三星發表包含 zHBM、zNAND-O 與 V10 BV-NAND 的 3D AI 記憶體路線圖
重點速覽
- •三星推出 zHBM 概念，將高頻寬記憶體堆疊在 AI 加速器上方，以縮短資料路徑並提升效能、密度與能源效率。
- •三星預覽 zNAND-O，一款基於 V-NAND 的解決方案，旨在為即時邊緣 AI 工作負載提供低延遲且高空間效率的儲存。
- •公司宣布 V10 BV-NAND，稱其為首款 Bonding V-NAND 架構，擁有超過 400 層，且密度高於前一代 V9。
- •三星表示已於 2 月量產 HBM4、於 5 月開始出貨 HBM4E 樣品，並在 FMS 2026 展出 HBM5 模型。
- •三星也展示 LPDDR5X-PIM 以及企業級儲存產品 PM1763 和 BM1773，作為其面向 AI 半導體客戶的一站式策略一部分。
三星電子在美國加州聖克拉拉舉行的 Future of Memory and Storage（FMS）2026 會議上，發表了次世代 AI 記憶體產品組合，並提出一項技術路線圖，旨在因應高效能運算與人工智慧基礎設施快速成長的需求。
公司在一個以 AI 雲端伺服器為靈感打造的攤位上展示了約 30 項記憶體與儲存技術。三星 Flash Product & Technology 執行副總裁兼負責人 Jin-Yub Lee，以及 DRAM Design Team 副總裁 Kyungryun Kim，發表了開場主題演講，題為「Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture」。
垂直架構旨在重塑記憶體與處理器整合
三星路線圖的核心，是兩個從根本上改變記憶體與處理器連接方式的概念模型。公司推出 zHBM，將高頻寬記憶體垂直堆疊在 AI 加速器上方，而非放置在晶片旁。三星表示，這種做法可縮短資料傳輸路徑，提供約為 HBM5 八倍的效能、超過十倍的記憶體密度，以及三倍的能源效率，同時將熱阻降低超過一半。
該架構也支援層與層之間的客製化智慧財產整合，讓特定加速器可採用量身打造的配置。除了 zHBM 之外，三星還預覽了 zNAND-O，這是一款基於 V-NAND 的解決方案，提供四層與八層版本，兼具高空間效率與低延遲，適用於即時邊緣 AI 工作負載。
三星推出 V10 BV-NAND 並說明生產路線圖
三星也宣布 V10 BV-NAND，並稱其為業界首款透過新晶圓鍵合技術實現的 Bonding V-NAND 架構。該裝置擁有超過 400 層，相較前一代 V9，記憶體密度約提升 58%，同時改善讀取、寫入與 I/O 效能。三星表示，這項里程碑距離其推出業界首款 V-NAND 已過去 13 年。
除了概念硬體之外，三星也說明了近期的量產計畫。在 2 月實現業界首度 HBM4 大規模量產之後，公司於 5 月開始出貨 HBM4E 樣品，並在 FMS 2026 展出其 HBM5 模型。三星還展示了 LPDDR5X-PIM，並稱其為業界首款具備 in-memory processing 技術的低功耗 DDR 記憶體。該系統在記憶體陣列內部執行運算，以減少資料移動與功耗，隨著 AI 系統對記憶體頻寬與效率提出更高要求，這種設計方式的重要性也日益提升。
在資料中心基礎設施方面，三星展示了 PM1763 與 BM1773 企業級儲存解決方案。公司表示，身為唯一在記憶體、晶圓代工與先進封裝領域都具備領先能力的整合元件製造商，三星正在推動端到端的一站式策略，結合設計與製造服務，以縮短開發週期並提升 AI 半導體客戶的效能。
