Samsung Electronics und SK Hynix planen Upgrades ihrer chinesischen Produktionsanlagen, um fortschrittlichere NAND-Flash-Speicher herzustellen, während der Wettbewerb mit dem einheimischen Rivalen Yangtze Memory Technologies (YMTC) zunimmt und die Nachfrage aus KI-Rechenzentren wächst, berichtete Reuters.

NAND-Flash ist ein nicht-flüchtiger Speichertyp, der in Smartphones, PCs und Rechenzentren zum Einsatz kommt. Die Hersteller konkurrieren, indem sie Speicherzellen vertikal stapeln – je mehr Layer, desto größer die Speicherdichte pro Wafer.

Die „Monami“-Umstellung in Xi'an im Detail

Samsung richtet sein Werk im nordwestchinesischen Xi'an auf ein Upgrade auf 286-Layer-V9-NAND bis 2027 aus. Das Projekt trägt intern den Codenamen „Monami“, was auf Französisch „mein Freund“ bedeutet.

Die Produktion soll schrittweise hochgefahren werden und bis Dezember 2026 5.000 Wafer pro Monat und bis Dezember 2027 40.000 Wafer pro Monat erreichen, berichtete Reuters unter Verweis auf eine mit den Plänen vertraute Person.

Das Werk in Xi'an produziert derzeit NAND-Chips mit rund 200 Layern und macht etwa 40 % der globalen NAND-Produktion von Samsung aus. Samsung erklärte, das Upgrade entspreche den US-Exportkontrollen und werde Kunden weltweit unterstützen, auch in den Vereinigten Staaten, ohne die Produktionskapazität auszuweiten oder neue Gebäude zu errichten.

SK Hynix bringt das Werk in Dalian über 192 Layer

SK Hynix rüstet sein Werk im chinesischen Dalian auf und versucht, die Fab über 192-Layer-NAND hinauszubringen, mit einer Produktion von 240 Layern oder mehr als Ziel.

Die Anlage wurde 2021 durch die Übernahme von Intels NAND-Geschäft Teil von SK Hynix, das inzwischen als Solidigm firmiert. Solidigm bereitet derzeit einen Börsengang in den USA vor, während Dalian der einzige NAND-Fertigungsstandort bleibt.

China macht laut TrendForce schätzungsweise 30 % bis 35 % von Samsungs NAND-Produktion und 40 % bis 45 % der Produktion von SK Hynix aus. Die Wettbewerbsfähigkeit ihrer chinesischen Werke mit der neuesten Technologie ist daher für beide Chiphersteller entscheidend.

YMTC ist der Grund

YMTC festigte seine Position auf Chinas NAND-Flash-Markt im zweiten Quartal 2026 und erreichte einen Marktanteil von 38,5 %, womit es Samsung mit 33,5 % überholte. SK Hynix landete mit 17 % auf dem dritten Platz, laut Zahlen, auf die AI Weekly verweist.

Die aktuellen Zahlen bedeuten einen Zuwachs für YMTC, das über das gesamte Jahr 2025 etwa 28 % des Marktes ausmachte.

YMTC schreitet auch bei seiner Chiptechnologie voran. Zwar wird das Produktsortiment noch von 160-Layer- und 232-Layer-NAND-Chips dominiert, doch hat das Unternehmen begonnen, 294-Layer-Chips in kleinen Stückzahlen zu produzieren und einen Sprung über 300 Layer ins Auge zu fassen, so Reuters.

Samsung und SK Hynix liegen bei der neuesten NAND-Technologie weiterhin vorn: Samsung produziert weltweit 286-Layer-Chips, und SK Hynix fertigt bereits 321-Layer-NAND in Massenproduktion. Ihre chinesischen Anlagen hinken diesen Fortschritten jedoch noch hinterher.

Die Frage der US-Lizenzen

Die US-Exportkontrollen bleiben ein Hindernis für Samsung und SK Hynix, die jährliche Lizenzen benötigen, um amerikanische Ausrüstung in ihren chinesischen Werken zu installieren. Im Jahr 2025 signalisierte Washington, dass es Technologie-Upgrades oder Kapazitätserweiterungen an den Standorten voraussichtlich nicht genehmigen würde.

Dieser Kurs hat sich inzwischen abgeschwächt: Beide Unternehmen erhielten Jahreslizenzen für 2026, welche die bisherigen Ausnahmegenehmigungen ablösen, mit denen ihre chinesischen Werke am Laufen gehalten wurden, berichtete AI Weekly. Reuters konnte jedoch nicht bestätigen, wie viel der für die Upgrades erforderlichen Ausrüstung genehmigt wurde. Da diese Lizenzen jährlich erneuert werden müssen, bleiben künftige Genehmigungen aus Washington ein wiederkehrender Prüfpunkt für die Ausbaupläne beider Unternehmen in den Jahren 2026 und 2027.