Samsung y Broadcom firman un memorando de entendimiento por más de $200 mil millones hasta 2030
Puntos clave
- •Samsung y Broadcom firmaron un MOU que cubre memoria, fundición y empaquetado avanzado, con un gasto proyectado superior a $200 mil millones hasta 2030, aunque no se han divulgado órdenes de compra firmes ni asignaciones financieras.
- •Broadcom diseña aceleradores de IA personalizados, incluidas las TPUs de Google y los chips MTIA de Meta, ambos dependientes de volúmenes sustanciales de memoria de alto ancho de banda que Samsung suministraría bajo la alianza.
- •TrendForce proyectó que los precios contractuales de DRAM del tercer trimestre de 2026 subirían entre 13% y 18%, y que los precios de NAND flash aumentarían entre 10% y 15%, reflejando una persistente estrechez de suministro impulsada por la demanda de servidores de IA.
- •Samsung inició la producción masiva de HBM4 e informó que la enviaba antes que sus competidores, además de presentar muestras de HBM4E de 12 capas con velocidades de transferencia declaradas de 16 gigabits por segundo.
- •Empresas tecnológicas coreanas y globales anunciaron aproximadamente $950 mil millones en cooperación en semiconductores durante la Cumbre de IA, lo que sitúa al acuerdo con Broadcom entre los mayores compromisos del evento.

Samsung Electronics y Broadcom firmaron un memorando de entendimiento (MOU) para profundizar su colaboración en memoria, fabricación de fundición y empaquetado avanzado. Las dos compañías esperan que su alianza implique un gasto superior a $200 mil millones hasta 2030. El acuerdo fue anunciado en una cumbre de IA celebrada en San Francisco, a la que asistieron el presidente surcoreano Lee Jae Myung y representantes de importantes empresas de IA.
La oficina presidencial de Corea del Sur describió la colaboración con Broadcom como parte de esfuerzos más amplios para fortalecer la industria nacional de semiconductores de IA. Sin embargo, tanto Samsung como la oficina presidencial se negaron a revelar los volúmenes anuales de suministro, los precios, los calendarios de envíos o cómo se dividirían los $200 mil millones entre memoria, fundición y empaquetado avanzado. Sin una orden de compra firme, la cifra proyectada representa un marco estratégico de largo plazo más que ingresos garantizados. Samsung es una de las pocas compañías de semiconductores del mundo que desarrolla simultáneamente HBM líder, opera una fundición de nodos avanzados y ofrece empaquetado interno, una combinación que pocos competidores pueden igualar, ya que la mayoría de sus rivales se especializa en fabricación de memoria o de lógica.
Importancia estratégica para la cadena de suministro de IA
Aunque Broadcom no fabrica chips de memoria directamente, se ha consolidado como uno de los mayores diseñadores del mundo de aceleradores de IA personalizados. Samsung afirmó que la alianza ampliada respaldaría los chips de IA de próxima generación de Broadcom mediante avances en memoria de alto ancho de banda (HBM), producción de fundición y empaquetado avanzado, el proceso de apilar e interconectar matrices de memoria y lógica que determina la eficacia con la que los datos se mueven dentro de un acelerador de IA. Broadcom diseña actualmente las Tensor Processing Units (TPUs) de Google y los aceleradores MTIA de Meta, ambos dependientes de volúmenes sustanciales de HBM.
El acuerdo es relevante para el sector de IA en general porque HBM sigue siendo uno de los componentes con mayores restricciones de suministro en el hardware de IA. El acuerdo entre Samsung y Broadcom podría asegurar capacidad de fabricación a la que otros desarrolladores de chips también podrían querer acceder.
La demanda continúa acelerándose. Según Seoul Economic Daily, el presidente de SK Group, Chey Tae-won, afirmó que Broadcom ha solicitado de forma persistente lo que describió como un volumen asombroso de chips de memoria, lo que subraya la urgencia entre los clientes de IA a hiperescala por asegurar suministro futuro.
Los datos de la industria refuerzan estas observaciones. El informe de TrendForce sobre tecnología HBM del primer trimestre de 2026 mostró que SK hynix mantenía su liderazgo de mercado, mientras que Samsung registró la recuperación más rápida, impulsada por el aumento de envíos de HBM3E y los avances hacia la comercialización de HBM4. El liderazgo de SK hynix se ha apoyado en parte en su papel como proveedor principal de HBM para Nvidia, cuyos envíos de GPU para centros de datos han marcado el ritmo de la demanda de aceleradores de IA. Una actualización posterior de TrendForce informó que Samsung había validado con éxito HBM4 y comenzado a enviarla antes que cualquier otro proveedor, fortaleciendo su posición competitiva en medio del fuerte aumento de la demanda de IA.
La escasez de memoria aumenta la importancia del momento
Las condiciones del mercado añaden urgencia al acuerdo. Los costos de memoria han aumentado durante todo el año debido a que la demanda de servidores de IA supera la oferta, y los analistas no esperan alivio en el corto plazo.
El 3 de julio, TrendForce proyectó que los precios contractuales de DRAM en el tercer trimestre de 2026 aumentarían entre 13% y 18% frente al trimestre anterior, mientras que se esperaba que los precios de NAND flash subieran entre 10% y 15%, reflejando la persistente estrechez del mercado de DRAM.
SemiAnalysis caracterizó el panorama actual como una "fase de escasez de silicio", en la que la producción de lógica avanzada y memoria no puede seguir el ritmo de la inversión en infraestructura de IA. En estas condiciones, las empresas dispuestas a asumir compromisos de largo plazo obtienen mayor certeza de suministro, mientras que los fabricantes comprometen su capacidad limitada en contratos extendidos.
El impulso de Samsung para recuperar terreno en memoria de IA
El acuerdo con Broadcom llega mientras Samsung trabaja para recuperar su posición en memoria de IA tras ceder el liderazgo en HBM a SK hynix. Samsung afirmó que la alianza integra sus capacidades en memoria, producción de fundición y empaquetado avanzado para ofrecer una plataforma integral a clientes de IA.
Samsung divulgó hace varios meses que había comenzado la producción masiva de HBM4. El 29 de mayo, la compañía presentó lo que describió como las primeras muestras de HBM4E de 12 capas de la industria para grandes clientes. Samsung afirmó que la nueva memoria alcanza velocidades de transferencia de 16 gigabits por segundo y un ancho de banda de 3.6 terabytes por segundo por pila, diseñada para futuros aceleradores de IA.
La división de fundición de Samsung también ha ganado tracción. SemiAnalysis informó que Samsung Foundry aseguró los programas AI5 y AI6 de Tesla junto con TSMC y entró en la cadena de suministro de centros de datos de Nvidia.
Si el memorando con Broadcom finalmente se convierte en órdenes de producción firmes, Samsung sumaría otro cliente destacado de IA a su creciente cartera de semiconductores. La oficina presidencial de Corea del Sur también señaló que empresas tecnológicas coreanas y globales anunciaron aproximadamente $950 mil millones en cooperación en semiconductores durante la Cumbre de IA, lo que ubica al acuerdo con Broadcom entre los mayores compromisos estratégicos del evento.