片堆疊並封裝為HBM，此種高效能記憶體係與輝達（Nvidia）的AI加速器等處理器搭配使用。先進封裝長期被視為晶片製造中利潤率較低的後段製程，如今已成為AI硬體供應鏈的關鍵環節，因為加速器需求已使全球記憶體晶片堆疊與互連產能趨於緊繃。SK海力士在全球HBM市場居於領先地位，超越三星電子與美光（Micron），後兩者是全球僅有的其他主要HBM生產商。SK海力士執行長郭魯正表示，該廠將具備每年處理數十萬片DRAM晶圓的產能。

「我們將在印第安納這裡建立美國首座HBM先進封裝設施，」郭魯正表示。「我們將為客戶提供『美國製造HBM』的新貨源，同時強化美國半導體供應鏈，並為國家安全與經濟安全做出貢獻。」

郭魯正並補充，公司將與客戶、大學及事業夥伴合作開發下一代封裝技術，加速原型開發與效能驗證。

SK Inc.副會長兼SK Americas執行長俞禎俊感謝夥伴對印第安納計畫的支持，並強調SK集團在半導體、能源與先進科技領域於美國的更廣泛投資布局。

「SK已在半導體、能源與先進科技領域建立堅實布局，」俞禎俊表示。「我們在美國的投資與資產預計到2030年將超過450億美元。我們相信這些能力將能整合起來，協助打造並驅動美國下一世代的AI基礎設施。」

SK海力士另與普渡大學簽署合作備忘錄，擴大在下一代HBM研究與測試方面的合作，並借助該校的工程人才。該廠正興建於西拉法葉普渡大學所有的土地上。

此次動土之際，川普政府正推動晶片製造商擴大在美國本土的生產。美國商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）上月在標記美光科技（Micron Technology）規劃於紐約興建的超大型晶圓廠建設進度的活動上，呼籲擴大國內記憶體晶片製造。

這家記憶體晶片製造商總計計畫對印第安納廠投資超過40億美元。依據《晶片與科學法案》，美國政府同意提供最高4.58億美元的直接補助金及5億美元貸款。該計畫也與美國重建先進封裝的更廣泛政策推力相契合；此一半導體供應鏈環節目前仍高度集中於東亞，而《晶片法案》已為專責的國家先進封裝製造計畫編列約30億美元。

負責監管《晶片法案》計畫的美國商務部半導體投資與創新執行董事比爾·弗勞恩霍夫（Bill Frauenhofer）表示，印第安納計畫將強化美國在先進半導體封裝與研究方面的能力。

「這項計畫與研發中心不僅代表將尖端能力引進美國的重要契機，也有助於開發將定義未來走向的創新技術，」弗勞恩霍夫表示。「SK海力士在印第安納州建立這些能力，正協助強化美國在全球半導體供應鏈關鍵時刻的地位。」

印第安納廠將結合先進HBM封裝與未來世代記憶體技術的研發。SK海力士目前正生產其第六代HBM產品HBM4，該產品將用於輝達的Vera Rubin AI平台，同時並開發其後繼產品HBM4E。隨著AI資料中心的建設，HBM需求已急遽攀升，使其成為記憶體產業中成長最快的產品區塊。

工程已於4月展開，較週四的正式典禮提前數月。在約54萬平方公尺的基地上，結構框架與樑柱已逐漸成形。

該設施全面營運後，預計約有1,000人在此工作。SK海力士也正在評估超過100家材料、零組件與設備的潛在供應商，整體計畫預計將在建設、營運及當地供應鏈方面創造約7,000個直接與間接工作機會。

SK集團亦參與一項針對曾派駐韓國之美軍退役人員的招募計畫，透過大韓商工會議所與韓美同盟基金會營運的平台提供職涯機會。此一合作也凸顯印第安納州與韓國的淵源，約有14萬名來自該州的官兵曾參與韓戰。

韓國駐美大使康京和、印第安納州州長麥克·布勞恩（Mike Braun）及印第安納州共和黨聯邦參議員陶德·楊（Todd Young）均出席週四的典禮，與郭魯正及其他公司高層同場。SK集團會長崔泰源與輝達執行長黃仁勳並未出席，兩人是否與會在活動前曾受到關注。

來源：Korea Herald Business