ASML周二获得两项重大客户承诺，三星与台积电均确认计划在未来的芯片生产中采用其高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机。

受此消息影响，ASML股价在早盘交易中上涨约1.6%，延续了过去12个月约120%的涨幅。

每台High NA设备成本约为4亿美元，采用更宽的镜头，可在单次曝光中在硅晶圆上印制尺寸缩小至最多三倍的电路线条。随着芯片制造商为AI硬件追求更复杂的设计，这种精度的需求日益增长。ASML是全球唯一的EUV光刻设备供应商，因此其订单簿被视为领先芯片制造走向的重要风向标。

在此之前，High NA的采用一直由英特尔主导，它是首家接收该设备的芯片制造商。三星和台积电此前态度较为谨慎，权衡设备高昂的成本与延长现有EUV技术等替代方案，因此周二的承诺标志着客户基础从单一早期采用者向外扩展。

三星表示，将自2028年起使用该设备生产DRAM存储芯片，旨在延长其存储微缩路线图并提高生产效率。台积电设定的启动时间较晚，为2030年，目标是由AI工作负载导致晶体管架构日益复杂的先进芯片。

台积电CEO魏哲家表示，公司坚信应在技术难题演变为成本问题之前提前解决。据彭博报道，台积电约占ASML总销售额的16%，因此其承诺对关注High NA普及的投资者而言是一个关键信号。

光罩升级带来更多上行空间

在设备承诺之外，四家公司——ASML、台积电、三星和英特尔——还同意从当前的6英寸光罩标准转向更大的12英寸规格。

光罩的工作原理类似模板，利用光线将微小的电路图案印制到硅晶圆上。转向更大规格历来需要整个供应链的协同——光罩制造商、芯片设计商和设备制造商缺一不可，这也是四家公司共同签署协议对时间表至关重要的原因。ASML首席技术官Marco Pieters表示，更大的光罩尺寸可将High NA设备产能提升40%，同时让芯片设计更为容易。

英特尔在扩建其制造网络的过程中，已致力于12英寸光罩项目超过三年。台积电计划于2030年开始使用配备标准6英寸光罩的High NA设备，随后在2031年前建立12英寸光罩测试产线。

华尔街反应

巴克莱表示，这些公告“应能为普及情况提供更多能见度，而这一直是关键争论点”，并称该消息对股价是“一个利好”。

该行还指出，ASML面临是否在既定目标之外进一步扩大EUV产能的决策，并观察到需求“显然强劲”。

ASML曾表示将在2027年增加约30%的EUV总产能，但近期并未专门给出High NA出货量的预测。鉴于三星的首个High NA生产计划于2028年、台积电为2030年，分析师和投资者将关注未来的财报电话会议，看是否有关于High NA出货指引的更新，以及ASML是否会将产能扩张至既定目标之外。

华尔街分析师对ASML维持“强力买入”共识评级，依据是过去三个月的六项买入评级。12个月平均目标价为每股2,468美元，较当前水平隐含约44%的上行空间。

在美股开盘前，在阿姆斯特丹上市的ASML股价在早盘欧洲交易中持平至小幅走低。

本文《ASML Stock Jumps as Samsung and TSMC Lock In $400M Machine Orders》首发于CoinCentral。