Samsung Electronics presentó su cartera de memoria de IA de próxima generación en la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) 2026 en Santa Clara, California, y dio a conocer una hoja de ruta tecnológica diseñada para responder a las demandas de rápido crecimiento de la computación de alto rendimiento y la infraestructura de inteligencia artificial.

La compañía exhibió alrededor de 30 tecnologías de memoria y almacenamiento en un stand inspirado en servidores de nube de IA. Jin-Yub Lee, Executive Vice President y Head of Flash Product & Technology, y Kyungryun Kim, Vice President del DRAM Design Team, ofrecieron la conferencia inaugural, titulada “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture.”

Las arquitecturas verticales buscan redefinir la integración entre memoria y procesador

En el centro de la hoja de ruta de Samsung hay dos modelos conceptuales que modifican de forma significativa la forma en que la memoria se conecta con los procesadores. La compañía presentó zHBM, que apila la memoria de gran ancho de banda de forma vertical sobre los aceleradores de IA en lugar de ubicarla junto al chip. Samsung señaló que este enfoque acorta la ruta de datos y ofrece aproximadamente ocho veces el rendimiento de HBM5, más de diez veces la densidad de memoria y tres veces la eficiencia energética, al tiempo que reduce la resistencia térmica en más de la mitad.

La arquitectura también admite la integración de propiedad intelectual personalizada entre capas, lo que permite configuraciones adaptadas a aceleradores específicos. Además de zHBM, Samsung adelantó zNAND-O, una solución basada en V-NAND disponible en variantes de cuatro y ocho capas que combina alta eficiencia de espacio con baja latencia para cargas de trabajo de IA perimetral en tiempo real.

Samsung presenta V10 BV-NAND y detalla su hoja de ruta de producción

Samsung también anunció V10 BV-NAND, que describió como la primera arquitectura Bonding V-NAND de la industria habilitada por una nueva tecnología de unión de obleas. El dispositivo cuenta con más de 400 capas e incrementa la densidad de memoria en alrededor de 58 por ciento respecto a la generación V9 anterior, al mismo tiempo que mejora el rendimiento de lectura, escritura y E/S. Samsung indicó que este hito llega 13 años después de que introdujera el primer V-NAND de la industria.

Más allá del hardware conceptual, Samsung detalló sus planes de producción a corto plazo. Después de lo que describió como la primera producción en masa de HBM4 en February, la empresa comenzó a enviar muestras de HBM4E en May y mostró su modelo HBM5 en FMS 2026. Samsung también presentó LPDDR5X-PIM, que describió como la primera memoria DDR de bajo consumo de la industria con tecnología de procesamiento en memoria. El sistema realiza cómputos dentro del arreglo de memoria para reducir el movimiento de datos y el consumo de energía, un enfoque de diseño cada vez más relevante a medida que los sistemas de IA elevan los requisitos de ancho de banda y eficiencia de memoria.

Para la infraestructura de centros de datos, Samsung destacó sus soluciones de almacenamiento empresarial PM1763 y BM1773. La compañía señaló que, como único fabricante de dispositivos integrados con capacidades líderes en memoria, fundición y empaquetado avanzado, está impulsando una estrategia integral llave en mano que combina servicios de diseño y fabricación para acortar los ciclos de desarrollo y mejorar el rendimiento para los clientes de semiconductores de IA.

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