NotizieAzioniSamsung amplia il polo semiconduttori di Pyeongtaek per soddisfare la domanda di memoria legata all'IA

Samsung amplia il polo semiconduttori di Pyeongtaek per soddisfare la domanda di memoria legata all'IA

Autore: CryptoBriefing·

Punti chiave

  • •Samsung sta convertendo la linea P4 di Pyeongtaek dalla NAND alla produzione dedicata di DRAM, con un obiettivo di 100.000-120.000 wafer al mese entro il primo trimestre 2027 utilizzando il processo 1c più recente.
  • •La costruzione dello stabilimento P5, interrotta nel 2024 quando la domanda di memoria era calata, è ripresa e accelerata, con un investimento di oltre 60.000 miliardi di won per ogni stabilimento P5.
  • •Samsung sta riallocando capacità NAND alla DRAM sia a Pyeongtaek sia a Hwaseong per far fronte a una carenza di DDR5 per server, dove i sovrapprezzi sui prezzi hanno raggiunto il 70%.
  • •L'utile operativo di Samsung nel terzo trimestre 2026 ha superato i 100.000 miliardi di won, un risultato trimestrale record rafforzato dalle vendite di HBM e DRAM.
  • •Samsung sostiene un piano di investimenti da 360.000 miliardi di won per un cluster di sei stabilimenti a Yongin, con il primo stabilimento previsto per il 2029.
Samsung amplia il polo semiconduttori di Pyeongtaek per soddisfare la domanda di memoria legata all'IA

Samsung sta ampliando il proprio complesso di produzione di semiconduttori a Pyeongtaek, in Corea del Sud, trasformandolo in uno dei siti di produzione di memoria più ambiziosi al mondo. La spinta arriva dal boom dell'intelligenza artificiale, che fa crescere la domanda di GPU e, di conseguenza, dei chip di memoria da cui queste dipendono. Tre stabilimenti del campus operano già senza sosta. Un quarto sta per entrare in funzione e un quinto è tornato in costruzione dopo un anno in cui gli equilibri economici apparivano difficili.

Un campus che non dorme mai

Il campus di Pyeongtaek si trova nella provincia di Gyeonggi ed è cresciuto costantemente dal 2017, quando è stato avviato il primo stabilimento, noto come P1. Il sito ospita ora tre stabilimenti attivi, e i prossimi due sono dove le ambizioni dell'azienda sono più visibili.

I chip di memoria rientrano in due grandi categorie, e la corsa all'IA sta sottoponendo entrambe a pressione: la DRAM fornisce la memoria di lavoro veloce su cui i process si affidano, mentre la NAND memorizza i dati nel lungo termine. Questa distinzione sta ora orientando il modo in cui Samsung distribuisce le proprie linee di produzione.

A P4, Samsung sta convertendo una linea di produzione da NAND a una linea dedicata alla DRAM. La linea DRAM di P4 punta a una capacità produttiva di 100.000-120.000 wafer al mese entro il primo trimestre 2027. Utilizzerà il processo 1c di Samsung, l'ultima generazione della tecnologia di produzione DRAM dell'azienda.

Lo stabilimento sospeso e poi riavviato

P5 è l'elemento più rivelatore della vicenda. La costruzione del quinto stabilimento fu interrotta nel 2024, quando la domanda di chip di memoria era diminuita. Il boom dell'IA ha quindi fatto schizzare la domanda alle stelle e i lavori sono ripresi. La costruzione del complesso P5 si è accelerata, con l'avvio della seconda linea arrivato con sei mesi di anticipo sui tempi previsti.

Lo schema di sospensione e riavvio riflette la natura ciclica della produzione di memoria, in cui i fornitori ridimensionano durante le fasi di recessione e si affrettano ad aggiungere capacità quando la domanda ritorna — e poiché gli stabilimenti richiedono anni per essere costruiti, le decisioni prese oggi plasmano l'offerta ben oltre il futuro prossimo.

Ogni stabilimento P5 rappresenta un investimento di oltre 60.000 miliardi di won. Gli stabilimenti sono progettati con cleanroom a tre piani per massimizzare la produzione, e gli obiettivi di capacità raggiungono le centinaia di migliaia di wafer al mese.

Cambia il mix produttivo

Samsung non sta solo aggiungendo nuova capacità; sta anche riconvertendo le linee esistenti. L'azienda sta riallocando parte della capacità produttiva NAND alla DRAM sia presso lo stabilimento di Pyeongtaek sia in quello di Hwaseong. La mossa è guidata da una carenza di offerta di DRAM per server, in particolare DDR5, lo standard di memoria di attuale generazione nei server dei data center che sostengono i servizi di IA e cloud. I sovrapprezzi sui prezzi del DDR5 per server hanno raggiunto il 70%.

I risultati finanziari riflettono questo cambio di rotta. L'utile operativo di Samsung nel terzo trimestre 2026 ha superato i 100.000 miliardi di won, un risultato trimestrale record rafforzato dalle vendite di HBM (memoria ad alta larghezza di banda) e DRAM. L'HBM è una forma premium di DRAM progettata per trasferire dati ad altissima velocità a fianco degli acceleratori IA.

Oltre Pyeongtaek

Samsung sostiene anche un piano di investimenti da 360.000 miliardi di won per un cluster a Yongin, che comprenderà sei nuovi stabilimenti. Il primo è previsto per il 2029 — una tempistica che illustra quanto tempo occorre per pianificare e costruire capacità di memoria all'avanguardia.

I pross passi

La riallocazione comporta un potenziale effetto a catena sulla NAND: lo spostamento di linee verso la DRAM potrebbe ridurre ai margini l'offerta di memoria per l'archiviazione.

Le principali scadenze sono ormai fissate sul calendario. Tra queste, se P4 raggiungerà l'obiettivo di 100.000-120.000 wafer al mese entro il primo trimestre 2027, se il sovrapprezzo del DDR5 per server si manterrà all'arrivo di nuova offerta, e se il primo stabilimento di Yongin rispetterà la data del 2029.

Fonte: CryptoBriefing