SK hynix lanzó formalmente el jueves su proyecto de empaquetado avanzado de chips en Indiana, una instalación que producirá la primera memoria de alto ancho de banda (HBM) fabricada en Estados Unidos.

La ceremonia de inauguración de obras se realizó en la Universidad Purdue, en West Lafayette, Indiana, más de dos años después de que la compañía anunciara la inversión en abril de 2024. Se espera que la planta complete su sala limpia en octubre de 2028 e inicie la producción en masa en el tercer trimestre de 2029.

Una vez en operación, la instalación tomará chips DRAM producidos en Corea y los apilará y empaquetará en HBM, la memoria de alto rendimiento que se usa junto a procesadores como los aceleradores de IA de Nvidia. El empaquetado avanzado, durante mucho tiempo considerado una etapa final de márgenes más bajos en la fabricación de chips, se ha convertido en un eslabón crítico de la cadena de hardware de IA, ya que la demanda de aceleradores ha tensionado la capacidad mundial de apilamiento e interconexión de chips de memoria. SK hynix lidera el mercado global de HBM, por delante de Samsung Electronics y Micron, los únicos otros grandes productores de este tipo de memoria en el mundo. El CEO de SK hynix, Kwak Noh-jung, dijo que la planta tendrá capacidad para procesar varios cientos de miles de obleas DRAM al año.

"Aquí en Indiana construiremos la primera instalación de empaquetado avanzado de HBM de Estados Unidos", dijo Kwak. "Proporcionaremos a nuestros clientes una nueva fuente de 'HBM hecho en EE. UU.', al tiempo que fortalecemos la cadena de suministro de semiconductores de Estados Unidos y contribuimos a la seguridad nacional y económica".

Kwak añadió que la empresa colaborará con clientes, universidades y socios comerciales para desarrollar tecnologías de empaquetado de próxima generación, acelerando el desarrollo de prototipos y la validación de rendimiento.

El vicepresidente de SK Inc. y CEO de SK Americas, Yu Jeong-joon, agradeció a los socios su apoyo al proyecto de Indiana y destacó la amplia presencia inversora del grupo SK en Estados Unidos en semiconductores, energía y tecnologías avanzadas.

"SK ha construido una presencia sólida en semiconductores, energía y tecnologías avanzadas", dijo Yu. "Se espera que nuestras inversiones y activos en Estados Unidos superen los 45.000 millones de dólares para 2030. Creemos que estas capacidades pueden conjugarse para ayudar a construir e impulsar la próxima generación de infraestructura de IA de Estados Unidos".

SK hynix también firmó un memorando de entendimiento con la Universidad Purdue para ampliar la cooperación en investigación y pruebas de HBM de próxima generación y aprovechar el talento de ingeniería de la universidad. La planta se construye en terrenos de propiedad de Purdue en West Lafayette.

La inauguración de obras llega en medio del impulso de la administración de Trump para que los fabricantes de chips amplíen la producción en suelo estadounidense. El secretario de Comercio de EE. UU., Howard Lutnick, pidió el mes pasado más fabricación nacional de chips de memoria durante un evento que marcaba el avance de la construcción en la megafábrica que Micron Technology planea en Nueva York.

En total, el fabricante de chips de memoria planea invertir más de 4.000 millones de dólares en la instalación de Indiana. Bajo la Ley CHIPS y de Ciencia, el gobierno de EE. UU. acordó proporcionar hasta 458 millones de dólares en fondos directos y 500 millones de dólares en préstamos. El proyecto también se alinea con un impulso más amplio de Estados Unidos por reconstruir el empaquetado avanzado, un segmento de la cadena de suministro de chips que sigue muy concentrado en Asia Oriental; la Ley CHIPS destinó aproximadamente 3.000 millones de dólares a un programa nacional dedicado de fabricación de empaquetado avanzado.

Bill Frauenhofer, director ejecutivo de Inversión e Innovación en Semiconductores del Departamento de Comercio de EE. UU., que supervisa el programa CHIPS, dijo que el proyecto de Indiana fortalecería las capacidades de Estados Unidos en empaquetado avanzado e investigación de semiconductores.

"Este proyecto y el centro de I+D representan una oportunidad importante no solo para llevar capacidades de vanguardia a Estados Unidos, sino para ayudar a desarrollar las innovaciones que definirán lo que viene después", dijo Frauenhofer. "Al establecer esas capacidades aquí en Indiana, SK hynix ayuda a fortalecer la posición de Estados Unidos en un punto crítico de la cadena global de suministro de semiconductores".

La planta de Indiana combinará el empaquetado avanzado de HBM con la investigación y el desarrollo de futuras generaciones de esta tecnología de memoria. SK hynix produce actualmente HBM4, su producto de HBM de sexta generación, que se usará en la plataforma de IA Vera Rubin de Nvidia, mientras desarrolla su sucesor, el HBM4E. La demanda de HBM ha aumentado bruscamente con la construcción de centros de datos de IA, lo que lo convierte en el segmento de productos de mayor crecimiento de la industria de la memoria.

La construcción comenzó en abril, meses antes de la ceremonia formal del jueves. Las estructuras y columnas ya se alzan en el sitio de aproximadamente 540.000 metros cuadrados.

Se espera que alrededor de 1.000 personas trabajen en la instalación una vez que esté plenamente operativa. SK hynix también evalúa a más de 100 posibles proveedores de materiales, componentes y equipos, y se prevé que el proyecto en su conjunto genere alrededor de 7.000 empleos directos e indirectos en la construcción, las operaciones y la cadena de suministro local.

SK Group también se sumó a una iniciativa de contratación de exmilitares estadounidenses que estuvieron destinados en Corea, ofreciendo oportunidades laborales a través de una plataforma gestionada por la Cámara de Comercio e Industria de Corea y la Fundación de la Alianza Corea-EE. UU. La asociación también puso de relieve los vínculos de Indiana con Corea: alrededor de 140.000 soldados de ese estado sirvieron en la Guerra de Corea.

La embajadora de Corea en Estados Unidos, Kang Kyung-wha, el gobernador de Indiana, Mike Braun, y el senador republicano por Indiana, Todd Young, acompañaron a Kwak y a otros ejecutivos de la empresa en la ceremonia del jueves. El presidente de SK Group, Chey Tae-won, y el CEO de Nvidia, Jensen Huang, cuya posible asistencia había atraído atención antes del evento, no estuvieron presentes.

Fuente: Korea Herald Business