三星正將其位於南韓平澤的半導體製造園區，擴建成為全球最具規模的記憶體生產基地之一。這波擴建正值人工智慧熱潮帶動GPU需求，進而推升GPU所依賴的記憶體晶片需求。園區內三座晶圓廠已全天候運作，第四座即將上線，第五座在經歷景氣慘淡的一年後恢復興建。

一座不眠的園區

平澤園區位於京畿道，自2017年首座晶圓廠P1投產以來穩定擴張。園區目前運作中的晶圓廠有三座，而接下來的兩座正是三星企圖心最明顯的所在。

記憶體晶片大致可分為兩大類，而AI建設熱潮正同時對兩者構成壓力：DRAM提供處理器所需的高速工作記憶體，NAND則負責長期資料儲存。這樣的分工正影響三星部署生產線的方式。

在P4廠，三星正將一條NAND生產線轉換為專用DRAM生產線。P4 DRAM產線目標在2027年第一季達到每月10萬至12萬片晶圓的產能，並將採用三星最新一代DRAM製程技術——1c製程。

曾停工、後復工的晶圓廠

P5是整個故事最具指標意義的一環。第五座晶圓廠於2024年因記憶體晶片需求下滑而停工。隨後AI熱潮使需求飆升，工程隨之重啟。P5園區的興建此後加速，第二條產線的動工比原定時程提前了六個月。

這種停工又復工的模式反映出記憶體製造業的週期性：供應商在景氣低迷時縮減規模，需求回溫時則競相擴充產能。由於晶圓廠需時數年才能建成，今日的決策將深遠影響未來的供給。

每座P5晶圓廠的投資金額超過60兆韓元。晶圓廠採三層樓無塵室設計以極大化產出，產能目標高達每月數十萬片晶圓。

調整生產組合

三星不僅在新增產能，也在重新規劃現有產線。該公司正於平澤與華城兩處廠區，將部分NAND產能轉撥至DRAM。此舉的動因是伺服器DRAM供應短缺，尤其是DDR5——支撐AI與雲端服務的資料中心伺服器所採用的現行世代記憶體標準。伺服器DDR5價格溢價已達70%。

財務表現也這項轉變。三星2026年第三季營業利益突破100兆韓元，創下單季紀錄，主要受HBM（高頻寬記憶體）與DRAM銷售帶動。HBM是一種高階DRAM，專為在AI加速器旁以極高速度傳輸資料而設計。

平澤之外

三星同時支持一項360兆韓元的龍仁園區投資計畫，將興建六座新晶圓廠。首座晶圓廠預計於2029年落成——這一時程也顯示尖端記憶體產能從規劃到建成所需的時間。

後續觀察重點

產能重新分配在NAND方面可能產生連鎖效應：產線向DRAM傾斜，可能使儲存型記憶體供給在邊際上趨緊。

關鍵里程碑如今已排上時程表，包括：P4能否在2027年第一季達成每月10萬至12萬片晶圓的目標、隨著新供給到位伺服器DDR5溢價能否維持，以及龍仁首座晶圓廠能否如期於2029年推進。

來源：CryptoBriefing