Samsung Electronics y SK Hynix planean modernizar sus plantas de manufactura en China para producir memoria flash NAND más avanzada, en un contexto de creciente competencia con su rival local Yangtze Memory Technologies (YMTC) y de una demanda en aumento de los centros de datos de IA, según informó Reuters.

La memoria flash NAND es un tipo de almacenamiento no volátil utilizado en teléfonos inteligentes, PC y centros de datos, y los fabricantes compiten apilando celdas de memoria verticalmente: a mayor cantidad de capas, mayor densidad de almacenamiento en cada oblea.

La conversión 'Monami' en Xi'an

Samsung tiene como objetivo su planta de Xi'an, en el noroeste de China, para actualizarla a la NAND V9 de 286 capas para 2027. El proyecto tiene el nombre interno en clave "Monami", que significa "mi amigo" en francés.

Se espera que la producción aumente gradualmente, alcanzando 5.000 obleas al mes para diciembre de 2026 y 40.000 obleas al mes para diciembre de 2027, informó Reuters, citando a una persona familiarizada con los planes.

La planta de Xi'an produce actualmente chips NAND de alrededor de 200 capas y representa aproximadamente el 40% de la producción global de NAND de Samsung. Samsung afirmó que la actualización cumple con los controles de exportación de EE. UU. y dará soporte a clientes de todo el mundo, incluidos los de Estados Unidos, sin ampliar la capacidad de producción ni requerir nuevas construcciones.

SK Hynix lleva su planta de Dalian más allá de las 192 capas

SK Hynix está modernizando su planta de Dalian en China, con el objetivo de llevar fábrica más allá de la NAND de 192 capas, con una producción orientada a 240 capas o más.

La instalación pasó a formar parte de SK Hynix en 2021 mediante la adquisición del negocio de NAND de Intel, que ahora opera como Solidigm. Solidigm se está preparando actualmente para una OPI en EE. UU., mientras que Dalian sigue siendo su única planta de fabricación de NAND.

China representa, según estimaciones de TrendForce, entre el 30% y el 35% de la producción de NAND de Samsung y entre el 40% y el 45% de la de SK Hynix. Mantener sus plantas en China competitivas con la tecnología más reciente es, por lo tanto, crucial para ambos fabricantes de chips.

YMTC es la razón

YMTC fortaleció su posición en el mercado de memoria flash NAND de China en el segundo trimestre de 2026, alcanzando una cuota del 38,5% para superar a Samsung, que tenía el 33,5%. SK Hynix ocupó el tercer lugar con un 17%, según cifras citadas por AI Weekly.

Las últimas cifras marcan una ganancia para YMTC, que representó alrededor del 28% del mercado durante todo el año 2025.

YMTC también está avanzando en su tecnología de chips. Aunque su línea de productos sigue dominada por chips NAND de 160 y 232 capas, la compañía ha comenzado a producir chips de 294 capas en pequeños volúmenes y contempla superar las 300 capas, según Reuters.

Samsung y SK Hynix siguen a la vanguardia en la tecnología NAND más reciente: Samsung produce chips de 286 capas a nivel mundial y SK Hynix ya fabrica en masa NAND de 321 capas. Sin embargo, sus plantas en China aún se quedan atrás en estos avances.

La cuestión de las licencias de EE. UU.

Los controles de exportación de EE. UU. siguen siendo un obstáculo para Samsung y SK Hynix, que necesitan licencias anuales para instalar equipos fabricados en Estados Unidos en sus plantas de China. En 2025, Washington indicó que era poco probable aprobar actualizaciones tecnológicas o expansiones de capacidad en las instalaciones.

Esa postura se ha suavizado desde entonces, y ambas empresas recibieron licencias anuales para 2026 que reemplazan las exenciones utilizadas previamente para mantener en funcionamiento sus plantas en China, informó AI Weekly. No obstante, Reuters afirmó que no pudo confirmar cuánto del equipo necesario para las actualizaciones había sido aprobado. Dado que esas licencias deben renovarse cada año, las futuras aprobaciones de Washington serán un punto de control recurrente para los cronogramas de escalado de 2026 y 2027 de ambas compañías.