據報導，AI資料中心高頻寬記憶體晶片的主導供應商SK海力士，正與英特爾晶圓代工（Intel Foundry）洽談，由後者為其下一代HBM4E記憶體堆疊生產基礎晶圓。此舉將代表半導體供應鏈的重大轉變，使英特爾成為台積電在AI硬體最關鍵零組件之一上的直接替代選項。

根據韓國媒體《The Herald Business》的報導，SK海力士已不再放心僅依賴單一供應商來供應作為其HBM堆疊基礎的邏輯晶圓。

基礎晶圓為何重要

高頻寬記憶體的運作方式，是將多個DRAM晶圓垂直堆疊在基礎晶圓之上，後者充當記憶體與處理器之間的控制器與介面。針對HBM4，SK海力士自2026年起開始將基礎晶圓生產外包給台積電。這些基礎晶圓成本高昂，據報導價格為SK海力士核心DRAM晶圓的3至4倍，這意味著此一零組件的任何成本降低都將直接反映在獲利上。

這正是英特爾切入的機會。英特爾的EMIB（嵌入式多晶片互連橋接）技術正被評估作為台積電CoWoS先進封裝的替代方案。早期評估顯示，在某些應用情境下，EMIB相較CoWoS可降低約50%的封裝成本，這也解釋了為何先進封裝產能與取得管道已成為AI晶片供應鏈的核心議題。

英特爾代工雄心的一線生機

據報導，EMIB與SK海力士HBM設計整合的測試階段自2026年初便已展開。討論已從技術評估推進至供應鏈規劃，顯示結果已足以令人振奮，足以推動合作談判向前邁進。

對英特爾而言，在HBM4E基礎晶圓生產中扮演潛在角色，將在該公司試圖將代工業務拓展至自家晶片藍圖之外之際，再添一項潛在客戶關係。對SK海力士而言，擴大供應商基礎可降低對單一代工廠的依賴，而此一零組件正是AI記憶體效能與封裝複雜度的核心。

更大的格局：40億美元的美國製造豪賭

這項潛在的英特爾合作，與SK海力士大力投資供應鏈韌性的更廣泛模式相契合。該公司已在印第安納州西拉法葉動工興建先進封裝廠，投資金額超過40億美元。該廠目標在2029年下半年實現下一代HBM的量產。

競爭壓力也是因素之一。三星作為SK海力士在記憶體市場的主要對手，一直專門為HBM4基礎晶圓開發自有4奈米代工製程。在此背景下，轉向多元製造選項反映出整個產業的現況：封裝、基礎晶圓來源與代工夥伴關係，正與AI硬體部署的步伐日益緊密交織。