Акции Navitas Semiconductor (NVTS): компания получила заказ армии США на разработку мощных чипов из карбида кремния на 10 кВ
Ключевые выводы
- •Navitas Semiconductor получила заказ армии США в рамках прототипной программы ALATTIS на разработку карбидокремниевых биполярных транзисторов с изоланным затвором на 10 кВ и диодов PiN для оборонных и инфраструктурных приложений.
- •Армейская исследовательская лаборатория выбрала Navitas на конкурсной основе с учётом технологий, надёжности и возможностей отечественной цепочки поставок, поддерживая усилия США по наращиванию полупроводниковых производственных мощностей.
- •Планируемые приборы на 10 кВ будут работать примерно на 50% выше максимального рейтинга 6,5 кВ существующего коммерческого портфеля GeneSiC, вышедшего на рынок в 2021 году.
- •Акции NVTS во вторник прибавили $0,15 до $11,88, восстановив часть падения на 3,85% предыдущей сессии после закрытия в понедельник на уровне $11,73.
- •В объявлении не указывались финансовая стоимость заказа или график производства, и проект остаётся сосредоточенным на разработке прототипа и валидации процесса.

Акции Navitas Semiconductor Corporation (NVTS) во вторник торговались по $11,88, прибавив $0,15, после того как компания получила заказ армии США на разработку передних силовых приборов из карбида кремния. Контракт финансирует прототипную программу, ориентированную на силовые приборы на 10 кВ для оборонных и инфраструктурных систем, и расширяет роль Navitas в области сверхвысоковольтной силовой электроники и отечественного полупроводникового производства. Заказ также выводит технологию карбидокремниевых чипов компании в более высокий класс напряжения, чем у любого продукта, который она в настоящее время продаёт.
Заказ армии США в рамках прототипной программы ALATTIS
Navitas получила заказ армии в рамках прототипного проекта ALATTIS, который нацелен на отечественный производственный процесс для передних карбидокремниевых приборов. Программа ориентирована на биполярные транзисторы с изолированным затвором на 10 кВ и связанные с ними диоды PiN для требовательных силовых приложений. Работу спонсирует Армейская исследовательская лаборатория в рамках усилий по укреплению мощной электроники для критически важных оборонных и инфраструктурных систем. Широкозонные свойства карбида кремния позволяют силовым приборам работать при более высоких напряжениях и температурах, чем обычный кремний, что определяет роль этого материала в мощной оборонной и инфраструктурной электронике.
В рамках проекта Navitas применит свою запатентованную планарную архитектуру с траншейной структурой в сочетании с передовыми технологиями диодов. Инженеры пройдут многократные циклы проектирования, производства и тестирования для валидации производственного процесса новых приборов. Этот подход призван подтвердить производительность, надёжность и готовность к производству перед более широким развёртыванием в военных или инфраструктурных приложениях.
Navitas сообщила, что армия выбрала компанию на конкурсной основе с учётом технологий, надёжности и возможностей отечественной цепочки поставок. Проект также поддерживает усилия США по наращиванию производственных мощностей для стратегически важных компонентов. Заказ открывает Navitas ещё один путь в приложения, где напряжение, эффективность и надёжность остаются критическими требованиями.
Проект ALATTIS расширяет GeneSiC за пределы существующих MOSFET
Программа ALATT выведет Navitas за пределы существующего портфеля карбидокремниевых MOSFET в другую категорию приборов. В отличие от MOSFET, биполярный транзистор с изолированным затвором сочетает вход, управляемый затвором, с биполярным проводящим слоем — структура, давно используемая в преобразовании очень высокой мощности. Такие приборы могут поддерживать экстремально высокие напряжения и большие нагрузки в специализированных электрических системах. Успешная разработка могла бы расширить доступный технологический диапазон компании на оборонные, энергосетевые и промышленные силовые рынки.
Navitas уже продаёт продукты через портфель GeneSiC из карбида кремния, охватывающий номинальные напряжения от 650 В до 6,5 кВ. Компания коммерчески выпустила технологию карбидокремниевых MOSFET на 6,5 кВ в 2021 году для высоковольтных приложений. Эта более ранняя работа служит технической базой для планируемого перехода к разработке карбидокремниевых транзисторов на 10 кВ — номинальное напряжение примерно на 50% выше текущего коммерческого максимума портфеля.
Новые приборы также объединят существующую экспертизу Navitas в области материалов с производственными технологиями, рассчитанными на более высоковольтную производительность и долгосрочную надёжность. Диоды PiN станут ещё одной частью этой платформы и будут поддерживать преобразование энергии в сложных условиях эксплуатации. Эти технологии могли бы помочь Navitas сформировать более широкое предложение в области сверхвысоких напряжений за пределами её текущих коммерческих карбидокремниевых продуктов.
Акции NVTS растут на фоне расширения оборонной направленности
Акции NVTS во вторник прибавили $0,15 до $11,88, поскольку заказ армии стал ещё одним катализатором для растущего полупроводникового бизнеса. Накануне акции закрылись на уровне $11,73 после падения на 3,85% в предыдущей сессии. Вторничный рост восстановил часть этого снижения, тогда как более широкий рынок испытывал давление из-за роста доходностей долгосрочных казначейских облигаций.
Проект армии также добавляет оборонную составляющую в бизнес, всё больше ориентированный на рынки высокой мощности и инфраструктурные приложения. Navitas расширяет работу с карбидом кремния, продолжая разработку в области нитрида галлия и высоковольтных силовых систем. Эти технологии нацелены на центры обработки данных, энергетическую инфраструктуру, электрический транспорт, промышленные системы и другое энергоёмкое оборудование.
В объявлении армии не указывались финансовая стоимость заказа или график коммерческого производства. Проект по-прежнему сосредоточен на разработке прототипа и валидации процесса до того, как сможет начаться более широкая производственная фаза. Более ясная картина объёма финансирования, этапов разработки или пути к производству будет зависеть от будущих раскрытий информации Navitas или армии. Тем не менее этот выбор расширяет работу Navitas в области сверхвысоковольтной карбидокремниевой технологии и полупроводниковых разработок в США.