Samsung rozszerza swój kompleks produkcyjny półprzewodników w Pjongczang (Pyeongtaek) w Korei Południowej, czyniąc go jednym z najbardziej ambitnych ośrodków produkcji pamięci na świecie. Napędza go boom sztucznej inteligencji, który zwiększa popyt na procesory GPU — a co za tym idzie, na układy pamięci, od których te procesory są zależne. Trzy fabryki na terenie kampusu pracują już w trybie całodobowym. Czwarta wchodzi do eksploatacji, a budowa piątej została wznowiona po roku, w którym perspektywy ekonomiczne wyglądały ponuro.

Kampus, który nigdy nie śpi

Kampus w Pjongczang leży w prowincji Gyeonggi i systematycznie się rozwijał od momentu uruchomienia pierwszej fabryki, znanej jako P1, w 2017 roku. Obecnie działają tam trzy fabryki, a właśnie w kolejnych dwóch objawia się największa ambicja spółki.

Układy pamięci dzielą się na dwie główne kategorie, a rozwój infrastruktury AI obciąża obie: DRAM zapewnia szybką pamięć operacyjną, z której korzystają procesory, natomiast NAND przechow dane długoterminowo. Ten podział kształtuje obecnie sposób, w jaki Samsung rozmieszcza swoje linie produkcyjne.

W P4 Samsung przekształca linię produkcyjną z NAND w dedykowaną linię DRAM. Linia DRAM P4 ma osiągnąć wydajność od 100 000 do 120 000 płytek krzemowych miesięcznie do pierwszego kwartału 2027 roku. Będzie wykorzystywać proces 1c firmy Samsung, najnowszą generację technologii produkcji DRAM.

Fabryka, którą wstrzymano, a potem wznowiono

P5 jest najbardziej wymownym elementem tej historii. Budowę piątej fabryki wstrzymano w 2024 roku, kiedy popyt na układy pamięci spadł. Następnie boom AI gwałtownie zwiększył popyt i prace zostały wznowione. Budowa kompleksu P5 przyspieszyła od tego czasu, a prace przy drugiej linii rozpoczęły się o sześć miesięcy wcześniej niż planowano.

Ten cykl wstrzymania i wznowienia odzwierciedla cykliczny charakter produkcji pamięci, w którym dostawcy ograniczają działalność w czasie dekoniunktury, a gonią za zwiększaniem mocy produkcyjnych, gdy popyt wraca — a ponieważ budowa fabryk trwa latami, decyzje podejmowane dziś kształtują podaż na wiele lat w przyszłość.

Każda fabryka P5 stanowi inwestycję przekraczającą 60 bilionów wonów. Fabryki zaprojektowano z trzypoziomowymi czystymi pomieszczeniami (cleanroomami), aby zmaksymalizować wydajność, a cele produkcyjne sięgają setek tysięcy płytek miesięcznie.

Zmiana struktury produkcji

Samsung nie tylko zwiększa nowe moce produkcyjne; przekształca również istniejące linie. Spółka przenosi część mocy produkcyjnych NAND na DRAM zarówno w Pjongczang, jak i w Hwaseong. Posunięcie to podyktowane jest niedoborem podaży DRAM serwerowego, w szczególności DDR5 — pamięci bieżącej generacji stosowanej w serwerach data center, na których opierają się usługi AI i chmurowe. Premie cenowe na serwerowym DDR5 osiągnęły 70%.

Wyniki finansowe odzwierciedlają tę zmianę. Zysk operacyjny Samsunga za trzeci kwartał 2026 roku przekroczył 100 bilionów wonów, co stanowi rekordowy wynik kwartalny wsparty sprzedażą HBM (pamięci o wysokiej przepustowości) i DRAM. HBM to premium odmiana DRAM zaprojektowana do przesyłania danych z bardzo dużą prędkością współpracując z akceleratorami AI.

Poza Pjongczang

Samsung wspiera również plan inwestycyjny wartości 360 bilionów wonów dla klastra w Yongin, który obejmie sześć nowych fabryk. Pierwsza z nich jest przewidywana na 2029 rok — harmonogram, który ilustruje, jak długo trwa planowanie i budowa najnowocześniejszych mocy produkcyjnych pamięci.

Co dalej

Realokacja wiąże się z potencjalnym efektem ubocznym w NAND: przesunięcie linii w stronę DRAM może nieznacznie ograniczyć podaż pamięci masowej.

Kluczowe kamienie milowe są teraz rozpisane w kalendarzu. Należą do nich to, czy P4 osiągnie miesięczny cel 100 000–120 000 płytek do pierwszego kwartału 2027 roku, czy premia cenowa serwerowego DDR5 utrzyma się wraz z pojawieniem się nowej podaży oraz czy pierwsza fabryka w Yongin pozostanie na course na 2029 rok.

Źródło: CryptoBriefing