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Samsung amplía su centro de semiconductores de Pyeongtaek para satisfacer la demanda de memoria impulsada por la IA

Autor: CryptoBriefing·

Puntos clave

  • •Samsung está convirtiendo la línea P4 de Pyeongtaek de NAND a producción dedicada de DRAM, con el objetivo de producir entre 100.000 y 120.000 obleas por mes para el primer trimestre de 2027 utilizando su último proceso 1c.
  • •La construcción de la fábrica P5, suspendida en 2024 cuando la demanda de memoria cayó, se ha reanudado y acelerado, y cada fábrica P5 requiere una inversión de más de 60 billones de wones coreanos.
  • •Samsung está reasignando capacidad de NAND a DRAM tanto en Pyeongtaek como en Hwaseong para atender una escasez de DDR5 para servidores, donde las primas de precios han alcanzado el 70%.
  • •La utilidad operativa de la compañía en el tercer trimestre de 2026 superó los 100 billones de wones coreanos, un resultado trimestral récord impulsado por las ventas de HBM y DRAM.
  • •Samsung respalda un plan de inversión de 360 billones de wones para un clúster de seis fábricas en Yongin, con la primera fábrica proyectada para entrar en operación en 2029.
Samsung amplía su centro de semiconductores de Pyeongtaek para satisfacer la demanda de memoria impulsada por la IA

Samsung está ampliando su complejo de fabricación de semiconductores en Pyeongtaek, Corea del Sur, para convertirlo en uno de los sitios de producción de memoria más ambiciosos del mundo. Este impulso se produce mientras el auge de la inteligencia artificial incrementa la demanda de GPU y, a su vez, de los chips de memoria de los que dependen esas GPU. Tres fábricas del campus ya operan las 24 horas, una cuarta está por entrar en operación y una quinta volvió a estar en construcción tras un año en el que las perspectivas económicas eran sombrías.

Un campus que nunca duerme

El campus de Pyeongtaek se ubica en la provincia de Gyeonggi y ha crecido de manera constante desde que su primera fábrica, conocida como P1, inició operaciones en 2017. El sitio actualmente opera tres fábricas activas, y las dos siguientes son donde las ambiciones de la compañía se hacen más evidentes.

Los chips de memoria se dividen en dos grandes categorías, y el auge de la IA está presionando a ambas: la DRAM proporciona la memoria de trabajo rápida que utilizan los procesadores, mientras que la NAND almacena datos a largo plazo. Esa división está definiendo cómo Samsung despliega sus líneas de producción.

En la P4, Samsung está convirtiendo una línea de producción de NAND a una línea dedicada de DRAM. La línea de DRAM P4 tiene como objetivo una capacidad de producción de entre 100.000 y 120.000 obleas por mes para el primer trimestre de 2027. Utilizará el proceso 1c de Samsung, la última generación de la tecnología de fabricación de DRAM de la compañía.

La fábrica que se pausó y se reactivó

La P5 es la parte más reveladora de la historia. La construcción de la quinta fábrica se detuvo en 2024, cuando la demanda de chips de memoria cayó. Luego, el auge de la IA disparó la demanda y el trabajo se reanudó. La construcción del complejo P5 se ha acelerado desde entonces, con la colocación de la primera piedra de la segunda línea llegando seis meses antes de lo previsto.
El patrón de pausa y reanudación refleja la naturaleza cíclica de la fabricación de memoria, en la que los proveedores reducen su capacidad durante las crisis y corren para expandirla cuando la demanda regresa; y como las fábricas tardan años en construirse, las decisiones tomadas hoy moldean la oferta mucho tiempo en el futuro.

Cada fábrica P5 representa una inversión de más de 60 billones de wones coreanos. Las fábricas están diseñadas con cuartos limpios de triple nivel para maximizar la producción, y las metas de capacidad alcanzan cientos de miles de obleas por mes.

Un cambio en la mezcla de producción

Samsung no solo está agregando nueva capacidad; también está reconvirtiendo líneas existentes. La compañía está reasignando parte de la capacidad de producción de NAND a DRAM tanto en sus instalaciones de Pyeongtaek como en las de Hwaseong. La medida responde a una escasez de DRAM para servidores, en particular DDR5, el estándar de memoria de la generación actual en los servidores de centros de datos que sustentan la IA y los servicios en la nube. Las primas en los precios del DDR5 para servidores han alcanzado el 70%.

Los resultados financieros reflejan este cambio. La utilidad operativa de Samsung en el tercer trimestre de 2026 superó los 100 billones de wones coreanos, una cifra trimestral récord impulsada por las ventas de HBM (memoria de alto ancho de banda) y DRAM. La HBM es una forma premium de DRAM diseñada para transferir datos a velocidades muy altas junto a los aceleradores de IA.

Más allá de Pyeongtaek

Samsung también respalda un plan de inversión de 360 billones de wones coreanos para un clúster en Yongin, que involucrará seis nuevas fábricas. La primera de ellas está proyectada para 2029, un cronograma que ilustra cuánto tiempo toma planificar y construir capacidad de memoria de vanguardia.

Qué viene después

La reasignación conlleva un posible efecto secundario en la NAND: desplazar líneas hacia la DRAM podría reducir marginalmente la oferta de memoria de almacenamiento.

Los hitos clave ya están marcados en el calendario. Estos incluyen si la P4 alcanza su meta mensual de entre 100.000 y 120.000 obleas para el primer trimestre de 2027, si la prima del DDR5 para servidores se mantiene a medida que llega nueva oferta, y si la primera fábrica de Yongin sigue en curso para 2029.

Fuente: CryptoBriefing