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SK Hynix negocia con Intel la externalización de la producción de la base die de HBM de próxima generación

Autor: CryptoBriefing·

Puntos clave

  • SK Hynix negocia supuestamente con Intel Foundry la fabricación de las base die para sus stacks de memoria HBM4E de próxima generación.
  • La tecnología de empaquetado EMIB de Intel se evalúa como alternativa al CoWoS de TSMC y podría reducir los costos de empaquetado en torno al 50% en ciertos casos de uso.
  • Las base die de HBM cuestan, según los informes, entre 3 y 4 veces más que los dies de DRAM básicos de SK Hynix, por lo que el ahorro de costos sería significativo.
  • SK Hynix construye una planta de empaquetado avanzado en West Lafayette, Indiana, con una inversión superior a los 4.000 millones de dólares, con miras a la producción en volumen de HBM en el segundo semestre de 2029.
  • Samsung desarrolla sus propios procesos de fundición de 4 nm específicamente para las base die de HBM4, lo que añade presión competitiva sobre SK Hynix.
SK Hynix negocia con Intel la externalización de la producción de la base die de HBM de próxima generación

SK Hynix, el proveedor dominante a nivel mundial de chips de memoria de alto ancho de banda utilizados en centros de datos de IA, mantiene supuestamente conversaciones para que Intel Foundry fabrique la base die de sus stacks de memoria HBM4E de próxima generación. Un movimiento así representaría un cambio significativo en la cadena de suministro de semiconductores, posicionando a Intel como una alternativa directa a TSMC para uno de los componentes más críticos del hardware de IA.

Según un informe del medio coreano The Herald Business, SK Hynix ya no se siente cómodo dependiendo de un único proveedor para las base die lógicas que constituyen el fundamento de sus stacks HBM.

Por qué importa la base die

La memoria de alto ancho de banda funciona apilando verticalmente múltiples dies de DRAM sobre una base die, que actúa como controladora e interfaz entre la memoria y el procesador. Para HBM4, SK Hynix comenzó a externalizar la producción de base die a TSMC en 2026. Estas base die son costosas: según los informes, cuestan entre 3 y 4 veces más que los dies de DRAM básicos de SK Hynix, lo que significa que cualquier reducción de costos en este componente repercute directamente en los resultados.

Ahí es donde entra Intel. La tecnología EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) de Intel se está evaluando como alternativa al empaquetado avanzado CoWoS de TSMC. Las evaluaciones iniciales sugieren que EMIB podría reducir los costos de empaquetado en aproximadamente un 50% en ciertos casos de uso frente a CoWoS, lo que ayuda a explicar por qué la capacidad y el acceso al empaquetado avanzado se han convertido en un asunto central para las cadenas de suministro de chips de IA.

Un salvavidas para las ambiciones de fundición de Intel

Las pruebas de integración de EMIB con los diseños HBM de SK Hynix supuestamente están en marcha desde principios de 2026. El avance de la evaluación técnica a la planificación de la cadena de suministro sugiere que los resultados han sido lo suficientemente alentadores como para hacer progresar las conversaciones de alianza.

Para Intel, un eventual papel en la producción de base die de HBM4E sumaría otra posible relación con clientes en un momento en que la empresa busca expandir su negocio de fundición más allá de su propia hoja de ruta de chips. Para SK Hynix, ampliar la base de proveedores podría reducir la dependencia de una única fundición para un componente que está en el centro del rendimiento de la memoria para IA y de la complejidad del empaquetado.

El panorama general: una apuesta de 4.000 millones de dólares a la manufactura en EE. UU.

La posible alianza con Intel se enmarca en un patrón más amplio de fuertes inversiones de SK Hynix en la resiliencia de su cadena de suministro. La empresa ha iniciado la construcción de una planta de empaquetado avanzado en West Lafayette, Indiana, con una inversión superior a los 4.000 millones de dólares. Esa instalación apunta a la producción en volumen de HBM de próxima generación hacia el segundo semestre de 2029.

La presión competitiva también influye. Samsung, el principal rival de SK Hynix en el mercado de memoria, ha estado desarrollando sus propios procesos de fundición de 4 nm específicamente para las base die de HBM4. En ese contexto, el movimiento hacia múltiples opciones de fabricación refleja una industria donde el empaquetado, el abastecimiento de base die y las alianzas con fundiciones están cada vez más entrelazados con el ritmo del despliegue de hardware de IA.