Samsung Electronics ha presentato il suo portafoglio di memoria AI di nuova generazione alla conferenza Future of Memory and Storage (FMS) 2026 a Santa Clara, California, illustrando una roadmap tecnologica progettata per rispondere alla rapida crescita della domanda di high-performance computing e infrastrutture di intelligenza artificiale.

L’azienda ha esposto circa 30 tecnologie di memoria e storage in uno stand ispirato ai server cloud AI. Jin-Yub Lee, Executive Vice President e Head of Flash Product & Technology, e Kyungryun Kim, Vice President del DRAM Design Team, hanno tenuto il keynote di apertura, intitolato “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture.”

Le architetture verticali puntano a ridefinire l’integrazione tra memoria e processore

Al centro della roadmap di Samsung ci sono due concept model che modificano in modo significativo il modo in cui la memoria si collega ai processori. L’azienda ha introdotto zHBM, che impila verticalmente la memoria ad alta larghezza di banda direttamente sopra gli acceleratori AI invece di posizionarla accanto al chip. Samsung ha affermato che questo approccio accorcia il percorso dei dati e offre circa otto volte le prestazioni di HBM5, oltre dieci volte la densità di memoria e tre volte l’efficienza energetica, riducendo al contempo la resistenza termica di oltre la metà.

L’architettura supporta inoltre l’integrazione di proprietà intellettuale personalizzata tra i livelli, consentendo configurazioni su misura per acceleratori specifici. Oltre a zHBM, Samsung ha mostrato in anteprima zNAND-O, una soluzione basata su V-NAND disponibile nelle varianti a quattro e otto livelli, che combina elevata efficienza di spazio e bassa latenza per carichi di lavoro edge AI in tempo reale.

Samsung presenta V10 BV-NAND e definisce la roadmap produttiva

Samsung ha inoltre annunciato V10 BV-NAND, che ha descritto come la prima architettura Bonding V-NAND del settore resa possibile dalla nuova tecnologia di wafer bonding. Con oltre 400 layer, il dispositivo aumenta la densità di memoria di circa il 58% rispetto alla precedente generazione V9, migliorando al contempo le prestazioni di lettura, scrittura e I/O. Samsung ha affermato che questo traguardo arriva 13 anni dopo l’introduzione della prima V-NAND del settore.

Oltre all’hardware concept, Samsung ha illustrato la propria roadmap produttiva di breve periodo. Dopo quella che ha descritto come la prima produzione di massa di HBM4 nel mese di febbraio, l’azienda ha iniziato a spedire campioni di HBM4E a maggio e ha mostrato il modello HBM5 a FMS 2026. Samsung ha inoltre presentato LPDDR5X-PIM, che ha definito la prima memoria DDR a basso consumo del settore con tecnologia processing-in-memory. Il sistema esegue i calcoli all’interno della memoria per ridurre il movimento dei dati e il consumo energetico, un approccio progettuale sempre più rilevante man mano che i sistemi AI aumentano le esigenze di larghezza di banda ed efficienza della memoria.

Per l’infrastruttura dei data center, Samsung ha messo in evidenza le soluzioni di storage enterprise PM1763 e BM1773. L’azienda ha affermato che, in quanto unico produttore integrato di dispositivi con capacità leader in memory, foundry e packaging avanzato, sta promuovendo una strategia turnkey end-to-end che combina servizi di progettazione e produzione per accorciare i cicli di sviluppo e migliorare le prestazioni per i clienti dei semiconduttori AI.