Le azioni di Navitas Semiconductor Corporation (NVTS) hanno scambiato a 11,88 dollari martedì, in rialzo di 0,15 dollari, dopo che la società si è aggiudicata un contratto dall'esercito statunitense per lo sviluppo di dispositivi di potenza avanzati in carburo di silicio. Il contratto finanzia un programma di prototipazione incentrato su dispositivi di potenza da 10 kV per sistemi di difesa e infrastrutture, e amplia il ruolo di Navitas nella tecnologia di potenza a ultra-alta tensione e nella produzione nazionale di semiconduttori. Il premio spinge inoltre la tecnologia di chip in carburo di silicio della società in una classe di tensione superiore a quella di qualsiasi prodotto attualmente in vendita.

Contratto dell'esercito statunitense nell'ambito del programma di prototipazione ALATTIS

Navitas ha ottenuto il contratto dall'esercito nell'ambito del progetto di prototipazione ALATTIS, che punta a un processo nazionale per la produzione di dispositivi avanzati in carburo di silicio. Il programma si concentra su transistor bipolari a gate isolato da 10 kV e sui relativi diodi PiN per applicazioni di potenza esigenti. L'Army Research Laboratory sponsorizza il lavoro nell'ambito degli sforzi per rafforzare l'elettronica di alta potenza per sistemi critici di difesa e infrastrutture. Le proprietà dei materiali a banda larga del carburo di silicio consentono ai dispositivi di potenza di operare a tensioni e temperature più elevate rispetto al silicio convenzionale, il che sostiene il ruolo del materiale nell'elettronica di alta potenza per difesa e infrastrutture.

Nell'ambito del progetto Navitas applicherà la sua architettura planare con struttura a trincea brevettata insieme a tecnologie avanzate di diodi. Gli ingegneri procederanno attraverso cicli ripetuti di progettazione, fabbricazione e test per validare un processo produttivo per i nuovi dispositivi. Questo approccio mira a dimostrare prestazioni, affidabilità e prontezza produttiva prima di un'adozione più ampia in applicazioni militari o di infrastrutture.

Navitas ha dichiarato che l'esercito ha selezionato la società attraverso un processo competitivo basato su tecnologia, affidabilità e capacità della filiera nazionale. Il progetto sostiene inoltre gli sforzi degli Stati Uniti per aumentare la capacità produttiva di semiconduttori per componenti strategicamente importanti. Il contratto offre a Navitas un'altra via d'accesso alle applicazioni in cui tensione, efficienza e affidabilità restano requisiti fondamentali.

Il progetto ALATTIS estende GeneSiC oltre gli attuali MOSFET

Il programma ALATTIS spingerebbe Navitas oltre il suo attuale portfolio di MOSFET in carburo di silicio verso una diversa categoria di dispositivi. A differenza di un MOSFET, un transistor bipolare a gate isolato combina un ingresso controllato a gate con uno strato di conduzione bipolare, una struttura utilizzata da tempo nella conversione di potenza molto elevata. Tali dispositivi possono supportare tensioni estremamente elevate e grandi carichi di potenza in sistemi elettrici specializzati. Uno sviluppo di successo potrebbe ampliare la gamma tecnologica accessibile della società nei mercati della difesa, della rete elettrica e della potenza industriale.

Navitas vende già prodotti tramite il suo portfolio GeneSiC in carburo di silicio, che copre tensioni da 650 V a 6,5 kV. La società ha rilasciato commercialmente la sua tecnologia MOSFET in carburo di silicio da 6,5 kV nel 2021 per applicazioni ad alta tensione. Quel lavoro precedente fornisce il background tecnico per la prevista migrazione verso lo sviluppo di transistor in carburo di silicio da 10 kV, una tensione superiore di circa il 50% rispetto all'attuale massimo commerciale del portfolio.

I nuovi dispositivi combinerebbero inoltre l'esperienza materiali esistente di Navitas con tecniche di produzione progettate per prestazioni a tensione più elevata e affidabilità a lungo termine. I diodi PiN costituirebbero un'altra parte di quella piattaforma e supporterebbero la conversione di potenza in condizioni operative esigenti. Queste tecnologie potrebbero aiutare Navitas a costruire un'offerta più ampia di ultra-alta tensione oltre i suoi attuali prodotti commerciali in carburo di silicio.

Le azioni NVTS guadagnano mentre cresce l'esposizione alla difesa

NVTS ha guadagnato 0,15 dollari a 11,88 dollari negli scambi di martedì, mentre il contratto dell'esercito ha aggiunto un altro catalizzatore per il business dei semiconduttori in espansione. Il titolo aveva chiuso lunedì a 11,73 dollari dopo una flessione del 3,85% nella seduta precedente. Il movimento di martedì ha recuperato parte di tale calo mentre il mercato più ampio subiva pressioni dall'aumento dei rendimenti dei Treasury a lungo termine.

Il progetto dell'esercito aggi inoltre un'esposizione alla difesa a un business sempre più orientato verso mercati ad alta potenza e applicazioni infrastrutturali. Navitas ha ampliato il suo lavoro sul carburo di silicio proseguendo lo sviluppo anche su nitruro di gallio e sistemi di potenza ad alta tensione. Queste tecnologie puntano a data center, infrastrutture energetiche, mobilità elettrica, sistemi industriali e altre apparecchiature ad alto consumo di potenza.

L'annuncio dell'esercito non ha incluso il valore economico del contratto né un calendario di produzione commerciale. Il progetto rimane incentrato sullo sviluppo di prototipi e sulla validazione del processo prima che possa emergere una fase produttiva più ampia. Un quadro più chiaro dell'entità dei finanziamenti, delle tappe di sviluppo o del percorso verso la produzione dipenderà da future comunicazioni di Navitas o dell'esercito. Ciononostante, la selezione amplia il lavoro di Navitas nella tecnologia in carburo di silicio a ultra-alta tensione e nello sviluppo di semiconduttori negli Stati Uniti.