Samsung расширяет свой полупроводниковый производственный комплекс в Пхёнтэке, Южная Корея, превращая его в одну из самых амбициозных в мире площадок по выпуску памяти. Этот рывок происходит на фоне бума искусственного интеллекта, который повышает спрос на GPU — и, соответственно, на чипы памяти, от которых зависят эти GPU. Три фабрики комплекса уже работают круглосуточно. Четвертая запускается, а пятая снова строится после года, когда экономика проекта выглядела мрачной.

Кампус, который никогда не спит

Кампус в Пхёнтэке расположен в провинции Кёнгидо и стабильно растет с момента запуска первой фабрики, известной как P1, в 2017 году. Сейчас на площадке действуют три фабрики, а на следующих двух сосредоточены главные амбиции компании.

Чипы памяти делятся на две широкие категории, и строительство ИИ-инфраструктуры нагружает обе: DRAM обеспечивает быструю рабочую память, на которую опираются процессоры, а NAND хранит данные в долгосрочной перспективе. Это разделение сейчас определяет, как Samsung распределяет свои производственные линии.

На P4 Samsung переоборудует производственную линию с NAND в специализированную линию DRAM. Линия DRAM на P4 нацелена на производственную мощность 100 000–120 000 пластин в месяц к I кварталу 2027 года. Она будет использовать техпроцесс 1c — новейшее поколение технологии производства DRAM компании.

Фабрика, которую остановили, а затем запустили снова

P5 — самая показательная часть этой истории. Строительство пятой фабрики было остановлено в 2024 году, когда спрос на чипы памяти снизился. Затем бум ИИ вызвал взрывной рост спроса, и работы возобновились. Строительство комплекса P5 с тех пор ускорилось, а начало работ по второй линии состоялось на шесть месяцев раньше графика.

Схема «остановка — возобновление» отражает циклический характер производства памяти, при котором поставщики сокращают мощности в период спада и наращивают их, когда спрос возвращается. А поскольку строительство фабрик занимает годы, решения, принятые сегодня, формируют предложение далеко в будущем.

Каждая фабрика P5 требует инвестиций более 60 трлн вон. Фабрики спроектированы с трехъярусными чистыми помещениями для максимальной производительности, а целевые показатели мощности достигают сотен тысяч пластин в месяц.

Изменение производственного баланса

Samsung не только наращивает новые мощности, но и перепрофилирует существующие линии. Компания перераспределяет часть производственных мощностей NAND под DRAM на обоих объектах — в Пхёнтэке и Хвасоне. Причиной стал дефицит серверной DRAM, особенно DDR5 — стандарта памяти текущего поколения в серверах центров обработки данных, на которых работают ИИ и облачные сервисы. Премии к ценам на серверную DDR5 достигли 70%.

Финансовые результаты отражают этот сдвиг. Операционная прибыль Samsung за III квартал 2026 года превысила 100 трлн вон — рекордный квартальный показатель, усиленный продажами HBM (памяти с высокой пропускной способностью) и DRAM. HBM — премиальный тип DRAM, созданный для передачи данных на очень высоких скоростях в связке с ИИ-ускорителями.

За пределами Пхёнтэ

Samsung также поддерживает инвестиционный план на 360 трлн вон для кластера в Ёнине, который будет включать шесть новых фабрик. Первая из них ожидается в 2029 году — срок, который показывает, сколько времени занимает планирование и строительство передовых мощностей по производству памяти.

Что дальше

Перераспределение мощностей несет потенциальный побочный эффект для NAND: смещение линий в сторону DRAM может на уровне маржи сократить предложение памяти для хранения данных.

Ключевые вехи теперь расписаны по календарю. Среди них: достигнет ли P4 целевой мощности в 100 000–120 000 пластин в месяц к I кварталу 2027 года, сохранится ли премия на серверную DDR5 по мере появления нового предложения и останется ли первая фабрика в Ёнине в графике на 2029 год.

Источник: CryptoBriefing