在中國領先的本土DRAM製造商長鑫儲存科技（CXMT）宣布已開始以新一代DRAM技術進行量產後，美光科技（MU）與SK海力士在傳統記憶體市場面臨新的競爭壓力。

CXMT在中國合肥舉行的世界製造業大會上宣布了這項進展。據該公司表示，其第五代平台每片晶圓可產出至少多50%的合格晶粒，這項改變可望提升產量並降低傳統DRAM市場部分領域的製造成本。DRAM（動態隨機存取記憶體）是個人電腦、伺服器與智慧型手機所使用的標準工作記憶體。由於DRAM基本上是一種標準化商品，此類晶圓層級的產出提升會直接轉化為更低的單顆晶片成本，而這項指標長期以來一直決定著記憶體供應商之間的競爭格局。

更緊密的記憶體結構

CXMT表示，該公司透過名為四重曝光（quadruple patterning）的製程，將關鍵記憶體結構的間距縮小至11.95奈米。四重曝光透過多次微影曝光步驟建立更精細的電路圖形，得以在既有的深紫外製造設備上實現更窄的記憶體單元間距。副總經理羅小東表示，該公司的製程能力現已可與已進入量產的先進技術相比擬。

伴隨平台升級，CXMT也推出兩款基於新技術打造的24Gb LPDDR5X記憶體產品。這些晶片主要面向智慧型手機與其他可攜式電子產品，而LPDDR5X是專為行動裝置設計的低功耗記憶體標準，廣泛應用於當前旗艦手機。該公司表示，這些產品的資料儲存量比先前的同類晶片多50%，同時改善功耗效率，兩款均已進入量產。

全球DRAM市占率

此舉出台之際，CXMT持續擴大其在全球記憶體市場的地位。Benzinga報導中引用的TrendForce數據顯示，CXMT在2026年第二季佔全球DRAM營收的9.5%。三星仍為最大供應商，市占39.4%，其次是SK海力士的24.9%與美光的23.3%，意味著三大業者該季仍掌控約87.6%的全球DRAM營收。這些數字突顯了CXMT在長期由三星、SK海力士與美光主導的市場中穩步增長。

高階記憶體重疊有限

CXMT最新產品主要聚焦行動與傳統DRAM，而非人工智慧系統所使用的最高階記憶體。美光與SK海力士已將更多產能導向高頻寬記憶體（HBM）與高容量伺服器記憶體。HBM在資料中心中與先進AI處理器搭配使用，來自AI伺服器的強勁需求促使主要記憶體製造商優先發展這些產品。

這降低了CXMT最新行動導向產品與美光及SK海力士業務中增長最快部分之間的短期重疊。然而，如果CXMT進一步擴展至伺服器DRAM、HBM或其他高階記憶體產品，競爭風險可能增加。目前，其最新發布的產品仍針對較傳統與行動導向的市場區隔。據報導，CXMT也正準備擴展至NAND快閃記憶體，這是一個用於手機、個人電腦與資料中心儲存的獨立記憶體市場。

營收快速增長

根據同一份報導，該公司2026年上半年營收為1,503.1億元人民幣，約224億美元，較去年同期增長873.64%，意味著前一年同期營收約為154億元人民幣。

美光與SK海力士仍是全球記憶體市場的主要業者，但CXMT最新的製程升級讓中國在傳統DRAM領域的影響力進一步擴大。投資人現在將關注CXMT能否超越行動記憶體，在伺服器與AI導向產品上展開更直接的競爭。

本文基於CoinCentral最初發布的報導。