SK hynix股價盤後反彈1.98%至145.55美元，此前該股在週二收盤時下跌0.70%至142.72美元。此次反彈發生在有關該公司與Sandisk的高頻寬快閃記憶體（HBF）合作夥伴關係的新細節公布之後，包括推出一項旨在改善現代資料中心儲存效能的開放產業標準。

SK hynix與Sandisk建立高頻寬快閃標準

在加州聖克拉拉舉行的FMS 2026上，SK hynix與Sandisk發布了高頻寬快閃記憶體技術的首份標準規範。該計畫旨在應對由更大規模推論工作負載和日益複雜的運算系統所驅動的不斷增長的資料需求。

高頻寬快閃記憶體定位於高頻寬記憶體與固態硬碟之間，透過NAND技術結合加速的資料傳輸與更大的儲存容量。該架構旨在支援同時需要高速度和擴充容量的系統。隨著AI模型規模增大、推論工作負載擴展，速度快但容量有限的HBM與速度較慢但容量更大的SSD之間的頻寬差距已成為公認的瓶頸——這正是HBF所針對的領域。

兩家公司於2025年8月開始正式的標準化工作，並於2026年2月成立了聯盟。新發布的規範透過8層和16層NAND堆疊支援高達512GB的容量，並定義了三個頻寬等級，範圍從約每秒0.4TB到每秒3.0TB。

開放標準擴大處理器相容性

該規範採用通用晶粒互連快匯流排（Universal Chiplet Interconnect Express）將高頻寬快閃記憶體與處理器連接。此介面支援與多種處理器類型的整合，包括繪圖處理單元和中央處理單元，使系統設計人員能夠在多樣化的硬體平台上採用該技術。

該標準涵蓋電氣特性、連接方式、可靠性要求、封裝規則和軟體輸入輸出指引。SK hynix與Sandisk透過開放運算專案發布了該規範，使框架可用於更廣泛的產業採用，而非僅限於單一供應商。透過OCP發布也使HBF有望被超大規模資料中心設計所採用，因為OCP定義的硬體規範在該領域被廣泛使用。

Google和Tenstorrent已經參與了高頻寬快閃記憶體聯盟。該組織計畫招募更多成員並進一步提升技術成熟度。更廣泛的參與預計將有助於供應商圍繞共同的效能和相容性基準來調整其產品。

SK hynix展示次世代NAND產品

在FMS 2026期間，SK hynix還展示了其第十代375層4D NAND晶圓。該產品仍在開發中，效率較前一代有所提升，每瓦效能提高了2.5倍。

新NAND針對需要更高效能和更低功耗的資料中心。SK hynix計畫於明年初開始相關企業級固態硬碟的量產，此舉有望鞏固其在先進運算系統大容量儲存領域的地位。

該公司還展示了針對行動裝置、個人電腦、車輛和機器人產品設計的產品。高階主管概述了一種分層記憶體架構，可在單一系統中結合多種記憶體技術。SK hynix正利用此次活動推動高頻寬快閃記憶體在儲存市場的更廣泛採用，在其HBM領域既有領導地位的基礎上，拓展至AI記憶體與儲存堆疊的更廣泛領域。