ASML於週二獲得兩項重大客戶承諾，三星與台積電雙雙確認計劃在未來的晶片生產中採用其High NA極紫外（EUV）微影設備。

受此消息激勵，ASML股價在早盤上漲約1.6%，延續過去12個月約120%的漲勢。

每台High NA設備售價約4億美元，採用更寬的鏡頭，可在單次曝光中於矽晶圓上印製縮小至三分之一以下的電路線寬。隨著晶片製造商為AI硬體追求更複雜的設計，這種精密度的需求日益增加。ASML是全球唯一的EUV微影設備供應商，因此其訂單狀況被視為先進製程晶片製造走向的重要指標。

在此之前，High NA的採用主要由英特爾領頭，該公司是首家接收這些設備的晶片製造商。三星與台積電則較為謹慎，在設備高昂的成本與延續現有EUV技術等替代方案之間權衡，因此週二的承諾象徵客戶基礎已超越單一早期採用者而擴大。

三星表示，將自2028年起使用這些設備生產DRAM記憶體晶片，目標是延伸其記憶體微縮路線圖並提升生產效率。台積電則設定較晚的2030年啟用時程，鎖定因AI工作負載而使電晶體架構日趨複雜的先進晶片。

台積電執行長魏哲家表示，公司相信應在技術難題演變為成本問題之前盡早解決。根據彭博資料，台積電約占ASML總銷售額的16%，因此其承諾對關注High NA採用進展的投資人而言是重要訊號。

光罩升級帶來更多利多

除了設備承諾外，四家公司——ASML、台積電、三星與英特爾——也同意從現行的6吋光罩標準轉換至更大的12吋規格。

光罩的運作原理類似模板，利用光線將微小的電路圖案印製到矽晶圓上。過去轉換至更大規格通常需要整條供應鏈——包括光罩製造商、晶片設計商與設備製造商——協同配合，這也是四家公司共同簽署承諾對時程如此重要的原因。ASML技術長Marco Pieters表示，更大的光罩尺寸可使High NA設備產出提升40%，同時簡化晶片設計。

英特爾在打造其製造網絡的同時，已投入12吋光罩計劃超過三年。台積電計劃於2030年先以標準6吋光罩啟用High NA設備，並於2031年前建立12吋光罩測試線。

華爾街反應

巴克萊表示，這些公告「應能為採用進度提供更多能見度，而這一直是關鍵爭論點」，並形容此消息對該股是「一項利多」。

該銀行也指出，ASML面臨是否在既定目標之外進一步擴大EUV產能的決策，並觀察到需求「顯然強勁」。

ASML曾表示將於2027年增加約30%的EUV總產能，但近期並未針對High NA出貨量提出具體預測。隨著三星的首波High NA生產預定於2028年、台積電於2030年展開，分析師與投資人將密切關注未來的財報電話會議，留意High NA出貨指引的更新，以及ASML是否會在既定目標之外擴充產能。

華爾街分析師對ASML維持「強力買進」共識，基於過去三個月的六項買進評級。平均12個月目標價為每股2,468美元，隱含約44%的上漲空間。

在美國市場開盤前，於阿姆斯特丹掛牌的ASML股價在歐洲早盤持平至小幅走低。

本文《ASML Stock Jumps as Samsung and TSMC Lock In $400M Machine Orders》最先刊載於CoinCentral。