Китайская CXMT начала массовое производство DRAM пятого поколения, усиливая давление на Micron и SK Hynix
Ключевые выводы
- •CXMT начала массовое производство на DRAM-платформе пятого поколения, дающей как минимум на 50% больше кристаллов на пластину, что потенциально снижает затраты на рынке традиционной DRAM.
- •Компания сократила шаг ячеек памяти до 11,95 нанометра с помощью четверного литографирования на оборудовании глубокого ультрафиолета, а вице-президент Ло Сяодун заявил, что технологические возможности компании сопоставимы с передовыми технологиями, уже находящимися в массовом производстве.
- •CXMT представила две микросхемы LPDDR5X ёмкостью 24 гигабита для смартфонов, которые хранят на 50% больше данных, чем предыдущие аналоги, при улучшенной энергоэффективности; обе уже выпускаются серийно.
- •По данным TrendForce, во втором квартале 2026 года CXMT занимала 9,5% мировой выручки DRAM — при 39,4% у Samsung, 24,9% у SK Hynix и 23,3% у Micron.
- •Выручка CXMT за первое полугодие 2026 года составила 150,31 млрд юаней (около 22,4 млрд долларов), увеличившись на 873,64% в годовом исчислении; по сообщениям, компания готовится выйти на рынок флеш-памяти NAND.

Micron Technology (MU) и SK Hynix сталкиваются с новым конкурентным давлением в сегменте традиционной памяти после того, как ChangXin Memory Technologies (CXMT), ведущий китайский производитель DRAM, объявила о начале массового производства с использованием DRAM-технологии нового поколения.
О данном событии CXMT объявила на Всемирной конвенции производства в Хэфэе, Китай. По словам компании, её платформа пятого поколения способна выпускать как минимум на 50% больше общих кристаллов на пластину, чем предыдущая технология, что может повысить объёмы производства и снизить производственные затраты на части рынка традиционной DRAM. DRAM (динамическая память с произвольным доступом) — стандартная рабочая память, используемая в персональных компьютерах, серверах и смартфонах. Поскольку DRAM в значительной степени является стандартизированным товаром, подобные приросты выпуска на уровне пластин напрямую снижают стоимость одного чипа — показатель, который давно определяет конкуренцию среди производителей памяти.
Более плотное размещение ячеек памяти
CXMT сообщила, что сократила шаг ключевых структур памяти до 11,95 нанометра с помощью процесса, известного как четверное литографирование (quadruple patterning). Четверное литографирование формирует более тонкие рисунки схем за счёт нескольких циклов экспонирования, позволяя уменьшить шаг ячеек памяти на распространённом оборудовании глубокого ультрафиолета. Вице-президент Ло Сяодун заявил, что технологические возможности компании теперь сопоставимы с передовыми технологиями, уже находящимися в массовом производстве.
Наряду с обновлением платформы CXMT представила два продукта памяти LPDDR5X ёмкостью 24 гигабита, созданных на новой технологии. Микросхемы предназначены главным образом для смартфонов и другой портативной электроники, а LPDDR5X — это энергоэффективный стандарт памяти для мобильных устройств, широко применяемый в современных флагманских телефонах. По данным компании, новые продукты хранят на 50% больше данных по сравнению с предыдущими аналогами при улучшенной энергоэффективности, и обе версии уже выпускаются серийно.
Доли мирового рынка DRAM
Это происходит на фоне продолжающегося расширения позиций CXMT на мировом рынке памяти. По данным TrendForce, приведённым в отчёте Benzinga, во втором квартале 2026 года CXMT занимала 9,5% мировой выручки DRAM. Samsung осталась крупнейшим поставщиком с долей 39,4%, за ней следуют SK Hynix с 24,9 и Micron с 23,3%, то есть три действующих игрока контролировали около 87,6% мировой выручки DRAM за этот квартал. Эти цифры подчёркивают устойчивый рост CXMT на рынке, который долго доминировали Samsung, SK Hynix и Micron.
Ограниченное пересечение в высококлассной памяти
Новейшие продукты CXMT ориентированы главным образом на мобильную и традиционную DRAM, а не на наиболее производительную память для систем искусственного интеллекта. Micron и SK Hynix направляют всё больше производственных мощностей на память с высокой пропускной способностью (HBM) и ёмкую серверную память. HBM используется совместно с передовыми ИИ-процессорами в центрах обработки данных, а высокий спрос со стороны ИИ-серверов побуждает крупнейших производителей памяти отдавать приоритет этим продуктам.
Это снижает непосредственное пересечение последних ориентированных на мобильные устройства продуктов CXMT и наиболее быстрорастущих направлений бизнеса Micron и SK Hynix. Однако конкурентный риск может возрасти, если CXMT расширит присутствие в серверной DRAM, HBM или другой премиальной памяти. Пока её последний запуск нацелен на более традиционные и мобильные сегменты. По имеющимся сообщениям, CXMT также готовится выйти на рынок флеш-памяти NAND — отдельный сегмент памяти, используемой для хранения данных в телефонах, ПК и центрах обработки данных.
Быстрый рост выручки
По данным того же отчёта, выручка компании за первое полугодие 2026 года составила 150,31 млрд юаней (около 22,4 млрд долларов), что на 873,64% больше, чем за аналогичный период прошлого года; отсюда следует, что годом ранее выручка составляла примерно 15,4 млрд юаней.
Micron и SK Hynix остаются крупными игроками мирового рынка памяти, но последнее производственное обновление CXMT усиливает присутствие Китая в сегменте традиционной DRAM. Инвесторы теперь следят за тем, сможет ли CXMT выйти за пределы мобильной памяти и более напрямую конкурировать в серверных и ИИ-ориентированных продуктах.
Эта статья основана на материале, впервые опубликованном CoinCentral.