據路透社報導，三星電子與SK海力士計劃升級其在中國的製造工廠，以生產更先進的NAND快閃記憶體，原因是與本土競爭對手長江存儲（YMTC）的競爭日趨激烈，加上AI資料中心需求不斷成長。

NAND快閃記憶體是一種用於智慧型手機、個人電腦和資料中心的非揮發性儲存技術，各家製造商透過垂直堆疊記憶體單元來競爭——層數越多，每片晶圓上的儲存密度就越高。

西安「Monami」改建計畫內幕

三星目標是在2027年前將其位於中國西北部的西安廠升級至286層V9 NAND。該專案內部代號為「Monami」，在法文中意為「我的朋友」。

據路透社引述知情人士的說法，產能預計將逐步爬坡，於2026年12月達到每月5,000片晶圓，並於2027年12月達到每月40,000片晶圓。

西安廠目前生產約200層的NAND晶片，約占三星全球NAND產能的40%。三星表示，此次升級符合美國出口管制規定，將在不擴充產能或新建廠房的情況下，支援包括美國在內的全球客戶。

SK海力士推動大連廠突破192層

SK海力士正在升級其位於中國的大連廠，力圖將該廠推進至192層以上的NAND，產能目標為240層或更高。

該廠於2021年透過收購英特爾NAND業務（現以Solidigm品牌營運）納入SK海力士旗下。Solidigm目前正在準備赴美國IPO，而大連廠仍是其唯一的NAND製造據點。

據TrendForce估計，中國約占三星NAND產能的30%至35%、占SK海力士的40%至45%。因此，維持中國廠房在最新技術上的競爭力，對兩家晶片製造商而言至關重要。

YMTC是關鍵原因

據AI Weekly引用的數據，2026年第二季，YMTC鞏固了其在中國NAND快閃記憶體市場的地位，以38.5%的市占超越持有33.5%的三星；SK海力士以17%排名第三。

最新數據顯示YMTC持續成長，其在2025年全年約占市場的28%。

YMTC也在推進其晶片技術。據路透社報導，儘管其產品陣容仍以160層和232層NAND晶片為主，該公司已開始小量生產294層晶片，並考慮突破300層。

三星與SK海力士在最新NAND技術上仍處於領先地位：三星在全球生產286層晶片，SK海力士已開始量產321層NAND。不過，兩家公司在中國的廠房在這些技術進展上仍然落後。

美國許可證問題

美國出口管制仍是三星與SK海力士面臨的障礙，兩家公司每年都需取得許可證，才能在中國廠房安裝美製設備。2025年，華盛頓曾表明不太可能批准這些工廠的技術升級或產能擴充。

據AI Weekly報導，此一立場此後已有所軟化，兩家公司均已取得2026年度許可證，取代先前用於維持中國廠房運作的豁免措施。不過，路透社表示無法確認升級所需設備中已有多少獲得批准。由於這些許可證每年都須重新申請，華盛頓未來的核准與否，將成為兩家公司2026年和2027年產能爬坡時程上的持續性關卡。