Les actions de Navitas Semiconductor Corporation (NVTS) se négociaient à 11,88 $ mardi, en hausse de 0,15 $, après que la société a obtenu un contrat de l'armée américaine pour développer des composants de puissance avancés en carbure de silicium. Le contrat finance un programme de prototypes axé sur des dispositifs de puissance 10 kV pour les systèmes de défense et d'infrastructure, et il élargit le rôle de Navitas dans les technologies de puissance à ultra-haute tension et la fabrication domestique de semi-conducteurs. Ce contrat pousse également la technologie de puces en carbure de silicium de la société vers une classe de tension supérieure à celle de tout produit actuellement commercialisé.

Un contrat de l'armée américaine dans le cadre du programme de prototypes ALATTIS

Navitas a obtenu le contrat de l'armée dans le cadre du projet de prototypes ALATTIS, qui vise un procédé domestique de fabrication de dispositifs avancés en carbure de silicium. Le programme se concentre sur des transistors bipolaires à grille isolée de 10 kV et des diodes PiN associées pour des applications de puissance exigeantes. L'Army Research Laboratory parraine ces travaux dans le cadre des efforts visant à renforcer l'électronique de forte puissance pour les systèmes critiques de défense et d'infrastructure. Les propriétés des matériaux à large bande interdite du carbure de silicium permettent aux composants de puissance de fonctionner à des tensions et températures plus élevées que le silicium conventionnel, ce qui fonde le rôle de ce matériau dans l'électronique de forte puissance pour la défense et les infrastructures.

Dans le cadre du projet, Navitas appliquera son architecture planaire à tranchée brevetée ainsi que des technologies de diodes avancées. Les ingénieurs effectueront des cycles répétés de conception, de fabrication et de tests pour valider un procédé de fabrication des nouveaux dispositifs. Cette approche vise à démontrer les performances, la fiabilité et la aptitude à la production avant un déploiement plus large dans des applications militaires ou d'infrastructure.

Navitas a indiqué que l'armée avait sélectionné la société via un processus concurrentiel fondé sur la technologie, la fiabilité et les capacités de chaîne d'approvisionnement domestique. Le projet soutient également les efforts des États-Unis pour accroître leur capacité de fabrication de semi-conducteurs pour des composants stratégiquement importants. Ce contrat offre à Navitas une voie supplémentaire vers des applications où la tension, l'efficacité et la fiabilité demeurent des exigences critiques.

Le projet ALATTIS étend GeneSiC au-delà des MOSFET existants

Le programme ALATTIS devrait pousser Navitas au-delà de son portefeuille actuel de MOSET en carbure de silicium vers une catégorie de dispositifs différente. Contrairement à un MOSFET, un transistor bipolaire à grille isolée combine une entrée commandée par grille avec une couche de conduction bipolaire, une structure longtemps utilisée dans la conversion de très forte puissance. De tels dispositifs peuvent supporter des tensions extrêmement élevées et de fortes charges électriques dans des systèmes spécialisés. Un développement réussi pourrait élargir la gamme technologique accessible à la société sur les marchés de la défense, des réseaux électriques et de la puissance industrielle.

Navitas vend déjà des produits via son portefeuille GeneSiC en carbure de silicium, qui couvre des plages de tension de 650 V à 6,5 kV. La société a commercialisé sa technologie de MOSFET en carbure de silicium 6,5 kV en 2021 pour des applications haute tension. Ces travaux antérieurs constituent le socle technique du projet de passage aux transistors en carbure de silicium 10 kV, une tension environ 50 % supérieure au plafond commercial actuel du portefeuille.

Les nouveaux dispositifs combineraient également l'expertise matérielle existante de Navitas à des techniques de fabrication conçues pour des performances à plus haute tension et une fiabilité à long terme. Les diodes PiN constitueraient une autre composante de cette plateforme et prendraient en charge la conversion de puissance dans des conditions de fonctionnement exigeantes. Ces technologies pourraient aider Navitas à bâtir une offre ultra-haute tension plus large au-delà de ses produits commerciaux actuels en carbure de silicium.

Le titre NVTS progresse à mesure que l'exposition à la défense s'élargit

NVTS a gagné 0,15 $ pour atteindre 11,88 $ lors de la séance de mardi, le contrat de l'armée ajoutant un nouveau catalyseur pour cette activité de semi-conducteurs en expansion. Le titre avait clôturé lundi à 11,73 $ après une baisse de 3,85 % lors de la séance précédente. Le mouvement de mardi a permis de récupérer une partie de ce recul, tandis que le marché dans son ensemble subissait la pression de la hausse des rendements des obligations du Trésor à long terme.

Le projet de l'armée ajoute également une exposition à la défense à une activité de plus en plus axée sur les marchés de forte puissance et les applications d'infrastructure. Navitas a développé ses travaux sur le carbure de silicium tout en poursuivant le développement dans le nitrure de gallium et les systèmes de puissance haute tension. Ces technologies ciblent les centres de données, les infrastructures énergétiques, la mobilité électrique, les systèmes industriels et d'autres équipements à forte consommation d'énergie.

L'annonce de l'armée n'a pas précisé la valeur financière du contrat ni de calendrier de production commerciale. Le projet reste axé sur le développement de prototypes et la validation du procédé avant toute phase de fabrication plus large. Une vision plus claire du montant du financement, des jalons de développement ou d'une voie vers la production dépendra de futures annonces de Navitas ou de l'armée. Néanmoins, cette sélection élargit les travaux de Navitas sur la technologie du carbure de silicium à ultra-haute tension et le développement de semi-conducteurs aux États-Unis.