Navitas Semiconductor Corporation (NVTS) 股价周二报11.88美元，上涨0.15美元，此前该公司获得美国陆军奖励，用于开发先进碳化硅功率器件。该合同资助一项以国防和基础设施系统的10 kV功率器件为核心的原型项目，并拓展了Navitas在超高电压功率技术和本土半导体制造领域的布局。该奖励还将该公司的碳化硅芯片技术推向了比其在售任何产品都更高的电压等级。

ALATTIS原型项目下的美国陆军奖励

Navitas在ALATTIS原型项目下获得该陆军奖励，该项目旨在建立先进碳化硅器件的本土制造工艺。项目重点是为高要求功率应用开发10 kV绝缘栅双极型晶体管（IGBT）及相关PiN二极管。陆军研究实验室为这项工作提供资助，是其强化关键国防和基础设施系统高功率电子技术的举措之一。碳化硅的宽禁带材料特性使功率器件能够在比传统硅更高的电压和温度下工作，这也是该材料在高功率国防与基础设施电子领域发挥作用的基石。

在该项目下，Navitas将采用其专利的沟槽辅助平面架构，并结合先进二极管技术。工程师将通过反复的设计、制造和测试周期来验证新器件的生产工艺。这一方法旨在证明性能、可靠性和生产就绪度，然后再向军事或基础设施应用更广泛地推广。

Navitas表示，陆军是基于技术、可靠性和本土供应链能力，通过竞争性程序选定该公司的。该项目还支持美国为战略重要组件建设更多半导体制造能力的努力。该奖励为Navitas提供了另一条进入电压、效率和可靠性仍是关键要求的应用领域的途径。

ALATTIS项目将GeneSiC拓展至现有MOSFET之外

ALATTIS项目将推动Navitas超越其现有碳化硅MOSFET产品组合，进入不同的器件类别。与MOSFET不同，绝缘栅双极型晶体管将栅控输入与双极导电层相结合，这一结构长期用于超高功率变换。此类器件可以在专用电气系统中支持极高的电压和大的功率负载。成功开发可拓宽该公司在国防、电网和工业功率市场的可覆盖范围。

Navitas目前已通过其GeneSiC碳化硅产品组合销售产品，电压等级覆盖650 V至6.5 kV。该公司于2021年商业化发布其6.5 kV碳化硅MOSFET技术，用于高电压应用。此前的技术积累为计划中的10 kV碳化硅晶体管开发提供了技术基础——该电压等级比其现有商用产品组合的顶端高约50%。

新器件还将把Navitas现有的材料专长与为更高电压性能和长期可靠性而设计的制造技术相结合。PiN二极管将构成该平台的另一部分，并在严苛工作条件下支持功率变换。这些技术可以帮助Navitas在现有商用碳化硅产品之外，构建更广泛的超高电压产品体系。

随着国防业务拓展，NVTS股价上涨

NVTS股价周二上涨0.15美元至11.88美元，陆军奖励为这家不断扩张的半导体业务增添了又一个催化剂。该股周一收于11.73美元，此前一个交易日下跌3.85%。周二的走势收回了部分跌幅，而整体市场因长期美国国债收益率上升而承压。

陆军项目还为这家日益聚焦更高功率市场和基础设施应用的业务增加了国防方面的敞口。Navitas在扩展其碳化硅业务的同时，还在持续开发氮化镓和高电压功率系统。这些技术面向数据中心、能源基础设施、电动出行、工业系统以及其他功率密集型设备。

陆军的公告未包括奖励金额或商业化生产时间表。在更广泛的制造阶段出现之前，该项目仍聚焦于原型开发和工艺验证。关于资金规模、开发里程碑或生产路径的更清晰信息，仍有待Navitas或陆军未来的披露。尽管如此，此次入选拓展了Navitas在超高电压碳化硅技术和美国本土半导体开发方面的工作。