NoticiasAccionesNavitas Semiconductor comenzará a enviar en septiembre sus primeras obleas Gen 5 GaNFast fabricadas en EE. UU.

Navitas Semiconductor comenzará a enviar en septiembre sus primeras obleas Gen 5 GaNFast fabricadas en EE. UU.

Autor: Blockonomi·

Puntos clave

  • •Navitas comenzará a enviar en septiembre sus primeras obleas Gen 5 GaNFast fabricadas en EE. UU. a través de GlobalFoundries.
  • •Las obleas se producen en la planta de GaN sobre silicio de 200 mm de GlobalFoundries en Burlington, Vermont.
  • •La familia inicial de productos incluirá GaN FET de 650 voltios con opciones de resistencia de 11, 18, 50, 120 y 150 milliohms.
  • •Las muestras internas están previstas para octubre y las muestras para clientes estratégicos antes de fin de año.
  • •Navitas dice que la plataforma está destinada a centros de datos, computación de alto rendimiento, electrificación industrial y usos de seguridad nacional.
Navitas Semiconductor comenzará a enviar en septiembre sus primeras obleas Gen 5 GaNFast fabricadas en EE. UU.

Navitas Semiconductor comenzará a enviar en septiembre sus primeras obleas Gen 5 GaNFast fabricadas en EE. UU. a través de GlobalFoundries. Este hito acerca a Navitas más a la producción nacional de semiconductores de potencia para centros de datos, computación, sistemas industriales y aplicaciones de defensa. NVTS cotizó en $11.14, con una baja de 3.93%, tras una fuerte caída intradía y una recuperación parcial.

Navitas Semiconductor Corp, NVTS

Avanza la producción de Gen 5 GaNFast en EE. UU.

Navitas desarrolló su plataforma GaNFast de quinta generación para producirse en la planta de GaN sobre silicio de 200 mm de GlobalFoundries en Burlington, Vermont. El plan de fabricación amplía la capacidad doméstica para dispositivos avanzados de potencia de nitruro de galio utilizados en sistemas eléctricos de alta eficiencia. También proporciona a Navitas una fuente de producción basada en EE. UU. para futuras generaciones de GaNFast.

Las compañías formaron una alianza estratégica a largo plazo en noviembre de 2025 para acelerar el desarrollo y la fabricación nacional de GaN. Desde entonces, Navitas ha adaptado sus diseños de dispositivos y su tecnología de proceso a la plataforma de fabricación de GlobalFoundries. La colaboración combina los diseños de semiconductores de potencia de Navitas con las capacidades de producción de alto volumen ya establecidas de GlobalFoundries.

La primera familia de productos incluirá GaN FET de 650 voltios en varias especificaciones de resistencia en conducción para distintos requerimientos de potencia. Navitas espera opciones de resistencia de 11, 18, 50, 120 y 150 milliohms dentro de la línea inicial. Este rango apunta a sistemas de potencia que requieren distintos equilibrios entre eficiencia, rendimiento de conmutación, tamaño y control térmico.

Las obleas de septiembre inician un calendario de muestreo más amplio

Navitas espera que las primeras obleas Gen 5 salgan de la línea de producción de Vermont durante septiembre. Las muestras internas deberían seguir en octubre, a medida que la empresa avanza en las tareas de prueba y calificación. Las muestras para clientes estratégicos están previstas antes de fin de año, lo que respalda una evaluación más amplia en los mercados objetivo.

El envío de septiembre marca el primer paso de producción bajo la alianza de fabricación entre Navitas y GlobalFoundries. También lleva la arquitectura GaNFast más reciente de Navitas a una fundición comercial nacional por primera vez. Esa transición ofrece a la empresa un camino más claro desde el desarrollo del diseño hasta la producción de obleas en EE. UU.

Navitas diseñó la plataforma para potencia en centros de datos, computación de alto rendimiento, electrificación industrial y sistemas de seguridad nacional. Estas aplicaciones necesitan conversión eficiente de energía a medida que aumenta la demanda eléctrica en equipos informáticos y industriales avanzados. Los dispositivos GaN pueden respaldar sistemas de potencia más pequeños al tiempo que reducen las pérdidas de energía durante la conmutación de alta frecuencia.

Navitas se apoya en su desarrollo de largo plazo en GaN y SiC

Navitas desarrolla productos de potencia de nitruro de galio desde 2014 y también opera una cartera tecnológica de carburo de silicio. La compañía posee más de 300 patentes concedidas y en trámite en tecnologías GaN y SiC. Su cartera abarca estructuras de dispositivos, process design kits, circuitos integrados de potencia, funciones de control, detección y protección.

El programa Gen 5 amplía esa base técnica hacia un proceso de fabricación diseñado para obleas de 200 mm GaN sobre silicio. Los formatos de oblea más grandes pueden respaldar una mayor escala de producción cuando los rendimientos de fabricación y la demanda de los clientes alcancen objetivos comerciales. GlobalFoundries añade infraestructura de fabricación que puede soportar volúmenes más altos a medida que Navitas amplía la calificación de clientes.

El esfuerzo de producción en EE. UU. también le da a Navitas otra opción de suministro para mercados que valoran el abastecimiento nacional de semiconductores. Ese factor importa para programas de computación, industria y defensa que requieren disponibilidad confiable de componentes y fabricación trazable. Por lo tanto, el envío de obleas de septiembre suma un hito de producción junto con la estrategia tecnológica y de cadena de suministro más amplia de la compañía.