De aandelen van Navitas Semiconductor Corporation (NVTS) werden dinsdag verhandeld tegen $11,88, een stijging van $0,15, nadat het bedrijf een opdracht van het Amerikaanse leger binnensleepte voor de ontwikkeling van geavanceerde siliciumcarbide-vermogendelen. Het contract financiert een prototypeprogramma rond 10 kV-vermogendelen voor defensie- en infrastructuursystemen en verbreedt de rol van Navitas in ultrahoogspanningsvermogentechnologie en de Amerikaanse halfgeleiderproductie. De opdracht brengt de siliciumcarbide-chiptechnologie van het bedrijf bovendien in een hogere voltageklasse dan elk product dat het momenteel verkoopt.

Amerikaanse legeropdracht binnen ALATTIS-prototypeprogramma

Navitas verwierf de legeropdracht binnen het ALATTIS-prototypeproject, dat gericht is op een binnenlands productieproces voor geavanceerde siliciumcarbide-apparaten. Het programma richt zich op 10 kV geïsoleerde-gate bipolaire transistoren en bijbehorende PiN-diodes voor veeleisende vermogentoepassingen. Het Army Research Laboratory sponsort het werk als onderdeel van inspanningen om hoogvermogenselektronica voor kritieke defensie- en infrastructuursystemen te versterken. De breedbandige materiaaleigenschappen van siliciumcarbide stellen vermogensapparaten in staat op hogere spanningen en temperaturen te werken dan conventioneel silicium, wat de rol van het materiaal in hoogvermogenselektronica voor defensie en infrastructuur onderbouwt.

Binnen het project zal Navitas zijn gepatenteerde trench-assisted planaire architectuur toepassen in combinatie metavanceerde diodetechnologieën. Ingenieurs zullen herhaalde cycli van ontwerp, fabricage en testing doorlopen om een productieproces voor de nieuwe apparaten te valideren. Die aanpak moet prestaties, betrouwbaarheid en productiegereedheid aantonen voordat bredere inzet in militaire of infrastructuurtolpassingen volgt.

Navitas gaf aan dat het leger het bedrijf via een competitief proces heeft geselecteerd op basis van technologie, betrouwbaarheid en binnenlandse toeleveringsketencapaciteiten. Het project ondersteunt tevens de Amerikaanse inspanningen om meer halfgeleiderproductiecapaciteit op te bouwen voor strategisch belangrijke componenten. De opdracht geeft Navitas een extra route naar toepassingen waar spanning, efficiëntie en betrouwbaarheid cruciale eisen blijven.

ALATTIS-project breidt GeneSiC uit voorbij bestaande MOSFET's

Het ALATTIS-programma zou Navitas voorbij zijn bestaande siliciumcarbide-MOSFET-portfolio duwen naar een andere apparaatcategorie. In tegenstelling tot een MOSFET combineert een geïsoleerde-gate bipolaire transistor een gate-gestuurde ingang met een bipolaire geleidingslaag, een structuur die al lang wordt gebruikt in zeer hoogvermogenomzetting. Dergelijke apparaten kunnen extreem hoge spanningen en grote vermogenslasten aan in gespecialiseerde elektrische systemen. Een succesvolle ontwikkeling zou het toepasbare technologiereikwijdte van het bedrijf kunnen verbreden naar defensie-, netwerk- en industriële vermogensmarkten.

Navitas verkoopt al producten via zijn GeneSiC-siliciumcarbideportfolio, dat spanningswaarden omvat van 650 V tot 6,5 kV. Het bedrijf bracht zijn 6,5 kV siliciumcarbide-MOSFET-technologie in 2021 commercieel uit voor hoogspanningstoepassingen. Dat eerdere werk biedt de technische basis voor de geplande stap richting de ontwikkeling van 10 kV siliciumcarbide-transistoren, een spanningswaarde die ongeveer 50% boven de huidige commerciële bovengrens van het portfolio ligt.

De nieuwe apparaten zouden ook de bestaande materiaalkennis van Navitas combineren met productietechnieken die zijn ontworpen voor hogere spanningsprestaties en lange termijn betrouwbaarheid. PiN-diodes zullen een ander onderdeel van dat platform vormen en vermogensomzetting onder veeleisende bedrijfsomstandigheden ondersteunen. Deze technologieën zouden Navitas kunnen helpen een breder ultrahoogspanningsaanbod op te bouwen naast zijn huidige commerciële siliciumcarbideproducten.

NVTS-aandeel wint naarmate defensieblootstelling groeit

NVTS won dinsdag $0,15 naar $11,88, nu de legeropdracht een extra katalysator vormde voor het groeiende halfgeleiderbedrijf. Het aandeel was maandag gesloten op $11,73 na een daling van 3,85% in de voorgaande sessie. De beweging van dinsdag herstelde een deel van die daling, terwijl de bredere markt onder druk stond door hogere langetermijnrendementen op staatsobligaties.

Het legerproject voegt ook defensiebloot toe aan een bedrijf dat zich steeds meer richt op hoogvermogensmarkten en infrastructuurtolpassingen. Navitas heeft zijn siliciumcarbidewerk uitgebreid en zet de ontwikkeling voort op galliumnitride- en hoogspanningsvermogenssystemen. Deze technologieën richten zich op datacenters, energie-infrastructuur, elektrische mobiliteit, industriële systemen en andere vermogensintensieve apparatuur.

De aankondiging van het leger bevatte geen financiële waarde van de opdracht of een commerciële productieplanning. Het project blijft gericht op prototypeontwikkeling en procesvalidatie voordat een bredere productiefase kan ontstaan. Een duidelijker beeld van de financieringsomvang, ontwikkelmijlpalen of een pad naar productie zal afhangen van toekomstige bekendmakingen van Navitas of het leger. Niettemin breidt de selectie het werk van Navitas uit in ultrahoogspannings-siliciumcarbidetechnologie en Amerikaanse halfgeleiderontwikkeling.