AktualnościAkcjeNavitas Semiconductor (NVTS) otrzymuje zamówienie od armii USA na opracowanie zaawansowanych chipów zęzowych 10 kV

Navitas Semiconductor (NVTS) otrzymuje zamówienie od armii USA na opracowanie zaawansowanych chipów zęzowych 10 kV

Autor: Blockonomi·

Najważniejsze informacje

  • •Navitas Semiconductor uzyskała zamówienie od armii USA w ramach prototypowego programu ALATTIS na opracowanie tranzystorów IGBT 10 kV z węglika krzemu i diod PiN do zastosowań obronnych i infrastrukturalnych.
  • •Army Research Laboratory wybrała Navitas w drodze konkurencyjnego procesu opartego na technologii, niezawodności i możliwościach krajowego łańcucha dostaw, wspierając amerykańskie starania na rzecz zwiększenia mocy produkcyjnych półprzewodników.
  • •Planowane przyrządy 10 kV będą działać przy napięciu około 50% wyższym niż górna klasa 6,5 kV obecnego komercyjnego portfela GeneSiC, który trafił na rynek w 2021 roku.
  • •Akcje NVTS zyskały 0,15 USD do 11,88 USD we wtorek, odzyskując część 3,85% spadku z poprzedniej sesji po poniedziałkowym zamknięciu na 11,73 USD.
  • •Ogłoszenie nie zawierało wartości finansowej zamówienia ani harmonogramu produkcji, a projekt pozostaje skoncentrowany na rozwoju prototypu i walidacji procesu.
Navitas Semiconductor (NVTS) otrzymuje zamówienie od armii USA na opracowanie zaawansowanych chipów zęzowych 10 kV

Akcje Navitas Semiconductor Corporation (NVTS) były notowane we wtorek po 11,88 USD, w górę o 0,15 USD, po tym jak firma otrzymała zamówienie od armii USA na opracowanie zaawansowanych przyrządów mocy z węglika krzemu. Kontrakt finansuje program prototypowy skoncentrowany na przyrządach mocy 10 kV dla systemów obronnych i infrastrukturalnych oraz poszerza rolę Navitas w technologii ultra-wysokonapięciowej i krajowej produkcji półprzewodników. Zamówienie przesuwa również technologię chipów z węglika krzemu firmy do wyższej klasy napięcia niż jakikolwiek produkt obecnie sprzedawany.

Zamówienie armii USA w ramach prototypowego programu ALATTIS

Navitas uzyskała zamówienie armii w ramach prototypowego projektu ALATTIS, którego celem jest krajowy proces produkcji zaawansowanych przyrządów z węglika krzemu. Program koncentruje się na tranzystorach IGBT 10 kV i powiązanych diodach PiN do wymagających zastosowań energetycznych. Pracami kieruje Army Research Laboratory w ramach działań na rzecz wzmocnienia energoelektroniki dużej mocy dla krytycznych systemów obronnych i infrastrukturalnych. Szerokopasmowe właściwości materiałowe węglika krzemu pozwalają przyrządom mocy pracować przy wyższych napięciach i temperaturach niż konwencjonalny krzem, co stanowi podstawę roli tego materiału w energoelektronice dużej mocy dla obronności infrastruktury.

W ramach projektu Navitas zastosuje swoją opatentowaną architekturę planarną ze wsparciem bramki rowkowej wraz z zaawansowanymi technologiami diodowymi. Inżynierowie będą przechodzić przez powtarzające się cykle projektowania, fabricacji i testów, aby zwalidować proces produkcji nowych przyrządów. Podejście to ma na celu potwierdzenie wydajności, niezawodności i gotowości produkcyjnej przed szerszym wdrożeniem w zastosowaniach wojskowych lub infrastrukturalnych.

Navitas poinformowała, że armia wybrała firmę w drodze konkurencyjnego procesu opartego na technologii, niezawodności i możliwościach krajowego łańcucha dostaw. Projekt wspiera również amerykańskie starania na rzecz zwiększenia mocy produkcyjnych półprzewodników dla komponentów o znaczeniu strategicznym. Zamówienie daje Navitas kolejną ścieżkę do zastosowań, w których napięcie, wydajność i niezawodność pozostają kluczowymi wymaganiami.

Projekt ALATTIS rozszerza GeneSiC poza istniejące MOSFET-y

Program ALATTIS wypchnąłby Navitas poza istniejący portfel MOSFET-ów z węglika krzemu do innej kategorii przyrządów. W przeciwieństwie do MOSFET-a, tranzystor IGBT łączy wejście sterowane bramką z bipolarną warstwą przewodzącą — strukturę od dawna stosowaną w konwersji bardzo dużej mocy. Takie przyrządy mogą obsługiwać ekstremalnie wysokie napięcia i duże obciążenia w specjalistycznych systemach elektrycznych. Udany rozwój mógłby poszerzyć dostępny zakres technologiczny firmy na rynkach obronnych, sieciowych i przemysłowej energetyki.

Navitas sprzedaje już produkty w ramach portfela GeneSiC z węglika krzemu, obejmującego klasy napięć od 650 V do 6,5 kV. Firma komercyjnie wprowadziła swoją technologię MOSFET 6,5 kV z węglika krzemu w 2021 roku do zastosowań wysokonapięciowych. Ta wcześniejsza praca stanowi podstawę techniczną dla planowanego przejścia do rozwoju tranzystorów z węglika krzemu 10 kV, czyli klasy napięcia o około 50% wyższej niż obecny komercyjny szczyt portfela.

Nowe przyrządy połączą również istniejącą wiedzę materiałową Navitas z technikami produkcji zaprojektowanymi dla wyższych napięć i długoterminowej niezawodności. Diodami PiN utworzą kolejną część tej platformy i będą wspierać konwersję mocy w trudnych warunkach pracy. Te technologie mogłyby pomóc Navitas zbudować szerszą ofertę ultra-wysokonapięciową wykraczającą poza obecne komercyjne produkty z węglika krzemu.

Akcje NVTS zyskały 0,15 USD, osiągając 11,88 USD wTuesday handlu, ponieważ zamówienie armii dodało kolejny katalizator dla rozwijającego się biznesu półprzewodnikowego. Kurs zamknął się w poniedziałek na 11,73 USD po spadku o 3,85% w poprzedniej sesji. Tuesday ruch odzyskał część tej straty, podczas gdy szerszy rynek znajdował się pod presją rosnących rentowności długoterminowych obligacji skarbowych.

Projekt armijny dodaje również ekspozycję na sektor obronny do biznesu coraz bardziej skoncentrowanego na rynkach dużej mocy i zastosowaniach infrastrukturalnych. Navitas rozszerzyła prace nad węglikiem krzemu, kontynuując rozwój w zakresie azotku galu i systemów zasilania wysokiego napięcia. Te technologie celują w centra danych, infrastrukturę energetyczną, mobilność elektryczną, systemy przemysłowe i inny sprzęt energochłonny.

Ogłoszenie armii nie zawierało wartości finansowej zamówienia ani harmonogramu produkcji komercyjnej. Projekt pozostaje skoncentrowany na rozwoju prototypu i walidacji procesu, zanim pojawi się szersza faza produkcji. Jaśniejszy obraz wielkości finansowania, kamieni milowych rozwoju lub ścieżki do produkcji zależałby od przyszłych ujawnień Navitas lub armii. Mimo to wybór rozszerza prace Navitas w zakresie technologii ultra-wysokonapięciowego węglika krzemu i rozwoju półprzewodników w USA.