SK hynix formalnie uruchomił w czwartek swój projekt zaawansowanego pakowania układów scalonych w Indianie, w ramach którego powstanie pierwszy wytwarzany w Stanach Zjednoczonych układ pamięci wysokiej przepustowości HBM.

Uroczystość rozpoczęcia budowy odbyła się na Purdue University w West Lafayette w stanie Indiana, ponad dwa lata po ogłoszeniu inwestycji w kwietniu 2024 roku. Zakład ma ukończyć clean room w październiku 2028 roku i rozpocząć masową produkcję w trzecim kwartale 2029 roku.

Po uruchomieniu obiekt będzie pobierał układy DRAM produkowane w Korei i układał oraz pakował je w HBM, wysokowydajną pamięć stosowaną wraz z procesorami, takimi jak akceleratory AI Nvidii. Zaawansowane pakowanie, długo traktowane jako mniej rentowny etap zaplecza w produkcji chipów, stało się kluczowym ogniwem łańcucha sprzętu AI, ponieważ popyt na akceleratory obciążył globalne moce w zakresie układania i łączenia pamięci. SK hynix jest liderem globalnego rynku HBM, wyprzedzając Samsung Electronics i Micron, jedynych innych dużych producentów tego typu pamięci. Prezes SK hynix Kwak Noh-jung powiedział, że zakład będzie miał zdolność przetwarzania kilkuset tysięcy wafli DRAM rocznie.

„Tutaj, w Indianie, zbudujemy pierwszy w USA zakład zaawansowanego pakowania HBM” — powiedział Kwak. „Dostarczymy naszym klientom nowe źródło 'Made-in-US HBM', jednocześnie wzmacniając amerykański łańcuch dostaw półprzewodników oraz przyczyniając się do bezpieczeństwa narodowego i gospodarczego”.

Kwak dodał, że spółka będzie współpracować z klientami, uczelniami i partnerami biznesowymi przy rozwoju technologii pakowania nowej generacji, przyspieszając tworzenie prototypów i weryfikację wydajności.

Wiceprezes SK Inc. i prezes SK Americas Yu Jeong-joon podziękował również partnerom za wsparcie projektu w Indianie i podkreślił szerszą obecność inwestycyjną SK Group w USA w sektorach półprzewodników, energii i zaawansowanych technologii.

„SK zbudował silną pozycję w półprzewodnikach, energii i zaawansowanych technologiach” — powiedział Yu. „Nasze inwestycje i aktywa w USA mają przekroczyć 45 mld USD do 2030 roku. Wierzymy, że te możliwości mogą się połączyć, aby pomóc w budowie i zasilaniu kolejnej generacji amerykańskiej infrastruktury AI”.

SK hynix podpisał także memorandum o współpracy z Purdue University w celu rozszerzenia współpracy w zakresie badań i testów HBM nowej generacji oraz wykorzystania talentów inżynierskich uczelni. Zakład powstaje na ziemi należącej do Purdue w West Lafayette.

Najnowsze rozpoczęcie budowy następuje w momencie, gdy administracja Trumpa naciska na producentów chipów, by zwiększali produkcję na terytorium USA. Sekretarz handlu USA Howard Lutnick w zeszłym miesiącu wezwał do większej krajowej produkcji pamięci podczas wydarzenia poświęconego postępom budowy planowanej megafabryki Micron Technology w Nowym Jorku.

Łącznie producent pamięci planuje zainwestować w zakład w Indianie ponad 4 mld USD. Rząd USA zgodził się w ramach CHIPS and Science Act zapewnić do 458 mln USD bezpośredniego finansowania oraz 500 mln USD pożyczek. Projekt ma również wpisywać się w szersze działania USA na rzecz odbudowy zaawansowanego pakowania, segmentu łańcucha dostaw chipów nadal silnie skoncentrowanego w Azji Wschodniej; CHIPS Act przeznaczył około 3 mld USD na dedykowany krajowy program produkcji zaawansowanego pakowania.

Bill Frauenhofer, dyrektor wykonawczy ds. inwestycji i innowacji w półprzewodnikach w amerykańskim Departamencie Handlu, który nadzoruje program CHIPS, powiedział, że projekt w Indianie wzmocni możliwości USA w zakresie zaawansowanego pakowania półprzewodników i badań.

„Ten projekt i centrum badawczo-rozwojowe stanowią ważną szansę nie tylko na przeniesienie do Stanów Zjednoczonych najnowocześniejszych możliwości, ale także na pomoc w rozwijaniu innowacji, które zdefiniują to, co nadejdzie” — powiedział Frauenhofer. „Dzięki ustanowieniu tych zdolności tutaj, w Indianie, SK hynix pomaga wzmocnić pozycję Ameryki w kluczowym momencie globalnego łańcucha dostaw półprzewodników”.

Zakład w Indianie połączy zaawansowane pakowanie HBM z badaniami i rozwojem dla przyszłych generacji tej technologii pamięci. SK hynix obecnie produkuje HBM4, swój szósty generacyjny produkt HBM, który ma być używany w platformie AI Vera Rubin Nvidii, jednocześnie rozwijając jego następcę, HBM4E.

Budowa rozpoczęła się w kwietniu, miesiące przed oficjalną czwartkową ceremonią rozpoczęcia budowy. Na liczącym około 540 000 metrów kwadratowych terenie wznoszone są już ramy konstrukcyjne i kolumny.

Po pełnym uruchomieniu w zakładzie ma pracować około 1 000 osób. SK hynix rozważa także ponad 100 potencjalnych dostawców materiałów, komponentów i wyposażenia, a szerszy projekt ma stworzyć około 7 000 bezpośrednich i pośrednich miejsc pracy w budowie, operacjach i lokalnym łańcuchu dostaw.

SK Group dołączył również do inicjatywy zatrudniania byłych członków amerykańskich sił zbrojnych stacjonujących w Korei, oferując możliwości kariery za pośrednictwem platformy prowadzonej przez Korea Chamber of Commerce and Industry oraz Korea-US Alliance Foundation. Partnerstwo podkreśliło także związki Indiany z Koreą, wskazując, że około 140 000 żołnierzy ze stanu służyło podczas wojny koreańskiej.

W czwartkowej ceremonii wzięli udział ambasador Korei w USA Kang Kyung-wha, gubernator Indiany Mike Braun oraz republikański senator z Indiany Todd Young, a także Kwak i inni przedstawiciele spółki. Przewodniczący SK Group Chey Tae-won oraz prezes Nvidii Jensen Huang, których możliwa obecność wzbudzała uwagę przed wydarzeniem, nie byli obecni.