Las acciones de Navitas Semiconductor Corporation (NVTS) cotizaron a $11.88 el martes, con una subida de $0.15, después de que la empresa obtuviera un contrato del Ejército de EE. UU. para desarrollar dispositivos de potencia avanzados de carburo de silicio. El contrato financia un programa prototípico centrado en dispositivos de potencia de 10 kV para sistemas de defensa e infraestructura, y amplía el papel de Navitas en la tecnología de potencia de ultra alta tensión y la fabricación nacional de semiconductores. El contrato también impulsa la tecnología de chips de carburo de silicio de la empresa hacia una clase de tensión más alta que la de cualquier producto que actualmente comercializa.

Contrato del Ejército de EE. UU. bajo el programa prototípico ALATTIS

Navitas obtuvo el contrato del Ejército bajo el proyecto prototípico ALATTIS, que apunta a un proceso nacional de fabricación de dispositivos avanzados de carburo de silicio. El programa se enfoca en transistores bipuerta aislada de 10 kV y diodos PiN relacionados para aplicaciones de potencia exigentes. El Army Research Laboratory patrocina el trabajo como parte de los esfuerzos por fortalecer la electrónica de alta potencia para sistemas críticos de defensa e infraestructura. Las propiedades de los materiales de banda ancha del carburo de silicio permiten que los dispositivos de potencia operen a tensiones y temperaturas más altas que el silicio convencional, lo que sustenta el papel de este material en la electrónica de alta potencia para defensa e infraestructura.

Bajo el proyecto, Navitas aplicará su arquitectura planar asistida por trinchera patentada junto con tecnologías avanzadas de diodos. Los ingenieros avanzarán a través de ciclos repetidos de diseño, fabricación y pruebas para validar un proceso de fabricación de los nuevos dispositivos. Ese enfoque busca demostrar el rendimiento, la confiabilidad y la disposición para la producción antes de una implementación más amplia en aplicaciones militares o de infraestructura.

Navitas dijo que el Ejército seleccionó a la empresa mediante un proceso competitivo basado en la tecnología, la confiabilidad y las capacidades de la cadena de suministro nacional. El proyecto también apoya los esfuerzos de EE. UU. por construir más capacidad de fabricación de semiconductores para componentes estratégicamente importantes. El contrato le brinda a Navitas otra vía hacia aplicaciones donde la tensión, la eficiencia y la confiabilidad siguen siendo requisitos críticos.

El proyecto ALATTIS extiende GeneSiC más allá de los MOSFET existentes

El programa ALATTIS llevaría a Navitas más allá de suafolio actual de MOSFET de carburo de silicio hacia una categoría de dispositivos diferente. A diferencia de un MOSFET, un transistor bipuerta aislada combina una entrada controlada por compuerta con una capa de conducción bipolar, una estructura utilizada desde hace mucho tiempo en la conversión de potencia muy alta. Estos dispositivos pueden soportar tensiones extremadamente altas y grandes cargas de potencia en sistemas eléctricos especializados. Un desarrollo exitoso podría ampliar el rango tecnológico accesible de la empresa en los mercados de defensa, red eléctrica y potencia industrial.

Navitas ya vende productos a través de su portafolio de carburo de silicio GeneSiC, que abarca tensiones desde 650 V hasta 6.5 kV. La empresa lanzó comercialmente su tecnología de MOSFET de carburo de silicio de 6.5 kV en 2021 para aplicaciones de alta tensión. Ese trabajo anterior proporciona la base técnica para el movimiento planificado hacia el desarrollo de transistores de carburo de silicio de 10 kV, una tensión aproximadamente 50% superior al máximo comercial actual del portafolio.

Los nuevos dispositivos también combinarían la experiencia existente de Navitas en materiales con técnicas de fabricación diseñadas para un rendimiento de mayor tensión y confiabilidad a largo plazo. Los diodos PiN formarían otra parte de esa plataforma y apoyarían la conversión de potencia en condiciones de operación exigentes. Esas tecnologías podrían ayudar a Navitas a construir una oferta más amplia de ultra alta tensión más allá de sus productos comerciales actuales de carburo de silicio.

Las acciones de NVTS ganan a medida que se expande la exposición a la defensa

NVTS ganó $0.15 hasta $11.88 durante la negociación del martes, ya que el contrato del Ejército agregó otro catalizador para el negocio de semiconductores en expansión. La acción había cerrado el lunes a $11.73 después de caer 3.85% en la sesión anterior. El movimiento del martes recuperó parte de esa caída mientras el mercado en general enfrentaba presión por el aumento de los rendimientos de los bonos del Tesoro a largo plazo.

El proyecto del Ejército también añade exposición a la defensa a un negocio cada vez más enfocado en mercados de mayor potencia y aplicaciones de infraestructura. Navitas ha ampliado su trabajo en carburo de silicio mientras continúa el desarrollo en nitruro de galio y sistemas de potencia de alta tensión. Esas tecnologías se dirigen a centros de datos, infraestructura energética, movilidad eléctrica, sistemas industriales y otros equipos de consumo intensivo de energía.

El anuncio del Ejército no incluyó el valor financiero del contrato ni un cronograma de producción comercial. El proyecto sigue enfocado en el desarrollo prototípico y la validación de procesos antes de que pueda surgir una fase de fabricación más amplia. Un panorama más claro del tamaño de la financiación, los hitos de desarrollo o una ruta hacia la producción dependerá de futuras divulgaciones de Navitas o del Ejército. Aun así, la selección amplía el trabajo de Navitas en tecnología de carburo de silicio de ultra alta tensión y desarrollo de semiconductores en EE. UU.