Navitas Semiconductor Corporation（NVTS）股價週二交易價格為11.88美元，上漲0.15美元，此前該公司獲得美國陸軍獎助，開發先進碳化矽功率元件。該合約資助一項以國防與基礎設施系統用10 kV功率元件為核心的原型計畫，並擴大 Navitas 在超高壓功率技術與本土半導體製造方面的角色。此獎助也將該公司的碳化矽晶片技術推向比其目前所售任何產品更高的電壓等級。

ALATTIS原型計畫下的美國陸軍獎助

Navitas 在 ALATTIS 原型專案下獲得陸軍獎助，該專案目標是建立製造先進碳化矽元件的本土製程。計畫聚焦於適用嚴苛功率應用的10 kV絕緣閘雙極電晶體及相關PiN二極體。此項工作由陸軍研究實驗室贊助，屬於強化關鍵國防與基礎設施系統高功率電子技術的努力之一。碳化矽的寬能隙材料特性使功率元件能在比傳統矽更高的電壓與溫度下運作，這也是該材料在高功率國防與基礎設施電子領域扮演要角的原因。

在此專案下，Navitas 將運用其專利溝槽輔助平面架構，搭配先進二極體技術。工程師將透過反覆的設計、製造與測試循環，驗證新元件的製造製程。此方法旨在證明性能、可靠性與生產就緒度，之後才會在軍事或基礎設施應用中廣泛部署。

Navitas 表示，陸軍是透過基於技術、可靠性與本土供應鏈能力的競爭程序遴選該公司。此專案亦支持美國為策略性重要元件擴建更多半導體製造產能的努力。此獎助為 Navitas 提供了進入電壓、效率與可靠性仍為關鍵要求之應用領的另一條途徑。

ALATTIS專案將GeneSiC延伸至現有MOSFET之外

ALATTIS 計畫將推動 Navitas 超越其現有碳化矽 MOSFET 產品組合，進入不同的元件類別。與 MOSFET 不同，絕緣閘雙極電晶體結合了閘極控制輸入與雙極傳導層，這種結構長期用於極高功率轉換。此類元件可在特殊電氣系統中支援極高電壓與大功率負載。成功的開發可望擴大該公司在國防、電網與工業功率市場的可觸及技術範圍。

Navitas 目前透過其 GeneSiC 碳化矽產品組合銷售產品，電壓等級涵蓋650 V至6.5 kV。該公司於2021年為高壓應用商業化發布其6.5 kV碳化矽 MOSFET 技術。此前的成果為規劃中的10 kV碳化矽電晶體開發提供技術基礎，該電壓等級約比產品組合目前的商業上限高出50%。

新元件還將結合 Navitas 既有材料專長與為更高電壓性能及長期可靠性而設計的製造技術。PiN二極體將構成該平台的另一部分，並在嚴苛運作條件下支援功率轉換。這些技術可協助 Navitas 在目前商用碳化矽產品之外，建立更廣泛的超高壓產品線。

國防布局擴大 NVTS股價上揚

NVTS 週二上漲0.15美元至11.88美元，陸軍獎助為這家持續擴張的半導體業務增添另一項催化劑。該股週一收於11.73美元，前一交易日下跌3.85%。週二的漲幅收復了部分跌幅，而整體市場則受到長期公債殖利率上升的壓力。

陸軍專案也為這家日益聚焦高功率市場與基礎設施應用的公司增加了國防布局。Navitas 在擴展碳化矽業務的同時，也持續開發氮化鎵與高壓功率系統。這些技術瞄準資料中心、能源基礎設施、電動載具、工業系統及其他功率密集設備。

陸軍公告並未包含獎助的金額或商業化生產時程。該專案目前仍聚焦於原型開發與製程驗證，之後才可能進入更廣泛的製造階段。有關資金規模、開發里程碑或量產路徑的更清晰資訊，將取決於 Navitas 或陸軍未來的披露。儘管如此，此次遴選仍擴大了 Navitas 在超高壓碳化矽技術與美國本土半體開發方面的工作。