SK海力士已批准一項總額54.3兆韓元（約383億美元）的大型投資計畫，將持續至2031年，以大幅擴充其半導體產能，使公司能夠應對由人工智慧應用所推動的全球需求激增。

獲批資金將用於在韓國龍仁市建設新的DRAM製造設施，以及在清州市擴充NAND快閃記憶體產能。這兩座城市已是SK海力士半導體晶圓製造營運的重要樞紐。龍仁園區是韓國政府支持、在京畿道地區打造全球最大半導體超大型聚落計畫的一部分，該區域亦設有三星電子的工廠。

SK海力士總部位於韓國利川市，是全球第二大記憶體晶片製造商，僅次於三星電子，同時也是全球領先的DRAM和NAND快閃記憶體產品供應商。該公司已成為AI供應鏈的關鍵供應商，尤其在高頻寬記憶體（HBM）晶片領域占据主導地位。HBM晶片是輝達等公司生產的AI加速器和資料中心GPU中不可或缺的零組件。SK海力士率先量產最新一代HBM3E晶片，並被廣泛報導為輝達H100和H200 AI GPU的主要HBM供應商，使其在記憶體市場增長最快的領域擁有先發優勢。競爭對手三星電子和美光科技也在積極擴充各自的HBM產能，以爭奪同一市場的份額。

該投資計畫凸顯了半導體產業的更廣泛趨勢：主要製造商正投入大量資金擴充產能，以應對AI技術在企業和消費市場快速普及所帶來的需求。記憶體晶片，尤其是高效能DRAM和HBM，因AI模型需要更強大的資料處理和儲存能力，需求正持續攀升。此次擴產正值全球半導體供應鏈持續受到地緣政治關注之際，美國、韓國、日本和歐盟均在推動國內晶片生產獎勵措施，同時對中國的先進半導體技術出口管制持續重塑競爭格局。

除了產能擴充之外，SK海力士宣布計畫實施額外的股東回報措施。公司表示，相關回報的具體細節將於第三季公布。

來源：經濟時報市場版