SK hynix одобрила новые производственные инвестиции на 54 трлн вон (примерно $38 млрд), санкционировав строительство двух полупроводниковых фабрик, нацеленных на расширение выпуска чипов памяти, которые обеспечивают работу систем искусственного интеллекта. Решение южнокорейского гиганта по производству памяти, объявленное в пятницу, подчеркивает его уверенность в том, что спрос на инфраструктуру для ИИ будет оставаться высоким еще многие годы, а память, а не процессоры, стала главным узким местом отрасли.

Инвестиция последовала за рекордными квартальными результатами, которые подчеркивают центральную роль высокоскоростной памяти (HBM) в нынешнем строительстве ИИ-инфраструктуры. Как ранее сообщал Cryptopolitan, SK hynix получила выручку 79,3 трлн вон во втором квартале, а чистая прибыль достигла 60,5 трлн вон на фоне роста спроса на технологию HBM. Компания уже начала крупные поставки чипов HBM4, стремясь сохранить лидерство на рынке памяти для ИИ.

Это вложение капитала имеет большое значение для более широкой экосистемы ИИ, поскольку передовые ускорители зависят от нескольких стеков HBM, интегрированных рядом с кристаллами процессоров с использованием сложных технологий корпусирования, таких как CoWoS от TSMC. Простого наращивания производства GPU было бы недостаточно, если поставки HBM не будут успевать за спросом. Собственные мощности TSMC по CoWoS давно считаются заметным ограничением в цепочке поставок ИИ, а узкие места в корпусировании временами ограничивали отгрузки ускорителей даже при достаточном выпуске кристаллов HBM.

Согласно отчету Omdia, к 2026 году на память придется более 50% выручки мирового рынка полупроводников, чему способствует спрос на DRAM и NAND, обусловленный ИИ. TrendForce отдельно сообщает, что поставки DRAM и HBM останутся ограниченными как минимум до 2027 года, поскольку мощности по передовому корпусированию будут по-прежнему сдерживаться, несмотря на усилия по расширению отраслевых мощностей.

SK hynix поставляет HBM Nvidia и другим производителям ИИ-ускорителей, поэтому ее производственные планы становятся важным ориентиром темпов роста ИИ-инфраструктуры. Инвестиция также следует за недавним сообщением генерального директора Nvidia Дженсена Хуанга о партнерстве на $500 млрд с SK Group, что еще раз подчеркивает стратегическую важность производства памяти.

На что пойдут 54 трлн вон

Из общей суммы 35,2 трлн вон будут направлены на строительство фабрики Y2 DRAM в Ёнъине. Еще 19,1 трлн вон пойдут на возведение фабрики M17 NAND flash на кампусе SK hynix в Чхончжу. Согласно официальному объявлению, эти проекты являются частью более широкой стратегии развития, в рамках которой компания уже выделила 600 трлн вон на Yongin Semiconductor Cluster и еще 100 трлн вон — на расширение Чхончжу. Строительство соседней фабрики Y1 уже ведется.

Yongin Semiconductor Cluster представляет собой один из крупнейших в истории промышленности Южной Кореи концентрированных проектов по строительству мощностей по выпуску чипов и является центральным элементом усилий страны по сохранению конкурентного преимущества в производстве памяти на фоне растущих инвестиций со стороны США, Японии и Европейского союза, которые запустили многомиллиардные программы субсидий для расширения внутреннего выпуска полупроводников.

По данным Counterpoint Research Memory Tracker, SK hynix получила 58% мировой выручки от HBM в первом квартале 2026 года, значительно опередив Samsung и Micron, у которых было по 21%. Оба конкурента реализуют собственные планы по расширению мощностей HBM — Samsung проходит квалификацию продуктов HBM3E у крупных клиентов-ускорителей, а Micron начала наращивать серийное производство HBM3E, — однако ни одна из компаний пока не сократила разрыв по доле рынка.

HBM стала одним из самых дефицитных компонентов в цепочке поставок ИИ. В отличие от обычной DRAM, она требует технологий многослойной сборки, сквозных кремниевых переходов (TSV) и сложного многокристального корпусирования, что делает ее производство исключительно сложным.

По прогнозу Omdia, в 2026 году полупроводниковая отрасль вырастет на 94,1% благодаря спросу на NAND и DRAM, связанному с ИИ.

Уже сейчас дефицит памяти меняет продуктовые планы

Напряженность с поставками памяти уже влияет на планы разработки продуктов по всей отрасли. Сообщается, что Nvidia рассматривает конфигурации 8-Hi HBM и HBM4 для своего ускорителя следующего поколения Rubin Ultra вместо первоначально запланированного 12-Hi HBM4e на фоне опасений, что сокращение доступности DRAM в 2027 году может ограничить выпуск модулей HBM.

Такая динамика означает, что поставщики памяти все больше определяют, как быстро оборудование для ИИ выходит на рынок. Увеличение емкости памяти позволяет наращивать поставки ускорителей, тогда как дефицит вынуждает производителей перепроектировать продукты под доступный объем памяти.

График строительства

Аналитики ожидают, что условия поставок останутся напряженными, поскольку новые фабрики не начнут работу еще несколько лет, а значит, мощности, которые откроет эта инвестиция, будут ориентированы на спрос 2029–2030 годов, а не на текущий дефицит.

Фабрика Y2 будет выпускать как продукты HBM, так и DRAM следующего поколения. Строительство должно начаться в июле 2027 года, а чистая комната ожидается к июню 2029 года. Закладка фундамента для фабрики M17 запланирована на февраль 2027 года, а ее чистая комната должна быть готова к декабрю 2028 года.

SK hynix охарактеризовала инвестицию как фундамент для долгосрочного отраслевого перехода, а не как ответ на краткосрочный тренд. Ссылаясь на прогнозы Omdia, компания отметила ожидаемый среднегодовой темп роста мирового спроса на DRAM и NAND на уровне 19% до 2030 года, что подтверждает ее убежденность в том, что крупномасштабное производство памяти имеет ключевое значение для конкурентоспособности в эпоху искусственного интеллекта.