Samsung agrandit son hub semiconducteur de Pyeongtaek pour répondre à la demande en mémoire tirée par l'IA
Points clés
- •Samsung convertit la ligne P4 de Pyeongtaek du NAND vers une production dédiée au DRAM, avec un objectif de 100 000 à 120 000 wafers par mois d'ici le premier trimestre 2027 grâce à son dernier procédé 1c.
- •La construction de la fab P5, interrompue en 2024 lors de la baisse de la demande de mémoire, a repris et s'est accélérée, chaque fab P5 nécessitant un investissement de plus de 60 000 milliards de wons.
- •Samsung réaffecte des capacités NAND vers le DRAM à Pyeongtaek et Hwaseong pour faire face à une pénurie de DDR5 serveur, où les primes de prix ont atteint 70 %.
- •Le résultat opérationnel de Samsung au troisième trimestre 2026 a dépassé 100 000 milliards de wons, un record trimestriel porté par les ventes de HBM et de DRAM.
- •Samsung soutient un plan d'investissement de 360 000 milliards de wons pour un cluster de six fabs à Yongin, la première étant annoncée pour 2029.
Samsung agrandit son complexe de fabrication semiconducteur de Pyeongtaek, en Corée du Sud, pour en faire l'un des sites de production de mémoire les plus ambitieux au monde. Cette expansion intervient alors que le boom de l'intelligence artificielle stimule la demande de GPU et, par ricochet, celle des puces mémoire dont ces GPU dépendent. Trois fabs du site tournent déjà sans relâche. Une quatrième entre en service, et une cinquième est de nouveau en construction après une année où les perspectives économiques semblaient sombres.
Un campus qui ne dort jamais
Le campus de Pyeongtaek se situe dans la province du Gyeonggi et s'est développé régulièrement depuis la mise en service de sa première fab, connue sous le nom de P1, en 2017. Le site compte désormais trois fabs actives, et les deux suivantes concentrent les ambitions les plus visibles de l'entreprise.
Les puces mémoire se répartissent en deux grandes catégories, toutes deux mises sous tension par l'essor de l'IA : la DRAM fournit la mémoire de travail rapide sur laquelle s'appuient les processeurs, tandis que la NAND stocke les données sur le long terme. Cette distinction façonne désormais la manière dont Samsung déploie ses lignes de production.
À P4, Samsung convertit une ligne de production du NAND en une ligne dédiée au DRAM. La ligne DRAM de P4 vise une capacité de production de 100 000 à 120 000 wafers par mois d'ici le premier trimestre 2027. Elle utilisera le procédé 1c de Samsung, la dernière génération de sa technologie de fabrication DRAM.
La fab qui a été mise en pause, puis relancée
P5 est l'élément le plus révélateur de cette histoire. La construction de la cinquième fab avait été interrompue en 2024, lorsque la demande de puces mémoire avait chuté. Le boom de l'IA a ensuite fait exploser la demande, et les travaux ont repris. La construction du complexe P5 s'est depuis accélérée, la première pierre de la deuxième ligne étant posée avec six mois d'avance sur le calendrier.
Ce schéma d'arrêt et de reprise reflète la nature cyclique de la fabrication de mémoire : les fournisseurs réduisent la voilure pendant les ralentissements et se ruent sur les nouvelles capacités lorsque la demande revient — et comme les fabs demandent des années de construction, les décisions prises aujourd'hui façonnent l'offre bien dans l'avenir.
Chaque fab P5 représente un investissement de plus de 60 000 milliards de wons. Les fabs sont conçues avec des salles blanches à triple niveau pour maximiser la production, et les objectifs de capacité se chiffrent en centaines de milliers de wafers par mois.
Une réorientation du mix de production
Samsung ne se contente pas d'ajouter de nouvelles capacités : il réaffecte également des lignes existantes. L'entreprise transfère une partie de sa capacité de production NAND vers le DRAM sur ses sites de Pyeongtaek et de Hwaseong. Cette décision est motivée par une pénurie de DRAM serveur, en particulier de DDR5, la norme mémoire de la génération actuelle dans les serveurs de centres de données qui soutiennent l'IA et les services cloud. Les primes sur les prix du DDR5 serveur ont atteint 70 %.
Les résultats financiers reflètent cette évolution. Le résultat opérationnel de Samsung au troisième trimestre 2026 a dépassé 100 000 milliards de wons, un record trimestriel port par les ventes de HBM (mémoire à large bande passante) et de DRAM. Le HBM est une forme haut de gamme de DRAM conçue pour transférer les données à très haute vitesse aux côtés des accélérateurs IA.
Au-delà de Pyeongtaek
Samsung soutient également un plan d'investissement de 360 000 milliards de wons pour un cluster à Yongin, qui comprendra six nouvelles fabs. La première est annoncée pour 2029 — un calendrier qui illustre le temps nécessaire pour planifier et construire des capacités mémoire de pointe.
La suite
Cette réaffectation entraîne un effet potentiel sur le NAND : la conversion de lignes vers le DRAM pourrait réduire marginalement l'offre de mémoire de stockage.
Les principales échéances sont désormais inscrites au calendrier. Il s'agira notamment de savoir si P4 atteint son objectif mensuel de 100 000 à 120 000 wafers d'ici le premier trimestre 2027, si la prime sur le DDR5 serveur se maintient à mesure que l'offre nouvelle arrive, et si la première fab de Yongin reste bien alignée sur 2029.
Source : CryptoBriefing
