三星发布包含 zHBM、zNAND-O 和 V10 BV-NAND 的 3D AI 存储路线图
要点速览
- •三星推出 zHBM 概念，将高带宽存储垂直堆叠在 AI 加速器上方，以缩短数据路径并提升性能、密度和能效。
- •三星预览了 zNAND-O，这是一种基于 V-NAND 的方案，面向实时边缘 AI 工作负载提供低延迟和高空间效率。
- •公司宣布了 V10 BV-NAND，称其为首个 Bonding V-NAND 架构，层数超过 400 层，密度高于前一代 V9。
- •三星表示已在 2 月实现 HBM4 量产，并于 5 月开始出货 HBM4E 样品，同时在 FMS 2026 上展示了 HBM5 模型。
- •三星还展示了 LPDDR5X-PIM 以及企业级存储产品 PM1763 和 BM1773，作为面向 AI 半导体客户的端到端策略的一部分。
三星电子在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的 Future of Memory and Storage（FMS）2026 会议上发布了其下一代 AI 存储产品组合，并展示了一项旨在满足高性能计算和人工智能基础设施快速增长需求的技术路线图。
该公司在一个受 AI 云服务器启发的展台上展示了约 30 项存储与存储技术。闪存产品与技术部执行副总裁兼负责人 Jin-Yub Lee，以及 DRAM 设计团队副总裁 Kyungryun Kim 发表了开场主题演讲，题为“Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture”。
垂直架构旨在重塑存储与处理器的集成方式
三星路线图的核心是两种概念模型，它们显著改变了存储与处理器的连接方式。公司推出了 zHBM，该方案不是将高带宽存储并排放置在芯片旁，而是将其垂直堆叠在 AI 加速器上方。三星表示，这种方式缩短了数据路径，带来约 HBM5 八倍的性能、超过十倍的存储密度以及三倍的能效，同时将热阻降低了一半以上。
该架构还支持层间定制知识产权集成，从而为特定加速器提供定制化方案。除 zHBM 外，三星还预览了 zNAND-O，这是一种基于 V-NAND 的方案，提供四层和八层版本，兼具高空间效率和低延迟，面向实时边缘 AI 工作负载。
三星推出 V10 BV-NAND 并披露生产路线图
三星还宣布了 V10 BV-NAND，并将其描述为业界首个由新型晶圆键合技术实现的 Bonding V-NAND 架构。该器件层数超过 400 层，与前一代 V9 相比，存储密度提升约 58%，同时读、写和 I/O 性能也有所提升。三星表示，这一里程碑距离其推出业界首个 V-NAND 已过去 13 年。
除概念硬件外，三星还详细介绍了近期生产计划。在 2 月实现业界首个 HBM4 量产后，公司于 5 月开始出货 HBM4E 样品，并在 FMS 2026 上展示了其 HBM5 模型。三星还展示了 LPDDR5X-PIM，并将其描述为业界首个采用存储内计算技术的低功耗 DDR 存储。该系统在存储阵列内部执行计算，以减少数据移动和功耗。
在数据中心基础设施方面，三星展示了 PM1763 和 BM1773 企业级存储解决方案。作为唯一一家在存储、晶圆代工和先进封装领域均具备领先能力的综合器件制造商，三星强调其端到端交钥匙策略，提供集成设计与制造服务，旨在缩短开发周期并优化 AI 半导体客户的性能。
