SK hynix于周四正式启动其在印第安纳州的先进芯片封装项目，该工厂将生产首批在美国制造的高带宽内存（HBM）。

奠基仪式在印第安纳州西拉斐特的普渡大学举行，距公司于2024年4月宣布该项投资已过去两年多。该工厂预计将于2028年10月完成洁净室建设，并于2029年第三季度开始量产。

投产后，该设施将把韩国生产的DRAM芯片堆叠并封装成HBM，这是一种与Nvidia AI加速器等处理器配套使用的高性能存储器。先进封装长期以来被视为芯片制造中利润较低的后端环节，但随着加速器需求挤压全球堆叠和互连存储芯片的产能，它已成为AI硬件链条中的关键一环。SK hynix在全球HBM市场处于领先地位，领先于三星电子和美光，这两家公司是全球另外两家主要的该类存储器生产商。SK hynix首席执行官Kwak Noh-jung表示，该工厂每年可处理数十万片DRAM晶圆。

Kwak表示：“在印第安纳州，我们将建设美国首个HBM先进封装设施。我们将为客户提供新的‘美国制造HBM’来源，同时加强美国半导体供应链，并为国家和经济安全作出贡献。”

Kwak还表示，公司将与客户、大学和商业伙伴合作开发下一代封装技术，加快原型开发和性能验证。

SK Inc.副董事长兼SK Americas首席执行官Yu Jeong-joon也感谢合作伙伴对印第安纳项目的支持，并强调SK集团在半导体、能源和先进技术领域更广泛的美国投资布局。

Yu表示：“SK已在半导体、能源和先进技术领域建立了强大影响力。到2030年，我们在美国的投资和资产预计将超过450亿美元。我们相信，这些能力可以结合起来，帮助建设并支撑美国下一代AI基础设施。”

SK hynix还与普渡大学签署了谅解备忘录，以扩大在下一代HBM研究和测试方面的合作，并利用该大学的工程人才。该工厂建在西拉斐特普渡大学拥有的土地上。

此次奠基之际，特朗普政府正推动芯片制造商扩大在美国本土的生产。美国商务部长Howard Lutnick上月在纽约美光科技计划建设的大型晶圆厂施工进展活动上，呼吁增加本土存储芯片制造。

这家存储芯片制造商计划向印第安纳州工厂总计投资逾40亿美元。根据《CHIPS与科学法案》，美国政府同意提供最高4.58亿美元直接资金和5亿美元贷款。Bill Frauenhofer是负责监督CHIPS项目的美国商务部半导体投资与创新执行主任，他表示，印第安纳项目将增强美国在先进半导体封装和研究方面的能力。

Frauenhofer表示：“这个项目和研发中心不仅为将前沿能力带到美国提供了重要机会，也有助于开发定义未来的创新。通过在印第安纳州建立这些能力，SK hynix正在帮助美国在全球半导体供应链的关键节点上巩固地位。”

印第安纳工厂将把先进HBM封装与面向未来几代存储技术的研发结合起来。SK hynix目前正在生产HBM4，这是其第六代HBM产品，计划用于Nvidia的Vera Rubin AI平台，同时还在开发其后继产品HBM4E。随着AI数据中心建设推进，HBM需求已大幅上升，成为存储行业增长最快的产品领域。

施工于4月开始，早于周四的正式奠基仪式数月。约54万平方米的厂区内，结构框架和立柱已开始升起。

工厂全面投产后预计将雇用约1,000人。SK hynix还在考虑100多家潜在材料、零部件和设备供应商，整体项目预计将在建设、运营及本地供应链环节创造约7,000个直接和间接就业岗位。

SK集团还参与了一项面向曾在韩国服役的美国退伍军人的招聘倡议，通过韩国商工会议所和韩美同盟基金会运营的平台提供职业机会。该合作也凸显了印第安纳州与韩国的联系，来自该州约140,000名官兵曾参加韩战。

韩国驻美大使Kang Kyung-wha、印第安纳州州长Mike Braun以及印第安纳州共和党参议员Todd Young与Kwak及其他公司高管一起出席了周四的仪式。SK集团会长Chey Tae-won和Nvidia首席执行官Jensen Huang并未出席，尽管他们此前可能到场的消息曾引发关注。