新闻股票据报道,台积电应英伟达要求探索先进3D内存芯片生产

据报道,台积电应英伟达要求探索先进3D内存芯片生产

作者: CryptoBriefing·

要点速览

  • •据CryptoBriefing报道,台积电正考虑应英伟达的要求生产先进3D内存芯片。
  • •进入存储生产领域将使这家全球最大的合约芯片制造商与三星、SK海力士和美光等成熟的DRAM生产商直接竞争。
  • •相关谈判被描述为探索性质,尚未就生产、制造地点、产能或时间表做出确认决定。
  • •英伟达未公开承认这一请求,而台积电表示其重心仍放在核心逻辑晶圆代工业务上。
  • •基于垂直堆叠3D设计的高带宽内存已成为AI加速器的关键组件,AI计算基础设施的需求也在不断增长。
据报道,台积电应英伟达要求探索先进3D内存芯片生产

据CryptoBriefing报道,台积电(TSMC)正考虑应英伟达的要求生产先进3D内存芯片。此举将使这家全球最大的合约芯片制造商与三星、SK海力士和美光等成熟的DRAM生产商直接竞争。

相关讨论被描述为探索性质。尚未就是否推进生产做出确认决定,生产地点、产能或时间表也未确定。英伟达未公开承认这一请求,台积电则表示其重心仍放在核心逻辑晶圆代工业务上。不过,该报道也凸显了先进内存在AI计算中的核心地位——在数据中心系统中,高带宽内存与处理器协同工作。

背景

台积电总部位于台湾新竹,是全球最大的专业半导体代工厂,为自行设计处理器的公司制造芯片——其客户名单中包括英伟达。其核心业务历来以逻辑芯片为主,而非存储产品,不过该公司已经通过封装服务与先进内存业务相邻,将逻辑芯片与堆叠内存结合在AI加速器中。

DRAM市场为个人电脑、服务器以及各种电子设备提供主内存,多年来一直由三星、SK海力士和美光主导。存储器制造是半导体行业中资本最密集的领域之一,这些现有厂商数十年来积累了存储专属的制程专长——这一背景说明了台积电若如传闻般进入该领域将有多么引人注目。先进3D内存设计将存储晶粒垂直堆叠以提高密度和带宽,是高带宽内存(HBM)的基础,而HBM被广泛应用于人工智能加速器。英伟达是专注于AI的GPU领先设计商,在其数据中心芯片中使用此类内存,随着AI计算基础设施的扩张,对先进内存的需求也在增长。

关注要点

目前的关注点在于台积电或英伟达是否会发布官方公告,以确认或进一步说明这些传闻中的计划。台积电若确认进入3D内存生产领域,将标志着DRAM生产商之间竞争格局的显著转变,该领域目前由三家现有厂商主导。在此之前,两家公司的既定立场不变:英伟达未承认这一请求,台积电表示其仍专注于逻辑晶圆代工业务。

来源:CryptoBriefing