SK Hynix утвердила инвестиционный план на 54,3 трлн вон до 2031 года для расширения производства чипов для ИИ
Ключевые выводы
- •SK Hynix утвердила инвестиционный план на сумму 54,3 трлн вон (38,3 млрд долларов США) до 2031 года для расширения производственных мощностей полупроводников.
- •Средства будут направлены на новые производственные предприятия DRAM в Йонгине и расширение производства NAND-флеш-памяти в Чхонджу, оба — в Южной Корее.
- •SK Hynix является основным поставщиком чипов памяти с высокой пропускной способностью (HBM) для ИИ-ускорителей Nvidia и первой начала массовое производство новейшего поколения HBM3E.
- •Конкуренты Samsung Electronics и Micron Technology также стремятся расширить собственное производство HBM, чтобы увеличить долю на быстрорастущем рынке ИИ-памяти.
- •SK Hynix планирует реализовать дополнительные меры по возврату средств акционерам, конкретные детали будут раскрыты в третьем квартале.

SK Hynix утвердила масштабный инвестиционный план на общую сумму 54,3 трлн вон (около 38,3 млрд долларов США) до 2031 года для значительного расширения производственных мощностей полупроводников, что позволит компании удовлетворить стремительно растущий мировой спрос, обусловленный применениями искусственного интеллекта.
Утвержденные средства будут направлены на строительство новых производственных предприятий DRAM в Йонгине, Южная Корея, а также на расширение мощностей по производству NAND-флеш-памяти в Чхонджу. Эти два города уже являются признанными центрами полупроводникового производства SK Hynix. Комплекс в Йонгине является частью более широкой инициативы правительства Южной Кореи по созданию крупнейшего в мире мегакластера полупроводников в регионе провинции Кёнгидо, где также расположены предприятия Samsung Electronics.
SK Hynix со штаб-квартирой в Ичхоне, Южная Корея, является вторым в мире производителем чипов памяти после Samsung Electronics и ведущим мировым поставщиком продуктов DRAM и NAND-флеш-памяти. Компания заняла позиции критически важного поставщика в цепочке поставок ИИ, в частности благодаря своему доминированию на рынке чипов памяти с высокой пропускной способностью (HBM), которые являются ключевыми компонентами ИИ-ускорителей и GPU для дата-центров, производимых такими компаниями, как Nvidia. SK Hynix первой начала массовое производство новейшего поколения чипов HBM3E и, по широко распространенным данным, является основным поставщиком HBM для ИИ-ускорителей Nvidia H100 и H200, что обеспечивает ей преимущество первопроходца в самом быстрорастущем сегменте рынка памяти. Конкуренты Samsung Electronics и Micron Technology также стремятся расширить собственное производство HBM, чтобы увеличить свою долю на этом рынке.
Инвестиционный план отражает более широкую отраслевую тенденцию, при которой крупные производители полупроводников выделяют значительный капитал на наращивание производственных мощностей в ответ на стремительное распространение технологий ИИ на корпоративных и потребительских рынках. Спрос на чипы памяти, особенно высокопроизводительные DRAM и HBM, продолжает расти, поскольку ИИ-модели требуют более широких возможностей обработки и хранения данных. Это расширение происходит в условиях, когда глобальные цепочки поставок полупроводников остаются в центре геополитического внимания: США, Южная Корея, Япония и Европейский союз активно стимулируют внутреннее производство чипов, в то время как экспортные ограничения на передовые полупроводниковые технологии в Китай продолжают менять конкурентную среду.
Помимо расширения производства, SK Hynix объявила о планах по реализации дополнительных мер по возврату средств акционерам. Компания указала, что конкретные детали, касающиеся этих мер, будут раскрыты в течение третьего квартала.
Источник: Economic Times Markets